蒽类衍生物的电荷传输性质

以具有较高迁移率的对称取代类蒽的衍生物{2,6-二[2-(4-戊基苯基)乙烯基]蒽,DPPVAnt;2,6-二-噻吩蒽,DTAnt;2,6-二[2-己基噻吩]蒽,DHTAnt}为研究对象,采用密度泛函理论的B3LYP方法,在6-31G(d)的基组水平上研究了三种蒽类衍生物的分子结构、电子结构、重组能和电荷传输积分,采用Einstein关系式计算了室温下的载流子迁移率,并与蒽的相关计算结果进行了比较.DPPVAnt是较好的空穴传输材料,其空穴迁移率为0.49cm2·V-1·s-1;DHTAnt有利于电子传输,其电子迁移率为0.12cm2·V-1·s-1;而DTAnt是一种较好的双极性材料,其空穴迁移率和电子迁移率分别为0.069和0.060cm2·V-1·s-1.计算得到的迁移率与实验结果处于同一数量级.三种蒽类衍生物的电子重组能与蒽的相近,而空穴重组能均大于蒽的空穴重组能,大小顺序为蒽DPPVAntDTAntDHTAnt.这与计算的迁移率结果不一致,说明分子的堆积结构决定材料的电荷传输性质.     

溶液法制备PVP为界面修饰层的红荧烯结晶性薄膜

为了获得低成本、高结晶度的红荧烯薄膜,采用溶液加工的方法和聚合物界面修饰层研究了红荧烯薄膜的性质。首先,通过旋涂方法在Si/SiO₂衬底上先沉积一层聚乙烯吡咯烷酮（PVP）作为界面修饰层,利用偏光显微镜（POM）、原子力显微镜（AFM）研究了PVP层表面形貌及粗糙度。接着在PVP上滴涂红荧烯溶液后固化烘干,制备红荧烯晶体薄膜,研究了不同PVP浓度和不同成膜温度下界面修饰层对红荧烯表面形貌的影响。然后,利用X射线衍射（XRD）表征对比研究了薄膜的微观结构。最后,分析了红荧烯晶体薄膜的生长机制。实验结果表明：80~140℃及低浓度的PVP条件下能得到结晶度高、连续的红荧烯球晶,并且温度升高时,球晶尺寸变大。PVP作为界面修饰层有利于改善红荧烯的成膜性,制备高结晶度的晶体薄膜。     

Fe3O4纳米粒子对P3HT:PCBM电池的影响

为了提高太阳能电池的性能,研究磁性纳米粒子在外加磁场的作用下对聚合物太阳能电池有源层P3HT:PCBM成膜及太阳能电池性能的影响。本文采用热分解法制备了磁性Fe₃O₄纳米粒子,将不同质量分数的Fe₃O₄纳米粒子掺入到P3HT:PCBM溶液中,旋涂后在外加磁场的作用下自组成膜。通过TEM、XRD对制备的Fe₃O₄纳米粒子进行表征,并利用偏光显微镜、原子力显微镜对成膜质量进行探究。结果表明,采用热分解法制备的Fe₃O₄纳米粒子直径在10 nm左右,在外加磁场作用下,Fe₃O₄纳米粒子对成膜有一定的调控作用。当Fe₃O₄纳米粒子掺杂质量分数为1%时,太阳能电池器件的开路电压增加3.77%,短路电流增加24.93%,光电转换效率提高7.82%。     

基于三氯化铁催化作用制备大尺寸氧化石墨烯薄膜

本文用三氯化铁(FeCl₃)作催化剂制备了大面积的氧化石墨烯(L-GO)薄膜。 通过原子力显微镜(AFM)、偏光显微镜(POM)、红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)对FeCl₃催化剂存在下,不同温度和时间得到的L-GO薄膜进行形貌和结构研究。 结果表明,在 FeCl₃催化下L-GO薄膜片畴的面积为10 μm×10 μm,与无催化作用得到的GO薄膜相比增加了大约4倍。 从FTIR和XRD分析可以确定,大尺寸片畴的形成可以归因于催化作用促进了氧化石墨上的羟基、羧基、羰基等含氧官能团重新组合和连接。 据此,提出了FeCl₃催化下L-GO薄膜形成模型,为制备大面积石墨烯薄膜提供了新的途径。     

用三线摆研究垂直轴定理

用三线摆对刚体薄圆盘绕不同轴转动时的转动惯量进行测量,通过实验与数据分析,验证了反映刚体转动惯量重要性质的垂直轴定理,从而实现了对刚体转动惯量实验内容的扩充.     

