L~2空间中的Bernstein─Markov不等式及其最佳常数（Ⅱ）

继［１５］．本中考虑了带不同权函数空间中的Ｂｅｒｎｓｔｃｉｎ－Ｍａｒｋｏｖ不等式，给出了其最佳常数；最后还得到相应的反向Ｂｅｒｎｓｔｃｉｎ－Ｍａｒｋｏｖ不等式．     

基于Jacobi多项式零点的Grünwald插值算子

本文考虑基于一般Jacobi多项式J_n~(α,β)(x)(—1<α,β<1)零点的Grnwald插值多项式G_n(f,x);主要证明了G_n(f,x)在(—1,1)内几乎一致收敛于连续函数f(x),并给出了点态逼近估计;拓广和完善了文献[1,2]的结果。     

S-M（M=Al,Co）复合掺杂LiMn2O4的结构稳定性

应用量子化学电荷自洽离散变分Xα(SCC-DV-Xα)方法,研究了S-Al、S-Co复合掺杂增强尖晶石结构锂锰氧化物稳定性的作用机制.计算结果表明, S-Al复合掺杂锂锰尖晶石和S-Co复合掺杂锂锰尖晶石中的共价键强度均比未掺杂尖晶石LiMn2O4中的强,且与MnO2中的共价键强度相近; S-Al, S-Co复合掺杂尖晶石中Mn的电荷也与MnO2模型[Mn6O26]28－中十分接近. Mn原子的电荷密度次序是MnO2≈掺硫铝后锰锂尖晶石≈掺硫钴后的锂锰尖晶石< 锰锂尖晶石.即[LixMn3Co3O20S6]n－和[LixMn3Al3O20S6]n－中Mn的状态与MnO2中的Mn相似.上述结果揭示了S和非Jahn-Teller效应阳离子（Al3＋,Co3＋）复合掺杂尖晶石结构锂锰氧化物在电化学过程中不会发生Jahn-Teller畸变的内在原因.     

低价钛在有机合成中的应用新进展

主要综述了近年来低价钛诱导的McMurry反应在有机合成中的应用新进展.     

阻抗管内非标准尺寸样品的正入射吸声系数测量

针对尺寸显著小于阻抗管横截面的非标准尺寸样品,提出了一种阻抗管内非标准尺寸样品的正入射吸声系数测量方法,分析了其参数对测量结果的影响,并与标准尺寸样品(与阻抗管横截面相同)比较。首先在其旁布置一种具有特定声阻抗的同厚度的声学材料(PAM),形成与阻抗管横截面相同的表面平整的非连续阻抗试件(IAIS),然后根据GB/T 18696.2—2002测得IAIS表面声阻抗,并基于声电类比法计算得到非标准尺寸样品的表面声阻抗及其正入射吸声系数。结果表明,非标准尺寸样品的面积率越大或声扩散边界长度越小,该方法精度越高;当非标准尺寸样品为多孔材料时,选择非刚性的、声阻抗与之接近的PAM也可提高测量精度;而非标准尺寸样品为共振吸声结构时,选择刚性PAM时,本文方法仍具有一定精度。     

聚酰亚胺碳分子筛气体分离膜的研究进展

聚酰亚胺碳分子筛膜由于具有较高的热稳定性、耐化学性、气体渗透性和选择性,而受到广泛关注。根据近年来聚酰亚胺碳分子筛膜在气体分离方面的研究现状,详细介绍了填充改性、对前驱体进行预处理和聚酰亚胺单体改性的研究成果,并展望了聚酰亚胺碳分子筛分离膜的发展趋势,以期为未来高效分离膜的研发提供参考。     

负性光敏聚酰亚胺材料研究进展

芳香族聚酰亚胺具有优异的绝缘性、热稳定性、介电性能、机械性能以及化学稳定性,可在微电子工业中用作绝缘和保护材料。负性光敏聚酰亚胺具有芳香族聚酰亚胺的优点,同时也具有感光性,使得微电子加工过程中减少对光刻胶的依赖,简化图案形成的工艺,有力促进了生产效率。本文综述了负性光敏聚酰亚胺的发展,重点介绍聚酰亚胺光刻胶体系的原理及近期研究进展,并对负性光敏聚酰亚胺的发展给予展望。     

核磁共振法测定自由基共聚合竞聚率综合实验的设计

利用核磁共振法（NMR）测定苯乙烯和甲基丙烯酸甲酯自由基共聚合的竞聚率,并通过凝胶渗透色谱（GPC）和差示扫描量热仪（DSC）表征聚合物的相对分子质量及相对分子质量分布和玻璃化转变温度,以验证所得产物为共聚物而非2种均聚物的共混物。本实验内容丰富,综合性强,在全面培养学生实验技能的同时也能提高学生的研究能力。     

新型卟啉吡啶季铵盐的合成与应用

采用微波技术合成了3种新型吡啶卟啉季铵盐:溴化5-[4-N-(对硝基)苄铵基吡啶基]-10,15,20-三(4-N-吡啶基)卟啉、氯化5-[4-N-(对甲氧基)苄铵基吡啶基]-10,15,20-三(4-N-吡啶基)卟啉和氯化5-[4-N-(对氯)苄铵基吡啶基]-10,15,20-三(4-N-吡啶基)卟啉.化合物的结构采用紫外可见光谱、红外光谱、核磁共振谱、质谱、元素分析测试技术得到确认.在分光光度法测定水中的痕量铜离子的显色反应中,配合物的表观摩尔吸光系数都在1×105L/(mol·cm)以上,是一种高灵敏度显色剂.该卟啉试剂具有显色和表面活性剂双重功能,应用于环境水样中铜的测定得到了满意的结果.     

碳化硼及掺硅系列的量子化学计算研究

应用离散变分Xα 量子化学分子轨道计算方法 ,根据 5类共 2 8个不同的结构模型 ,研究了碳化硼及掺硅系列组成 ,结构 ,化学键及热电性能之间的关系。不掺硅时碳化硼的典型结构是〔C -B -B(C)〕δ - 〔B1 1 C〕δ + 。C -B -B链连接B1 1 C二十面体的模型趋于更稳定地存在 ,它们的二十面体上的电荷最低 ,更有利于极化子的形成 ;符合碳含量为 13 .3 %时 ,碳化硼的电导率有极大值的实验结果。碳化硼掺硅后的典型结构是〔C -B -Si〕ε + 〔B1 1 C〕ε - 。由于掺硅后多种结构形式的形成 ,极化反应所需的能量降低 ,为极化子的跃迁提供更多的途径 ,导致电导率增大。同时 ,碳化硼掺硅后共价键减弱 ,热导率减小。因此 ,碳化硼掺硅后 ,其热电性能得到改善