3-芳基苯并呋喃酮类化合物的合成及抗肿瘤活性

以甲氧基取代苯甲醛和氯仿为起始物, 以四丁基溴化铵(TBAB)为催化剂, 在氢氧化钠溶液中反应制得甲氧基取代扁桃酸钠, 经酸化得到相应的甲氧基取代扁桃酸; 在三氟化硼-乙醚催化下, 甲氧基取代扁桃酸分别与不同的酚类化合物发生串联的酯化-分子内环合反应, 便捷、 高效地合成了13种3-芳基苯并呋喃酮类化合物. 采用噻唑蓝(MTT)法对其中11种化合物进行了肿瘤细胞增殖抑制活性研究, 结果表明化合物4a, 4j及4a, 4i具有较强的抗肿瘤活性.     

一个新颖的光磁性二噻吩乙烯铜配合物的合成和光致变色性质

合成了一个新颖的金属铜和1,2-双(2′-甲基-5′-(4″-吡啶基)-3′-噻吩) 全氟代环戊烯 (BM-4-PTP)配合物,并用红外、核磁共振、元素分析进行了表征。研究了配合物在晶体相的光致变色性质和磁性性质。在光激发下,配合物[Cu(BM-4-PTP)₂(CF₃COO)₂](THF)₂(H₂O)₂(1)在晶体相显示出可逆的光异构反应。有趣的是,伴随着光致变色反应,配合物1的开环体(1o)和闭环体(1c)在晶体相还显示出磁性差异,1o和1c的磁化率可逆地发生变化,说明由于开环异构体和闭环异构体的π共轭结构不同,通过配体BM-4-PTP桥联的铜离子之间的相互作用可以被光引发。     

Dynamic modeling of total ionizing dose-induced threshold voltage shifts in MOS devices

The total ionizing dose (TID) effect is a key cause for the degradation/failure of semiconductor device performance under energetic-particle irradiation. We developed a dynamic model of mobile particles and defects by solving the rate equations and Poisson's equation simultaneously, to understand threshold voltage shifts induced by TID in silicon-based metal-oxide-semiconductor (MOS) devices. The calculated charged defect distribution and corresponding electric field under different TIDs are consistent with experiments. TID changes the electric field at the Si/SiO₂ interface by inducing the accumulation of oxide charged defects nearby, thus shifting the threshold voltage accordingly. With increasing TID, the oxide charged defects increase to saturation, and the electric field increases following the universal 2/3 power law. Through analyzing the influence of TID on the interfacial electric field by different factors, we recommend that the radiation-hardened performance of devices can be improved by choosing a thin oxide layer with high permittivity and under high gate voltages.     

纳米二氧化硅改性石蜡微胶囊相变储能材料的研究

以石蜡为芯材,甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸共聚物为壁材,纳米SiO2为改性剂,采用原位聚合法制备了石蜡微胶囊相变储能材料,系统研究了添加纳米SiO2对石蜡微胶囊相变材料性能的影响;采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、示差扫描量热法(DSC)和热重分析(TGA)等对石蜡微胶囊相变材料的化学结构、表面形貌和热性能进行了表征.研究表明,纳米SiO2能够有效提高微胶囊壁材的热稳定性,当丙烯酸酯壁材中添加3％改性纳米SiO2时,微胶囊呈球形且表面光滑,尺寸250 ～ 300 nm,具有良好的储热能力,相变潜热高达134.79 J/g,分解温度比未添加改性纳米SiO2的石蜡微胶囊提高了40 K,经过1000次热循环测试,石蜡渗漏率仅2.96％.     

投资者情绪对科创板市场收益率的影响——基于文本数据挖掘视角

本文以科创板市场为主要研究对象,基于文本数据挖掘方法探究了新冠疫情发生前和疫情期间投资者情绪对市场收益率的影响及其作用机制。利用东方财富股吧2019年7月至2020年3月的日度科创板股票评论数据,基于Bi-LSTM深度学习技术对文本数据情感倾向进行分类,建立投资者情绪指数。通过构建双向固定效应的联立方程模型,采用2SLS方法估计投资者情绪对科创板市场收益率的作用,并检验在经济平稳运行和受新冠疫情冲击期间该作用的差异性。实证分析及稳健性检验的结果均表明,投资者情绪通过影响交易量进而影响科创板股票市场收益率,这种正向作用在1%的置信水平下显著。此外,投资者情绪对科创板收益率的影响在经济平稳运行和受新冠疫情冲击期间均保持稳健,且在新冠疫情期间作用更强。本研究成果对于新冠疫情期间我国证券市场监管层完善科创板交易机制,以及对中小投资者优化投资战略具有重要意义。     