多种含硫溶液钝化(100)GaAs表面的实验研究

为实现GaAs表面的钝化,以Na2S、(NH4)2S、CH3CSNH2为主要研究对象,通过对比实验研究得出较为理想的湿法钝化液。通过光致发光(PL)谱研究了(NH4)2S 叔丁醇、CH3CSNH2 NH4OH、CH3CSNH2 叔丁醇三种不同含硫溶液钝化(100)GaAs表面后的发光特性。PL谱测试发现,(NH4)2S 叔丁醇饱和溶液处理过的(100)GaAs表面光致发光强度最强,PL谱的相对发光强度是未做钝化处理的10倍左右。因此得出(NH4)2S 叔丁醇饱和溶液是较为理想的(100)GaAs表面钝化液。     

光-碱双重可降解阳离子表面活性剂的合成与性能

以香草醛、溴代十二烷、硝酸等为原料,通过O-烷基化、硝化、还原、酯化、成盐五步反应,合成了一种含邻硝基苄酯的可光-碱双重降解的吡啶盐阳离子表面活性剂.中间体与目标产物都进行了1H NMR结构表征;所得阳离子表面活性剂的临界胶束浓度(CMC)值约为0.3 mol·L-1.以该表面活性剂为乳化剂,进行苯乙烯乳液聚合可以得到稳定的乳液,表明该表面活性剂具有良好的乳化性能.将乳液进行紫外光照2h,可明显观察到乳液破乳并变色.经光降解测试证实该表面活性剂可在光作用下降解;发泡测试表明该表面活性剂具备一定的发泡性能;pH降解测试表明表面活性剂可在pH为7～9下实现碱降解.     

腹腔镜手术联合药物治疗子宫内膜异位症的临床疗效分析

目的评价腹腔镜手术联合药物治疗子宫内膜异位症的临床疗效。方法选取东莞市第三人民医院于2015年1月至2017年1月收治的150例子宫内膜异位症患者,按随机盲选法分为两组,对照组75例给予腹腔镜手术治疗,观察组75例给予腹腔镜手术联合药物治疗,对比两组临床治疗效果。结果在治疗总有效率方面,观察组为94.67%,明显要比对照组的70.67%高,两组数据差异有统计学意义(P<0.05)。在不良反应发生率方面,观察组为5.33%,明显要比对照组的22.67%低,两组数据差异有统计学意义(P<0.05)。结论对于子宫内膜异位症患者,采取腹腔镜手术联合药物进行治疗,具备显著疗效,能够降低不良反应发生率,因此,值得在临床中采纳及应用。     

水溶性CdTe量子点荧光法测定青霉素的研究

以巯基乙酸为稳定剂合成水溶性CdTe量子点(QDs),利用CdTe QDs荧光猝灭-恢复技术,建立了一种测定青霉素的新方法。考察了不同缓冲溶液、pH值、Co2+浓度等因素对体系的影响。结果表明,在pH=10的硼砂缓冲溶液中,Co2+能猝灭CdTe QDs的荧光,体系中加入青霉素后,CdTe QDs的荧光得到恢复且恢复强度与青霉素的浓度呈良好的线性关系,方法的线性范围为2.0×10-5~1.0×10-4 mol/L,检出限为2.2×10-6 mol/L,应用于实际样品测定,结果较好。     

高热导率Si3N4陶瓷的高压合成及性能研究

在高温高压条件下(HPHT,4 ～5 GPa,1430 ～1530℃),采用高压烧结技术,利用Y2O3、MgO作为烧结助剂,通过和不同质量配比的氮化硅(a-Si3N4,β-Si3N4)粉体复合,制备了具有高热导率和高致密性的Si3N4陶瓷.本实验采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱EDS、热导率测定仪、维氏硬度计对样品进行了分析和表征,研究了压强、烧结温度、保温时间对热导率和致密性的影响.结果 表明:超高压条件有效降低了烧结温度,缩短了烧结时间.当烧结条件在5 GPa,1490℃,1h时,其硬度为16.5 GPa,此时β-Si3N4复合陶瓷的致密化最优,气孔率(0.26;)和晶格缺陷显著改善.研究发现适当的延长烧结时间可以促进晶粒正常长大,同时产生较高的热导率,最高可达到64.6W/(m· K).