我对利用公式(a b)~2講解开平方的点滴体会

在初中代数課中,关于开平方这一部分,对于学生来說并不是很容易理解、掌握的。笔者經过考虑与实驗,感到按照以下所选的教材与安排进行教学尚能使学生易于接受,并能达到教学大綱上所規定的要求的。因此願将它写出来供教师同志們参考并希予以指正。当說明目的,引入新課以后,先指出一个具体問題: 例:已知784是一个完全平方数,求它的算术平方根。而后按照以下的順序进行讲解: 解:     

伞形酮在不同溶剂中的荧光光谱及其二聚作用

对比研究了数种溶剂中不同浓度伞形酮溶液的荧光光谱，发现其峰形和峰位不仅随溶剂而变，且随浓度而变，据此对其发光机理进行了讨论，认为在高浓度伞形酮溶液中存在着地聚现象。二聚体的形成可以借助于与溶剂间的氢键或者单体分子间的氢键作用力来实现，浓度愈高，溶剂形成氢键的能力愈强，愈有利于二聚体的形成，二聚体激发态ＮＮ和单体激发态Ｎ都是比基态Ｎ强得多的酸。     

半自动胶片判读仪的校正与标定

指出判读仪有三大核心问题;判读误差、输片误差和控制的正确性.简要地介绍了判读仪的“口”字调整、“田”字检验,以及“十”标定和判读误差的“井”字校正方法.最后给出了一个例子.     

离散电荷2~l极子的电势

本文讨论离散电荷２ｌ极子的电势，导出２ｌ极子电势的计算公式，并给出该电势在直角坐标系和球坐标系中的表达式．     

低温绝对比热装置的研究

我们已研制成功了低温绝对比热测量装置。该装置是用连续升温法进行测量，可测温度范围为１０至３００Ｋ。通常测量样品的质量为２００ｍｇ左右，最小可测样品的质量为１５ｍｇ，由于采取了间隔一段温度都检测其漏热情况，并利用漏热数据来修正比热数据，从而大大提高了测量的准确性和精度，通过纯铜样品的标定，在２０－２５０Ｋ范围内其精度为０．８％，该装置采用计算机控温和数据采集，具有自动化程度高，灵敏度高，重复性好，操     

有存贮性能的薄膜电致发光屏的光写入(日本霞浦公司中心研究实验室在76年信息显示会议上的报告摘要)

前言 作者曾制做了由Y_2O_3(或Si_3N_4)—ZnS:Mn—Y_2O_3组成三层结构,具有存贮功能的稳定的高亮度EL屏。 在此屏的应用研究过程中,作者发现通过加一个有足够脉宽0～60伏的低脉冲电压1屏变得对光敏感。同时也发现,可以通过     

30MeV医用回旋加速器气体靶束流线的研制

中国原子能科学研究院于1994年研究建成我国第一台医用强流回旋加速器CYCIAE-30及配套放射性同位素生产线,目前为了增加气体靶以生产新品种医用同位素,在原有束流输运线的基础上开展了束流输运系统的升级改造方案设计,包括束流线的总体布局考虑和光学设计,并根据束流光学设计的结果,进行了新增柬流线上电磁元件的设计.在物理设计的基础上,还进行了施工设计以及各分系统的加工、调试、安装,并以物理设计得到的参数为依据进行了束流调试,靶上得到的束斑与理论值有较好的符合,满足设计要求.     

Room-Temperature Ferromagnetic ZnMnO Thin Films Synthesized by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition Method

Room-temperature ferromagnetic Mn-doped ZnO films are grown on Si （001） substrates by plasma enhanced chemical vapour deposition （PECVD）. X-ray diffraction measurements reveal that the Znl-xMn.O films have the single-phase wurtzite structure. X-ray photoelectron spectroscopy indicates the existence of Mn^2＋ ions in Mndoped ZnO films. Furthermore, the decreasing additional Raman peak with increasing Mn-doping is considered to relate to the substitution of Mn ions for the Zn ions in ZnO lattice. Superconducting quantum interference device （SQUID） measurements demonstrate that Mn-doped ZnO films have ferromagnetic behaviour at room temperature.     

Strain Effect on Photoluminescences from InGaN MQWs with Different Barriers Grown by MOCVD

InGaN/GaN MQWs, InGaN/AlGaN MQWs and InGaN/AlInGaN MQWs are grown on （0001） sapphire substrates by MOCVD. Membrane samples are fabricated by laser lift-off technology. The photoluminescence spec-ra of membranes show a blue shift of peak positions in InGaN/GaN MQWs, a red shift of peak positions in InGaN/AlGaN MQWs and no shift of peak positions in InGaN/AIlnGaN MQWs from those of samples with substrates. Different changes in Raman scattering spectra and HR-XRD （0002） profile of InGaN/AlInGaN MQWs, from those of InGaN/GaN MQWs and InGaN/AlGaN MQWs, are observed. The fact that the strain changes differently among InGaN MQWs with different barriers is confirmed. The AIlnGaN barrier could adjust the residual stress for the least strain-induced electric field in InGaN/AIlnGaN quantum wells.     

Cl和Br取代基在晶体堆积中的交替排列：席夫碱及其铜配合物的合成与结构研究

本文合成了2个新的席夫碱,N,N'-二(5-氯水杨基)-1,3-二氨基戊烷(H₂CAP)和N,N'-二(5-溴水杨基)-1,3-二氨基戊烷(H₂BAP),以及它们的铜(Ⅱ)配合物,[Cu(CAP)](1),[Cu(BAP)](2)和[Cu(CAP)_0.5(BAP)_0.5](3),并通过元素分析、红外和电子光谱表征了它们的结构。对于配合物,还利用单晶X-射线衍射进行了结构测试。在每个配合物中,铜原子都采取四面体畸变的平面四边形配位构型。通过将配合物1和2结合在一起形成了聚集体3。在该聚集体中存在有趣的氯和溴取代基交替排列现象。