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691.
随着声呐检测能力的提高,多目标干扰下微弱信号的检测问题日益突出。当声呐方位历程显示上出现多个干扰轨迹时,弱目标的检测显得十分困难。自适应噪声抵消(Adaptive Noise Canceling,ANC)技术为抑制多个干扰提供了理论基础,但是求解稳态最佳滤波矩阵存在着技术实现上的困难。本文提出用一种反波束成形(Inverse Beamforming,IBF)递推算法,在阵元域逐一抵消多个强干扰,从而增强并提取出微弱目标信号。文中给出了递推求解由逆矩阵所表达的最佳滤波矢量的理论推导和相应的公式。利用IBF算法处理海试数据得到了较好的结果,显著改善了强干扰下对微弱信号的检测,甚至在普通波束成形(CBF)中未能显示出来的信号都可以被检测出来。 相似文献
692.
广义Bernoulli数和广义高阶Bernoulli数 总被引:17,自引:1,他引:16
雒秋明 《纯粹数学与应用数学》2002,18(4):305-308
定义了广义Bernoulli数和广义高阶Bernoulli数,建立了它们的递推公式和有关性质,从而推广了Bernoulli数和高阶Bernoulli数。 相似文献
693.
电场对Au—Ag薄膜结构影响的AFM和VAXPS研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用原子力显微镜(AFM)和变角X射线光电子谱(VAXPS)技术研究了Au-Ag/SiO2体系在直流电场作用下,Au,Ag电迁移的特点及所引起的薄膜结构的变化,观察到较低温度下Au,Ag聚集状态的显著变化,发现电迁移过程中Au-Ag薄膜与SiO2基底之间存在界面化学反应,膜层中Au,Ag,Si等元素的化学状态发生了相应的变化,这些结构表明SiO2表面上Au-Ag复合薄膜电迁移不只是一个水平方向的扩 相似文献
694.
本文介绍了一种稳定火焰和强化燃烧的新型空气动力学原理——大速差同向射流技术。单股或多股高速小射流(空气、蒸汽或其它气体)与低速的主气流(燃料和空气混合物)同方向射入燃烧室,可以产生高湍流强度的大回流区,从而可以使可燃混合物与高温回流烟气有效地混合,以维持燃烧室内稳定而强化地燃烧,甚至对于着火性能很差的燃料也是如此。这是继传统的旋流燃烧器和钝体燃烧器之后又一种新型的有效而实用的火焰稳定方法。基于这种原理研制的煤粉燃烧器更具有优良的性能,并且在结构上也很简单。这种类型的煤粉预燃室,已经在电站和工业锅炉上安装使用。目前,使用这种预燃室可以在冷风条件下成功地启动贫煤(Vf<15%,Af>30%)锅炉及低负荷情况下仍能维持燃烧。这项新技术所展示的火焰稳定和强化燃烧原理在燃烧界引起了广泛的关注和兴趣。 相似文献
695.
696.
697.
我们对Y1-xPrxBa2Cu3O7(x=0.2,0.45,0.6)样品的比热进行了研究,发现在这个系统中比热线性项系数非常大,呈现出重费米子的特征,并且不同温区其数值亦不同.比热的结果表明Pr离子在这个系统中基本上处于+3价.对实验数据进行了仔细分析,我们认为比热线性项增大是源于Pr离子掺入后这个系统中出现了Kondo效应以及由此而产生的空穴局域态,也正是局域态的出现,导致了金属绝缘体转变,同时导致了超导电性的破坏. 相似文献
698.
699.
The adaptive coupled synchronization method for non-autonomous systems is proposed. This method can avoid estimating the value of coupling coefficient. Under the uniform Lipschitz assumption, we derive the asymptotical synchronization for a general coupling ring network with N identical non-autonomous systems~ even when N is large enough. Strict theoretical proofs are given. Numerical simulations illustrate the effectiveness of the present method. 相似文献
700.
Effect of Trimethyl Aluminium Surface Pretreatment on Atomic Layer Deposition Al2O3 Ultra-Thin Film on Si Substrate 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Ultra-thin Al2O3 dielectric films have been deposited on Si substrates by using trimethyl aluminium (TMA) and water as precursors in an atomic layer deposition (ALD) system. Growth of the interracial layer between ultra-thin Al2O3 and the Si substrate is effectively suppressed by a long-time TMA surface pretreatment of the Si substrate prior to A1203 atomic layer deposition. High resolution transmission electron microscopy (TEM) images show that the thickness of the interracial layer is reduced to be 0.5nm for the sample with TMA pretreatment lasting 3600s. The x-ray photoelectron spectroscopy results indicate that the A1203 film deposited on the TMApretreated Si surface exhibits very good thermal stability. However, a hysteresis of about 50mV is observed in the C- V curve of the samples with the TMA pretreatment. 相似文献