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Mn/GaAs(100)界面电子结构的同步辐射光电子能谱研究
引用本文:陈艳,董国胜,张明,金晓峰,陆尔东,潘海斌,徐彭寿,张新夷,范朝阳.Mn/GaAs(100)界面电子结构的同步辐射光电子能谱研究[J].物理学报,1995,44(1):145-151.
作者姓名:陈艳  董国胜  张明  金晓峰  陆尔东  潘海斌  徐彭寿  张新夷  范朝阳
作者单位:(1)复旦大学李政道物理学综合实验室和应用表面物理国家重点实验室,上海200433复旦大学李政道物理学综合实验室和应用表面物理国家重点实验室,上海200433; (2)浙江大学物理系,杭州310027; (3)中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230026
基金项目:国家自然科学基金资助的课题.
摘    要:利用同步辐射光电子能谱,研究了室温下在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜的电子结构.实验发现,在θ<2ML的覆盖度下,Mn3d电子的能量态密度分布与体金属α-Mn差别很大当θ>2ML之后,便逐步接近α-Mn的体电子结构.这一结果可由Mn3d电子的自旋向上带和自旋向下带的交换分裂很好地解释.由此推断,当覆盖度θ<2ML时,在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜具有磁有序结构 关键词

关 键 词:Mn/GaAs(100)  界面  电子结构  光电子能谱
修稿时间:2/2/1994 12:00:00 AM
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