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991.
本文给出一种电子散斑干涉条纹信号实时处理系统的实现方案;详细分析了物体变形前后信号延迟对相关性的影响;并导出条纹信号频率范围与离面位移的关系式及散斑背景噪音最低频率估算式,从获取低背景噪音条纹图角度给出光学系统优化设计的依据;最后给出实验结果. 相似文献
992.
993.
Properties of nuclei 13,15,N and 9B are investigated in the relativistic mean-field theory with NLz and NL3 force parameters.The calculated binding energies are very close to the experimental ones.The calculations show that the first excited state (1p1/2) in 9B,the first excited state (2s1/2)in 13 N and the second excited state(2s1/2) in 15N are weakly bound .In particular,for 13N and 15N,the proton density distributions in the two above excited states have a long tail and the rms radii of the last proton are greatly larger compared with their respective matter radii.It is predicted that a proton halo exists in the first excited state of 13N and in the second excited state of 15N,respectively.It also indicates that the first excited state in 9B is a proton skin state. 相似文献
994.
本文考虑非线性抛物型方程ut=e^u(△u+u),x∈Ω,证明在Ω上当-△u=λu的第一特征值λ1(Ω)〈1时,解u有有限时刻爆破。 相似文献
995.
996.
将α结团模型推广至形变核,计算偶偶形变母核α衰变基态到子核基态和子核第一激发态的分支比,显示出α衰变精细结构的测量是提取核形变信息的有效手段.The cluster model of α-decay is extended to deformed nuclei. The branching ratios of α-decays from the ground state of a parent nucleus to the ground state 0~(+) of its deformed daughter nucleus and to the first excited state 2~(+) are calculated in the framework of the cluster model. The results indicate that a measurement of α spectroscopy is a feasible method to extract the information of nuclear deformation. 相似文献
997.
采用坩埚下降法沿「001」方向生长出长度为60mm、直径为25mm的溴化铅晶体,并对该晶体进行了定向,测定了其光度体方位及其主折射率,测得该晶体的透过率范围复盖自0.3μm至25μm的整个区域,其声光优值为511。 相似文献
998.
顶部籽晶技术与熔融织构生长工艺的结合已经被证明是制备单一晶体取向的YBaCuO单畴超导体的成功方法.由于YbaCuO晶体的生长速度慢,使大尺寸单畴超导快的制备受到限制.采用多籽晶的方法可以减少生长大块材料的时间,但多籽晶诱导生长的大晶粒的边界通常是弱耦合的,材料的磁浮力和冻结磁场性能明显低于单籽晶生长的材料.本研究在采用多籽晶法制备YBCuO超导块时,通过在先驱物坯料的顶部增加成分梯度过渡层的方法成功地生长出单畴结构的超导材料.冻结磁通的分布为单峰状,证实材料为单畴结构,其磁浮力也达到单籽晶样品的水平.这些结果表明成分梯度层和多籽晶结合的工艺可以改善多籽晶生长样品的晶界耦合,是生长大尺寸单畴超导材料的一种可行方法. 相似文献
999.
在溶胶-凝胶工艺获得高质量Bi4Ti3O12薄膜的基础上,制备了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管. 研究了Si基Bi4Ti3O12薄膜的生长特性及其对铁电薄膜/硅的界面状态和铁电场效应晶体管存储特性的影响. 研究表明,在合理的工艺条件下可以获得具有较高c-轴择优取向的纯钙钛矿相Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜并有利于改善Bi4Ti3O12/Si之间的界面特性; 顺时针回滞的C-V特性曲线和C-T曲线表明Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管具有极化存储效应和一定的极化电荷保持能力; 器件的转移(Isd-VG)特性曲线显示Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管具有明显的栅极化调制效应. 相似文献
1000.