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采用约束刻蚀剂层技术, 以亚硝酸钠为先驱物, 通过电化学氧化产生刻蚀剂(硝酸)刻蚀铝, 并以NaOH为捕捉剂, 在电极模板上形成约束刻蚀剂层. 在金属铝表面加工出梯型槽微结构, 加工分辨率约为500 nm. 通过测量表面氢离子浓度, 对捕捉剂的约束效果进行了分析. 相似文献
24.
铝酸钠和含硅铝酸钠溶液结构和性质的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过对铝酸钠和硅铝酸钠溶液的红外光谱、拉曼光谱、粘度、表面张力、丁达尔现象和聚沉等光谱和物理化学性质的研究测定,分析了硅在铝酸钠溶液中的行为.认为硅主要是取代Al-O-Al结构中的Al,形成Al-O-Si结构和Al-O-Si-O-Al-O结构等多种形式硅氧铝键以及由氢键相连的大分子结构.这种结构直接影响其物理化学性质,表现为随硅含量增加表面张力增加,粘度上升,具有丁达尔现象等.说明含硅铝酸钠溶液中存在大分子的胶性基团,属于无机高分子溶液,这种网络状"大分子"结构是硅铝酸钠溶液稳定的原因. 相似文献
25.
CO和SCN~-在高分散Pt及Pd表面异常红外光学行为的电化学现场FTIR反射光谱研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在玻碳基底上沉积Pt和Pd,在以CO和SCN-为探针分子的电化学现场FTIR反射光谱研究中,首次观察到异常红外光学行为,其中包括吸附物种的谱带方向倒反以及谱峰强度显著增强等. 相似文献
26.
Influenza A viruses of different subtypes isolated in different years and from differentparts of China were examined for temperature-sensitiveness (ts ) in their early egg passages.The validity of ts character has been confirmed by ti1e results of parallel tests in chickembryos and in cell cultures. From 12 strains of the old H1N1 subtype isolated between1949 and 1957, no ts strain was detected. Two out of 6 strains of new H1N1 isolated afterFebruary 1979 were found to be ts. For the H3N2 subtype, only 8 out of 23 strainsisolated between 1968 and 1978 were ts, but the proportion increased abruptly to 13 out of15 strains isolated in 1979--1980. We also found 6 out of 16 strains of the R2N2 subtypeto be ts. Two H2N2 and one H3N2 strains examined were found to be composed of mixedts and ts~ particles. By rocombination- complementation test against 7 standard ts strains ofWSN virus with known genetic lesions, the ts lesion of the H3N2 strain Hong Kong/8/68was located on the nucleoprotein gene, whereas that of the H1N1 strain Tianjin/78/77 waslocated on the matrix protein gene. 相似文献
27.
采用平衡电负性和相对化学键长对传统距离矩阵进行修正,构建新拓扑指数Nt。结合路径数,建立碳氢化合物、醛、酮和硫醇等化合物在24种极性和非极性色谱柱上的定量结构-色谱保留指数关系(QSRR)模型,23种模型的相关系数大于0.99。模型经留n法交叉检验,显示出良好稳健性和预测能力。模型物理意义明确,表明色谱保留指数可用分子的大小、平衡电负性、支化度和形状等内在结构信息进行有效表征。模型经Needham公式分析,结果显示新指数Nt对保留指数影响最大。借助Hyperchem软件进行对比研究,结果表明拓扑化学法优于量子化学AM1法。 相似文献
28.
柄型金属有机化合物(Ⅴ)——锗桥连茚基及取代茚基锆化合物的合成及催化烯烃聚合 总被引:2,自引:0,他引:2
锗桥连茚及取代茚配体相继与丁基锂及ZrCl4作用, 生成锗桥连茚基及取代茚基锆化合物Me2Ge(2-R1-4-R2-Ind)2ZrCl2[R1= R2= H(1); R1= Me, R2= H(2); R1= Me, R2= Ph(3)]. 化合物 1-3均为内消旋和外消旋异构体的混合物, 通过多次重结晶得到化合物1和2的纯外消旋异构体及化合物3的内消旋异构体. 由元素分析和 1H NMR 谱表征了化合物的分子结构. 研究了在甲基铝氧烷(MAO)的助催化下, 化合物1-3对乙烯和丙烯聚合的催化性能. 由锗桥连茚基化合物1-3得到的聚乙烯的分子量分布比一般茂金属催化剂略宽. 内消旋和外消旋异构体的混合物(3)由于两个催化活性中心不等同而使得到的聚乙烯的分子量分布相当宽. 外消旋异构体1和2催化丙烯聚合得到高等规聚丙烯. 相似文献
29.
30.
邻苯二胺、邻氨基酚的电化学聚合及聚合的膜性质 总被引:6,自引:0,他引:6
邻苯二胺(ODB), 邻氨基酚(OAP)在酸性水溶液中易电聚合, 可形成致密的聚合膜。聚邻苯二胺(PODB)在PH<4时具有电活性, 其氧化还原反应与电变色效应对应。聚邻苯二胺,聚邻氨基酚(POAP)膜电极电位在pH=4~10范围对pH有Nernst响应, 电极系数分别为59mV/pH和57mV/pH。响应时间小于3分钟。PODB, POAP膜能与Ni~(2+), Co~(2+)过渡金属离子形成稳定的聚合络合膜。此膜在碱性介质中具有稳定的循环伏安行为, 膜中的金属离子可被H~+交换。PODB电极的—NH_2基可再修饰引入醌/氢醌功能团。 相似文献