西咪替丁与氯醌酸荷移反应的研究

研究了西咪替丁与氯醌酸的荷移反应。确定了形成电荷转移络合物的最佳反应条件。在丙酮介质中,电子给体西咪替丁与电子受体氯醌酸于室温下可形成1：1的荷移络合物,络合物的最大吸收波长为516.6nm;表观摩尔吸光系数ε=2.22×103L.mol-1.cm-1;线性范围为6.8—112.0μg/mL;相关系数r为0.9995;并对形成荷移络合物的反应机理进行了探讨,并应用拟定的方法对样品西咪替丁片剂进行了含量测定,回收率为99.44%—100.20%;RSD为1.3%。     

线性扫描伏安法测定丹参酮ⅡA

应用线性扫描伏安法和循环伏安法研究丹参酮ⅡA在悬汞电极上的电化学行为。在pH 3.8的0.2mol·L~（-1）乙酸-乙酸钠缓冲溶液中,丹参酮ⅡA在-0.228V（vs.Ag/AgCl）处产生一灵敏的还原峰,丹参酮ⅡA浓度在5.0×10~（-6）～2.0×10~（-5）mol·L~（-1）范围内,其线性扫描还原峰电流与...     

铕离子掺杂的钼酸镉红色荧光粉的合成与光谱性质

为了优化荧光粉合成工艺条件,本文以Cd(NO3)2.4H2O和Na2MoO4.2H2O为原料,采用沉淀法制备Eu3+掺杂的CdMoO4微纳米颗粒。在300℃下,分别对样品保温1 h,3 h,5 h,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、红外光谱(IR)、荧光光谱分析(PL)对样品进行了表征。XRD分析结果表明产物为纯白钨矿型纯四方相CdMoO4。固定发射波长在615 nm,样品激发波长在333 nm左右出现最强锋,在534 nm、464 nm、394 nm处的锐激发谱线分别对应Eu3+的7F0→5D1、7F0→5D2、7F0→5L6的跃迁,在333 nm光激发时,主发射峰位于615 nm附近,归属于5D0→7F2能级跃迁发射,而位于589 nm附近的弱发射峰归属于5D0→7F1跃迁。     

PVD改性RB-SiC表面缺陷研究

为获得高表面质量的PVD改性RB-SiC反射镜,解决实际加工中出现的表面缺陷问题,对缺陷的形成机理及处理方法进行了研究。根据Preston假设设计相关试验,推测表面缺陷是由于PVD改性层中的大颗粒结晶受到较大冲击,从而使大颗粒结晶剥落而非对其产生磨削作用而产生的。试验表明:过高的抛光速度或过高的抛光压力会造成改性层表面缺陷的产生,调整抛光的相对速度及抛光压力等关键工艺参数,可在保持抛光效率的同时有效减少和避免表面缺陷问题的产生。经试验验证,当表面缺陷产生后,通过选择适当的相对速度和抛光压强,改性层去除0.7 m～1 m后,可有效修复缺陷,并且无新的表面缺陷产生。     

工件优先级图为非连接图且含环的单机总加权拖期调度问题

为满足实际生产环境对工件加工顺序和工件到达时间的要求,提出了具有新特征的单机总加权拖期调度问题,其特点体现在:工件有动态到达时间,且由工件优先级关系构成的优先级图为非连接图且存在环的情况,对该问题建立数学规划模型,在扩展Tang和Xuan等的基础上,提出了结合双向动态规划的拉格朗日松弛算法求解该问题。在该算法的设计中,提出双向动态规划算法求解拉格朗日松弛问题,使得它可处理优先级图中一个工件可能有多个紧前或紧后工件的情况,采用次梯度算法更新拉格朗日乘子,基于拉格朗日松弛问题的解设计启发式算法构造可行解。实验测试结果显示,所设计的拉格朗日松弛算法能够在较短的运行时间内得到令人满意的近优解,为更复杂的调度问题的求解提供了思路。     

低散射非偏振依赖的聚合物/液晶光栅

了降低聚合物/液晶光栅的散射损失,并消除光栅的偏振依赖性,选取了低官能度的光敏单体作为反应体系,并逐步提高光栅的制备温度。首先选用五官能度的DPHPA （dipentaerythritol hydroxyl pentaacrylate）、双官能度的PDDA（ phthalic diglycol diacrylate）以及单官能度的NVP （N-vinylpyrrolidone）作为反应体系;其次,在制备过程中在光栅的后面放置加热台,逐步提升制备温度。实验结果表明:当制备温度上升到62 ℃以上,光栅有更多（36%）的液晶析出,相分离比常温下制备时要更完全一些,而且高温下制备的光栅其平整度更高,从而使光栅的散射损失比常温下减小了66.7%,器件的SEM图片也进一步证明了这个结论。同时高温制备也消除了液晶光栅的偏振依赖特性。     

微结构表面热辐射光谱特性的分析方法

微结构表面热辐射光谱特性研究分析的一个主要问题在于表面微结构复杂的空间自由度以及计算方法.针对以上问题本文建立了任意微结构表面的物理模型,基于电磁波理论给出了微结构表面热辐射满足的麦克斯韦方程组.将时域有限差分方法(FDTD)用于麦克斯韦方程组的离散求解,引入场分离处理方法,直接计算提取反射场量,进而采用坡印廷定理计算得到能流以及光谱特性.最后,分别计算了随机微结构表面和微腔表面的热辐射光谱特性,并与相关文献的实验以及计算结果进行了比较.     

磁流体结构的Lattice-Boltzmann方法模拟

本文运用Lattice-Boltzmann(LB)方法建立了宏观静止磁流体模型,提出磁性聚集体概念,充分考虑了磁性颗粒受到的各种内力与外力包括重力、布朗力、vanderWaals相互作用及静磁相互作用,对无外加磁场及外加竖直均匀磁场时磁流体的结构进行了模拟,并分析了磁能与热能之比对磁流体系统中粒子分布形态的影响。模拟结果表明:无外加磁场时磁流体结构易失去稳定性,外加均匀磁场时磁流体粒子沿外磁场方向排列,随着磁热能比例的增大,外磁场对粒子分布的影响逐渐明显。     

含氟基团对液晶垂直排列的作用

实验发现双酚A双肉桂酸酯和六氟双酚A双肉桂酸酯单体在线偏振紫外光作用下发生光交联,形成的薄膜对液晶分子的排列效果截然不同,分别诱导液晶分子沿面平行排列和垂直排列.红外光谱分析表明光交联的类型均为[2+2]环加成反应.利用原子力显微镜观察薄膜表面,没有发现明显的各向异性拓扑分布.通过测量非含氟和含氟两种交联膜的表面能大小,发现氟的引入使薄膜的表面能降低,同时表面能中的极性作用明显降低.实验结果表明,氟基团的引入导致液晶分子垂直排列.本文探讨了这种垂直排列的原因.     

确定多孔介质流动参数的格子Boltzmann方法

本文采用D2Q9不可压缩Lattice-Boltzmann模型模拟了多孔介质中的流场,该模型从介观层次上描述了多孔介质孔隙中的流动特性,验证了Darcy定律,给出了一种计算渗透率的简便方法,本文还运用图像处理方法来构造多孔介质,该方法构造的二维多孔介质能较好地体现实际多孔介质的几何特征。