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For approximate wave functions, we prove the theorem that there is a one‐to‐one correspondence between the constraints of normalization and of the Fermi–Coulomb and Coulomb hole charge sum rules at each electron position. This correspondence is surprising in light of the fact that normalization depends on the probability of finding an electron at some position. In contrast, the Fermi–Coulomb hole sum rule depends on the probability of two electrons staying apart because of correlations due to the Pauli exclusion principle and Coulomb repulsion, while the Coulomb hole sum rule depends on Coulomb repulsion. We demonstrate the theorem for the ground state of the He atom by the use of two different approximate wave functions that are functionals rather than functions. The first of these wave function functionals is constructed to satisfy the constraint of normalization, and the second that of the Coulomb hole sum rule for each electron position. Each is then shown to satisfy the other corresponding sum rule. The significance of the theorem for the construction of approximate “exchange‐correlation” and “correlation” energy functionals of density functional theory is also discussed. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. Int J Quantum Chem, 2007 相似文献
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应用七级目测法对浙江中部地区27个夏熟作物田样点的杂草进行了优势等级调查,将所得数据转换成重要值,以杂草在27个样点中的重要值为运算指标,应用主成分分析法和图论聚类中的最小生成树法,对24种杂草的生态学相似性进行了比较,指出了长期使用单一的除草剂导致农田杂草种群迅速更迭的原因:杂草对除草剂的敏感性差异及不同杂草间的生态学特性的差异。 相似文献
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用密耦近似方法计算了He和N2体系的微分截面和总截面及转动激发分波截面,得出微分截面及总截面随入射能量变化的规律. 相似文献
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文章详细描述了航空兵机场塔台辅助指挥系统之通信分系统设计的特点与功能、硬件结构、软件设计原则以及接口通信协议等问题。该分系统设计已在航空兵塔台辅助指挥系统研究中得到应用 ,并达到了良好的控制效果。 相似文献
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利用Harris模型,通过求解等离子体平衡方程,计算俘获粒子份额,分别对常规剪切和中心负剪切下tokamak中的自举电流的大小和剖面准直性进行了计算和分析.自举电流分布与等离子体平衡电流分布之间的剖面准直性可以通过调整等离子体的密度、温度和电流分布参数,以及描述等离子体形状的拉长度k和三角变形因子d来获得.中心负剪切位形有利于自举电流产生,并有好的剖面准直性.通过计算比较,分别在常规剪切位形下和中心负剪切位形下获得了一组优化的等离子体参数,在这组参数下,自举电流有较大的份额和好的剖面准直性
关键词:
tokamak
自举电流
剖面准直性 相似文献
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氮化铝薄膜的光学性能 总被引:5,自引:4,他引:1
分别使用X衍射仪和紫外(190 nm~800 nm)分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC(001)基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明:实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致.透射谱表明:AIN薄膜的禁带宽度大约为6.2eV;而其对应的吸收谱在6.2eV处存在一个明显的台阶,此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生,忽略激子的结合能(与禁带宽度相比),则该值就对应为AIN的禁带宽度.而其对应的不同温度下(10 k~293 k)的吸收谱的谱线的形状和位置无明显的变化表明:温度对AIN薄膜的禁带宽度亦无明显的影响,这主要是由于在AIN薄膜中存在着应力所致. 相似文献
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合成了两种新型噻吩基卟啉-5,15-二(2-噻吩基)-2,8,12,18-四乙基-3,7,13,17-四甲基卟啉7a(45.1%)和5,15-二(2-联噻吩基)-2,8,12,18-四乙基-3,7,13,17-四甲基卟啉7b(61.2%),并研究了它们的光谱性质,其中荧光光谱的最大发射峰蜂都在631nm处,量子产率分别为4.1%(7a)和1.4%(7b)。 相似文献