镧系和锕系元素在离子液体中电化学行为研究进展

在核燃料后处理中,离子液体作为“新一代绿色溶剂”可以替代强腐蚀性的高温熔盐用于干法后处理电解回收金属离子。本文总结了近年来国内外在离子液体中锕系和镧系元素的电化学行为。通过对比各研究结论的异同,评述了几类离子液体作为电解液电沉积金属及合金薄膜的优劣势。展望了离子液体作为电解液进行镧锕分离实现提取铀和钚的研究前景和目前需要解决的问题。     

镧系和锕系元素在离子液体中电化学行为研究进展

在核燃料后处理中,离子液体作为"新一代绿色溶剂"可以替代强腐蚀性的高温熔盐用于干法后处理电解回收金属离子。本文总结了近年来国内外在离子液体中锕系和镧系元素的电化学行为。通过对比各研究结论的异同,评述了几类离子液体作为电解液电沉积金属及合金薄膜的优劣势;展望了离子液体作为电解液用于镧系和锕系元素分离实现提取铀和钚的研究前景和目前需要解决的问题。     

微量稀土La和Y在铜中的分布及对电导性的影响

研究了两种稀土金属La、Y的不同添加量和不同退火温度对纯铜性能的影响以及它们在铜中的分布。结果表明：添加适当的稀土可提高纯铜的电导率，无论Y还是La最佳添加量均为0．05wt％，且稀土Y的效果更好；退火温度对不同含量的Cu—RE合金的电导率影响有所不同，Cu—Y合金的电导率随退火温度的升高而升高；Cu—La合金退火后的电导率波动比较大；铸态纯铜的硬度随稀土的增加而增加。稀土与铜形成化合物，呈颗粒状分布在晶内，晶界处也有稀土富集。     

牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管P型接触影响的研究术

本文通过在硅衬底发光二极管（LED）薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2：O2=4：1的气氛中、400℃-750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Nj覆盖层之后制备Pt／p-GaN欧姆接触层．实验结果表明：退火温度和Ni覆盖层厚度均对硅衬底GaN基LED薄膜P型欧姆接触有重要影响,Ni覆盖退火能够显著降低P型层中Mg受主的激活温度．经牺牲Ni退火后,P型比接触电阻率随退火温度的升高呈先变小后变大的规律,随Ni覆盖层厚度的增加呈先变小后变大随后又变小的趋势;经过优化后,当Ni覆盖层厚度为1．5nm,退火温度为450℃,Pt与p-GaN比接触电阻率在不需要二次退火的情况下达到6．1×10^-5Ω·cm。．     

牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在硅衬底发光二极管(LED)薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N₂ ∶O₂=4 ∶1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni覆盖层之后制备Pt/p-GaN欧姆接触层.实验结果表明:退火温度和Ni覆盖层厚度均对硅衬底GaN基LED薄膜p型欧姆接触有重要影响,Ni覆盖退火能够显著降低p型层中Mg受主的激活温度.经牺牲Ni退火后,p型比接触电阻率随退火温度的升高呈先变小后变大的规律,随Ni覆盖层厚度的增加呈先变小后变 关键词： 氮化镓 发光二极管 牺牲Ni退火 p型接触     

辐射诱发体内旁效应特征的研究进展

大量的细胞生物学研究显示, 辐射诱发旁效应的传输信号包括活性氧自由基（ROS）、 一氧化氮自由基（NO）以及一些细胞因子。 近年来,越来越多的文献报道关于体内旁效应特征的研究, 并已经证实在生物体内辐射诱导的旁效应不仅能发生在相邻组织, 还可发生在远源器官。这些体内旁效应包括DNA损伤、表观遗传学改变、miRNA及基因表达改变、 细胞增殖和凋亡等。 为了总结和分析辐射诱发体内旁效应的特征, 本文综述了辐射诱发体内旁效应的特点, 包括其与性别、 传播途径、辐射品质的关系以及相关机制的研究。 Radiation induced bystander effect is defined as the induction of damage in neighboring non hit cells by signals released from directly irradiated cells. ROS, NO and cytokines are involved in signaling pathways of bystander effects. Recently, the bystander effects in vivo have been reported more and more. It has been indicated that radiation induced bystander effect was localized not only in bystander tissues but also in distant organs. This effect includes many biological endpoints such as DNA damage, epigenetic, miRNA and gene expression changes, cell proliferation and apoptosis. In this review we described different aspects of ionizing radiation induced bystander effects such as its characteristics, sex specific, signaling transfer, dose and LET dependence, and related mechanisms.     

关于一道研究生入学考试线性代数题的探讨

从2020年全国硕士研究生入学考试的一道线性代数题的解法出发,考虑了一个更一般的关于矩阵特征多项式的问题,并对该问题给出了回答.     

硅基板和铜基板垂直结构GaN基LED变温变电流发光性能的研究

本文将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜剥离转移到新的硅基板和紫铜基板上,并获得了垂直结构的LED芯片,对其变温变电流电致发光(EL)特性进行了研究. 结果表明:当环境温度不变时,在13 K低温状态下铜基板芯片的EL波长始终大于硅基板芯片约6 nm,在300 K 状态下随着驱动电流的加大铜基板芯片的EL波长会由大于硅基板芯片3 nm左右而逐渐变为与硅基板芯片重合;当驱动电流不变时,环境温度由13 K升高到320 K,两种基板芯片的EL波长随温度升高呈现S形变化并且波谱逐渐趋于重合;在100 K以下温度时铜基板芯片的Droop效应比硅基板芯片明显,在100 K 以上温度时硅基板芯片的Droop效应比铜基板芯片明显. 可能是由于两种芯片的基板具有不同的热膨胀系数和热导率导致了其变温变电流的EL特性不同. 关键词： GaN 热膨胀系数 内量子效率 热导率     

ECR氧离子源及整体分离环RFQ加速器低能输运系统的研制

根据研制分离作用RFQ和升级改造1MeV ISR RFQ的需要,设计了一台ECR 0+离子源及低能输运(LEBT)系统.低能输运系统使用2个静电透镜聚焦柬流,在引出电压22kV时,EBT末端得到6mA以上总脉冲束流、束流归一化均方根发射度为0.127πmm.mrad.束腰可前后移动160mm.     

从“范希尔理论”观几何概念的有效生成——以《棱柱、棱锥、棱台》为例

新课改实施的背景下,高中阶段对几何学学习的要求愈来愈高,在教学中需引导学生经历直观感知、操作确认、思辨论证等思维过程,来构建逻辑谨严、层次明晰的几何思维结构.并将范希尔几何思维理论作为探索立体几何的理论基础,在理论内容与课时内容相生相成的过程中,构拟凸显几何学习本质的教学设计,实现提升学生多重几何思维能力的高水平目标.