用同步辐射光源研究掺铈对闪烁体发光性质的影响

描述了北京同步辐射装置上，利用同步辐射作为激光光源，观测微量元素铈对闪烁体ＧＳＯ、ＰｂＦ２和ＢａＦ２发光性质的影响。     

航天发射超导磁浮平台设计的初步实验研究

鉴于未来航天发射安全、可靠、低成本的要求，国外先后提出了不同磁悬浮系统助推发射运载器的概念及方案．我们基于初步拟定的高温超导磁悬浮发射系统方案，展开了相应的研究和探索．本文从磁浮系统悬浮力和稳定性综合考虑出发，建立配套高温超导实验测试系统，研究和比较了NdFeB永磁轨道构型和高温超导块材组合对磁浮系统性能的影响，并进行了定性的分析，其结果对小型缩比磁悬浮发射试验平台的构造具有极其重要的现实意义．     

EDTA衍生物冠醚的NMR研究

报道N,N'-二羧甲基大环醚双内酯(1-4)¹H NMR溶剂效应,¹H NMR跟踪的稳定性研究,溶剂极性影响标题化合物构象互变而表现为¹³C谱线特征.     

水热合成稀土氟化物材料YLiF4：Yb，Tm的上转换发光特性

利用水热法合成了掺杂Tm^3 和Yb^3 的YL^3 材料，并研究了Tm^3 和Yb^3 在材料中的光吸收，以及980nm红外光激发下不同Tm^3 浓度掺杂下的上转换发光特性。实验发现，在980nm激光激发下，材料可发出可见光。上转换发光光谱中包括蓝光和红光。与蓝光相比，红光强度要弱1～2个数量级。上转换发光强度和浓度关系研究显示，当Tm^3 浓度为0．3％(摩尔分数)时上转换发光达到最强，大于0．3％(摩尔分数)后发光开始减弱。通过分析输出光强与泵浦功率的双对数曲线，发现Tm^3 的蓝光发射和红光发射均属于双光子过程。     

6-烷基-2-吡啶甲醛及其希夫碱衍生物的合成

羧酸经酰氯化、酰胺化和环合制得2-甲基-6-烷基吡啶(3);3经氧化、乙酯化、还原及氧化合成了3个6-烷基吡啶甲醛(7);7与烷基苯胺缩合合成了一系列希夫碱(其中8个为新化合物),其结构经UV-Vis, 1H NMR, FT-IR和MS表征.     

Coherent Dynamics of Direct-Current-Driven Quantum-Dot-Array with Two Time-Dependent Embedded Impurities

The coherent dynamics of dc-driven quantum-dot array with two embedded time-dependent impurities is investigated, the exact crossings and avoided crossings in the quasienergies are associated with the evolution dynamics of the electron by the introduction of the envelope lines of the site＇s maximum returning probability. Through a perturbative scheme, the time-dependent Hamiltonian is replaced by an equivalent static one, whose structure reveals the new quantum tunnelling mechanism in the time-periodic driving system and sheds light on the alternative interpretation of dynamic localization and delocalization.     

缺陷位置对单层石墨烯拉伸形变的影响

采用AIREBO势函数,对含有多种空位缺陷的单层石墨烯进行分子动力学拉伸模拟,计算不同空位缺陷的位置和排布结构对单层石墨烯应力-应变的影响.结果表明：石墨烯拉伸过程中空位缺陷对其力学性能影响较大.石墨烯内缺陷位置、缺陷排布对拉伸过程中发生的撕裂现象有不同程度的影响.对比分析发现,远离石墨烯边界的空位缺陷对其力学稳定性影响较大.通过控制石墨烯中缺陷的位置,可实现对其力学性能的调控.     

基于小尺度参考辐射的便携式伽玛射线剂量(率)仪校准方法及应用

针对现有伽玛射线剂量(率)测量仪器检定方法送检距离远、周期长、效率低的不足,中国工程物理研究院核物理与化学研究所采用基于样本仪表的机器预测方法,开展了基于小尺度参考辐射的便携式伽玛剂量(率)仪遂行校准技术研究工作。最终成功地研制了一套辐射防护用伽玛射线剂量(率)仪遂行校准装置,实现了测量标准不确定度不大于5%的良好结果。为伽玛空气比释动能量值的遂行定度提出了一条全新的技术思路,为便携式伽玛剂量(率)仪的现场和野外校准提供了一种全新的示范装备。     

Dislocation Reduction Mechanisms in Gallium Nitride Films Grown by Canti-Bridge Epitaxy Method

By using the special maskless V-grooved c-plane sapphire as the substrate, we previously developed a novel GaN LEO method, or the so-called canti-bridge epitaxy （CBE）, and consequently wing-tilt-free GaN films were obtained with low dislocation densities, with which all the conventional difficulties can be overcome [J. Vacuum Sci. Technol. B 23 （2005） 2476]. Here the evolution manner of dlslocations in the CBE GaN films is investigated using transmission electron microscopy. The mechanisms of dislocation reduction are discussed. Dislocation behaviour is found to be similar to that in the conventional LEO GaN films except the enhanced dislocation-combination at the coalescence boundary that is a major dislocation-reduction mechanism for the bent horizontal-propagating dislocations in the CBE GaN films. The enhancement of this dislocation-combination probability is believed to result from the inclined shape and the undulate morphology of the sidewalls, which can be readily obtained in a wide range of applicable film-growth conditions during the GaN CBE process. Further development of the GaN CBE method and better crystal-quality of the GaN film both are expected.