离散物Surlyn对PBT／PP共混体系的力学性能及形态结构的影响

用力学性能测试，ＤＭＡ、ＳＥＭ等方法研究了离聚物Ｓｕｒｌｙｎ对ＰＢＴ／ＰＰ共混体系的力学性能及形态结构的影响。结果表明，在ＰＢＴ／ＰＰ共混体系中引入少量Ｓｕｒｌｙｎ可以改善界面的粘接性，从而改善其力学性能。     

多孔径扫描波面恢复技术的精度评定及影响因素

多孔径扫描波面恢复技术是一项新的高精度大孔径面形检测手段.本文从建立波面恢复精度的评价标准出发,结合实测结果进行讨论,并对影响精度的两个重要因素即拼接模式及拼接区大小进行分析.     

Mn/GaAs(100)界面电子结构的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射光电子能谱,研究了室温下在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜的电子结构.实验发现,在θ<2ML的覆盖度下,Mn3d电子的能量态密度分布与体金属α-Mn差别很大当θ>2ML之后,便逐步接近α-Mn的体电子结构.这一结果可由Mn3d电子的自旋向上带和自旋向下带的交换分裂很好地解释.由此推断,当覆盖度θ<2ML时,在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜具有磁有序结构 关键词：     

Behaviour of Self-Standing CVD Diamond Film with Different Dominant Crystalline Surfaces in Thermal-Iron Plate Polishing

Self-standing CVD diamond films with different dominant crystalline surfaces are polished by the thermal-iron plate polishing method. The influence of the dominant crystalline surfaces on polishing etfficiency is investigated by measuring the removal rate and final roughness. The smallest rms roughness of 0.14 μm is measured with smallest removal rate in the films with the initial （220） dominant crystalline surface. Activation energy for the polishing is analysed by the Arrhenius relation. It is found that the values are 170kJ/mol, 222kJ/mol and 214kJ/mol for the film with three different dominant crystalline surfaces. Based on these values, the polishing cause is regarded as the graphitization-controlling process. In the experiment, we find that transformation of the dominant crystalline surfaces from （111） to （220） always appears in the polishing process when we polish the （111） dominant surface.     

落实新大纲之我见

新的中等专业学校物理教学大纲（征求意见稿）令人耳目一新，新大纲在８７年大纲的基础上对知识内容、水平要求、使用的灵活性都做了大的调整，是一部符合当前教学方向，适用于职业中专性质的好大纲．可是，目前各中专学校对物理的要求程度不尽相同，教学时数有很大差异．有的学校只安排１２０学时左右；据了解，不少学校在物理课的安排上和上述两种情况大致相同．虽然新大纲由原来的１８０学时减到１５０个学时，但对于教学时数相对较少的学校而言，要完成新大纲规定的任务还是有一定困难．为此我们必须从物理课教学计划的合理安排上和教学…     

测度链上的柯西不等式

研究了测度链上的柯西不等式,给出测度链上柯西不等式的具体形式.此外,还对测度链上的柯西不等式作了推广.     

带有颗粒的圆射流冲击平板的计算

在无粘不可压缩流动条件下,本文计算了夹带颗粒的均匀圆射流冲击无限平板时气流流场,并且采用两种阻力系数公式,即和,分别计算了球形小颗粒在流场中的运动轨迹。假设颗粒在射流出口处是均匀分布,得到了冲击系数曲线(在采样器研究中称之为收集几率)。讨论了计算中所作的各点假设的合理性,对粘性效应进行了分析。考虑到粘性影响,对曲线作了修正。计算表明,颗粒在平板上的撞击点主要集中在X<2的区域里,虽然计算中假设H很大,但结果对H=1.5时仍适用。实验证明,按本文计算的曲线设计的采样器,其性能达到预期的指标。     

LSI工艺和失效机理的电镜分析

一、剖面分析技术 剖面分析对确切地了解器件纵向结构参数,配合工艺研究是十分重要的.LSI(大规模集成电路)研制工艺是综合性很强的技术,它的工序多,工艺严格而复杂,要求可靠性高.例如,64 K位 RAM(随机存贮器)就需要三层多晶硅工艺.虽然研制者可以按预定要求来控制工艺条件,但是实际结果必须由测试分析来判断.由于受光学显微镜分辨率的限制,无法测量这么多层次的显微结构,通常只能用电学测试进行判定.利用SEM(扫描电子显微镜侧可以直接观察其形貌及测量其几何尺寸. 为了能清晰地直接观察到单个器件的纵向结构,可以利用解理法解理电路芯片…