C59N单分子整流器

通过将单个C59N分子置于双势垒隧道结中，从而利用单电子隧穿效应和C59N分子的特殊能级结构，我们成功地实现了一种新型的单分子整流器件．实验中这个整流器件的正向导通电压约为0．5-0．7V，反向击穿电压约为1．6—1．8V．理论分析表明，中性C59N分子的半占据费米能级以及在不同充电情况下费米能级的不对称移动是形成整流效应的主要原因．其构成原理也决定了该器件具有稳定、易重复的特点．     

目标函数扰动的集值优化问题的稳定性

本文研究了由目标函数扰动的集值优化问题的有效点集所定义的集值映射的半连续性.讨论了目标函数扰动的集值优化问题在上半连续意义下的稳定性.特别地,在广义适定性条件下,证明了集值优化问题在上半连续意义下的稳定性.     

碳化硅压腔和高压下的中子衍射

使用宝石级碳化硅晶体作为压砧材料，成功研制出了碳化硅压腔（MAC），并应用全景式MAC进行了高压下物质的中子衍射实验研究。结果表明，MAC是一种既能产生高的压力又具有大的高压样品室的装置，特别适合于高压下的中子衍射研究。     

过量Zn对β-Zn4Sb3热电性能影响的研究

采用真空熔融缓冷方法制备了单相β-Zn4Sb3以及含有过量Zn的β-Zn4Sb3块体热电材料.在300—700K的温度范围内测试了材料的电导率、Seebeck系数和热导率,研究了β-Zn4Sb3化合物中过量Zn的分布状态及其对材料热电性能的影响规律.结果表明：过量的Zn作为第二相较均匀的分布在β-Zn4Sb3的晶界上,随着Zn含量增加,材料电导率和热导率上升,Seebeck系数下降,Zn第二相的引入能有效提高材料的功率因子,Zn过量2at%的材料在700K时其ZT值达到1.10.     

乙烷对冲扩散火焰中PAHs的生成

本文使用详细的化学反应机理模拟了C2H6／O2／N2／AR层流对冲扩散火焰中多环芳烃的生成动力学过程。反应机理包括96种组分的502个基元反应。通过数值计算分析了层流对冲火焰的结构和主要反应物、中间物质和反应产物的浓度变化,并与相关文献的实验结果进行了比较。结果表明,数值模拟在燃烧过程和PAH生成规律上与实验结果是一致的,但在某些组分的定量预报上存在一定的差别。     

不同波长激发下YLiF_4∶Er~(3+),Tm~(3+),Yb~(3+)的发光

水热法合成了YL iF4∶Er3 ,Tm3 ,Yb3 ,其中Er3 、Yb3 和Tm3 的摩尔分数分别为1%、1.5%和2%。当用355 nm光激发时,其发光为蓝色,峰值位于450 nm,对应于Tm3 的1D2→3F4跃迁。用378 nm激发时,发光为绿色,主要发光峰位于552 nm。980 nm光激发时,发光为白色,发光峰分别位于665(651),552(543),484,450 nm处,并在648 nm处还观察到了一个发光峰,其中最强的发射为红光。YL iF4∶Er3 ,Tm3 ,Yb3 的蓝光来源于Tm3 的激发态1G4到基态3H6的跃迁,绿光来源于Er3 的4S3/2和2H11/2到基态4I15/2的跃迁,红光既来源于Tm3 的1G4→3F4的跃迁,也来源于Er3 的4F9/2→4I15/2的跃迁。在上转换发光中,还探测到了紫外光359 nm的发射。监测665 nm得到的激发光谱不同于监测552 nm的激发光谱,在665 nm的激发光谱中出现了对应Tm3 的1G4能级的峰。在双对数曲线中,蓝光484 nm、绿光552 nm和红光665 nm的斜率分别为2.25、2.28和2.21,紫外光359 nm的斜率为2.85。因此在980 nm激发下,蓝光484 nm、绿光552 nm和红光665 nm都是双光子过程,紫外光359 nm的发射是三光子过程。     

光束偏转法自动测试激光等离子体冲击波系统的研制

根据光束偏转原理，研制了激光等离子体冲击波自动测试系统的硬件和软件。该系统使用计算机与可编程序控制器作为上下位机，采取上下位机通讯的方式控制步进电机及二维移动架的移动，以改变探测光的相对位置，并利用单模光纤和光电倍增管将探测到的光偏转信号传入数字示波器进行存储，最后计算机将示波器中采集到的光偏转信号进行分析处理。使用该系统对激光等离子冲击波的衰减过程进行了实际测试，得到了较为理想的实验结果。     

瑞香狼毒防治仓储害虫活性物质的研究

瑞香狼毒 (ＳｔｅｌｌｅｒａｃｈａｍｅｊａｓｍｅＬ .)又名断肠草 ,为瑞香科狼毒属植物。瑞香狼毒在我国大部分地区均有分布 ,盛产于四川、河北、山西等地。其性苦、平、辛、有毒 ,有逐水、祛痰、破积、杀虫之功效。据文献报道 ,瑞香狼毒除了可作为中药外 ,还可以用来防治菜青虫、蚜虫、松毛虫 ,甚至可以用来杀蚊、驱蝇、灭蛆等。作者前期工作曾以瑞香狼毒根为材料 ,初步研究了根及根粉粗提物对米象、玉米象、谷蠹的防治效果。发现瑞香狼毒对米象、玉米象、谷蠹等仓储害虫均有较好的防治功效[1] 。本文以米象为试虫 ,以生物活性跟踪法对瑞…     

Patterned uniformly orientated silicon nanocrystallite films and efficient field emission characteristics

Patterned uniformly (100)-orientated silicon nanocrystallite (SiNC) films were fabricated based on hydrogen ion implantation technique and typical electrochemical anodic etching method. The surface morphology and microstructure characteristics of the films were characterized by scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, X-ray diffraction, and atomic force microscopy. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.2 V/μm at current density of 0.1 μA/cm² was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1 mA/cm² under a bias field of about 11 V/μm. The experimental results demonstrate that the SiNC films have great potential applications for flat panel displays.     

Effect of Nuclear Binding Energy to K Factor

We modify the square of virtual photon four-momentum by using nuclear binding energy formula, and calculate the effect of nuclear binding energy to K factor and Compton subprocess and annihilate subprocess in A-A collision Drell-Yan process. The outcome indicates that the effect of nuclear binding energy to K factor is obvious in little x region and it would disappear gradually as x increases.