广义弹塑性梁理论及接触问题中的时偶变分不等式*

为研究摩擦接触问题,本文建立了一个具有二类独立交量的二维弹塑性梁模型。由此提出了一个新的非线性二次互补性问题。其中的外部互补性条件定义了自由边界;而内部互补性条件则控制了弹塑性分界面。文中证明了此二次互补性问题等价于一非线性变分不等式,并导出了其对偶变分不等式。本文结果显示对偶问题较原问题有更多的优越性。应用于塑性极限分析理论中,文中最后证明了一个简单的下限定理。     

纳米晶镍-钼合金电沉积层的结构与性能

研究了Ｃｒ２Ｏ３、ＭｏＯ３、ＳＯ２－４和ＣｕＳＯ４在ＳｎＯ２表面的单层分散及其对ＳｎＯ２超细粉热稳定性的影响．结果表明,几种化合物在ＳｎＯ２上均能单层分散且分散阈值都接近按密置单层模型估算的分散容量极限值;表面单层覆盖能十分有效地抑制ＳｎＯ２的高温烧结,单层覆盖率与经５００℃焙烧后样品中ＳｎＯ２的粒径和比表面有很好的对应关系,表现出很强的阈值效应;单层覆盖率达到一定程度,ＳｎＯ２高温烧结便可基本得到抑制．     

X射线荧光光谱法测定润滑油中22种添加剂元素和磨损金属元素

提出了X射线荧光光谱法测定润滑油中钙、锌、磷、镁、钡、锑、铜、铁、铝、铬、锰、钛、镍、锡、镉、铅、钒、钼、银、硅、钾和钠等22种添加剂元素和磨损金属元素的方法。将理论α影响系数法与经验系数法相结合校正基体效应。以2009年度RoundRobin比对样品作为未知样,按此方法进行测定,所得结果与已知值相符,也与电感耦合等离子体原子发射光谱法直接测定的结果一致。22元素的检出限在0.3～9.5μg.g-1之间,各元素测定值的相对标准偏差(n=7)在0.2%～11.1%之间。     

结合实际刻蚀数据的离子刻蚀产额优化建模方法

刻蚀表面仿真是研究等离子体刻蚀工艺过程机理的重要手段.在刻蚀表面仿真方法中,刻蚀表面演化模型和离子刻蚀产额模型直接决定了刻蚀表面演化结果.但现有的刻蚀表面演化模型不够精确,且目前离子刻蚀产额模型主要来自分子动力学仿真和物理实验,而实际加工过程十分复杂,等效的离子刻蚀产额包含很多因素.针对这些问题,首先对当前的刻蚀表面演化模型进行改进,同时重新定义了离子刻蚀产额模型的优化目标,并利用实际刻蚀加工数据来优化离子刻蚀产额模型.为缩短优化模型所用时间,采用并行方法来加速优化过程.最后,将得到的离子刻蚀产额模型参数应用于采用元胞自动机法的刻蚀工艺实际仿真过程中.实验结果表明,该优化建模方法确实提高了仿真的精确度,同时优化过程所用时间也大大减少.     

硅基光波导芯层材料及波导分束器的制备

本文采用溶胶－凝胶法制备了具有紫外感光性的SiO2/ZrO2/H有机无机复合薄膜,利用分光式椭偏仪测得该薄膜在光纤的常用通信窗口0.85 μm、1.31 μm和1.55 μm波长附近折射率分别为1.556 9、1.548 9和1.547 2,与下包层SiO2的折射率（1.46）相比,其折射率差比δ分别为6.64％,6.09％和5.97％,可作为芯层材料用于光波导的制备.通过控制提拉速率可以制作出厚度分别为1.29,2.20,4.00,5.44和6.82 μm的SiO2/ZrO2/H芯层薄膜,以满足0,1,2,3和4阶导模的传输要求.进而利用该薄膜自身的感光特性结合紫外掩模法,制备出相应厚度的1×8Y分支光功率分配器.通光实验表明,该光功分器能够将1.53～1.56 μm波长的光限制在波导内,实现光的传输和分束功能.