溴水氧化氰根光度法测定微量氰化物

在磷酸介质中,氰根被饱和溴水氧化为溴化氰,剩余的溴水用磺基水杨酸除去。溴化氰与碘化钾反应生成单质碘,碘与淀粉显色,从而测定氰化物。其最大吸收波长λｍ ａｘ＝ ５６５ｎｍ ,ＣＮ－ 在０～１５μｇ／２５ｍ Ｌ范围内呈良好线性关系,表观摩尔吸光系数为３．１×１０４Ｌ·ｍ ｏｌ－ １·ｃｍ － １。已用于测定废水中的氰化物。     

含有机模板钒磷酸盐热稳定性比较研究

对水热合成的V-P-O-en体系中七种常见不同结构钒磷酸盐的热稳定性进行了TG-DTA、FT-IR和XRD的比较研究.化合物中有机分子的受热脱除是阶段性的,吸放热效应与化合物中有机分子的含量有关.影响热稳定性的因素有:无机骨架类型、骨架强度以及骨架与有机模板分子作用强度.无机骨架自身强度较低是导致这类化合物热稳定性低的根本原因.     

基于BP神经网络的焊点自动光学检测

提出了一种新的表面组装焊点的自动光学检测分类方法。采用单层环形光源获取焊点图像,并根据归一化分割曲线方程将焊点图像分成四部分,分别提取其特征。使用BP神经网络将焊点按照锡量多少分成三类:少锡,容许和多锡。实验结果证明该方法分类正确率达到了99.2%,具有较高的实用价值。     

联合变换相关中输出相关点形状与输入相关物长宽比的关系

根据联合变换相关理论和光的衍射理论,定量分析了联合变换相关中两相关输入物长宽比与输出相关点形状间的关系.结果表明:输入相关物长宽比影响相关点的形状,当相关物长宽比过大时,将使相关点形状严重偏离圆斑形状,从而影响相关点的探测和精确定位.     

借“问题链”深度思考——以“直线与圆的位置关系”一课的教学为例

以“问题链”为主线串联数学课堂,不仅可以展示最真实的数学课堂,助力精彩课堂的演绎,还能促进有质量的深度思考,潜移默化地发展学生的数学素养.文章阐释了“问题链”的价值解读,探寻“问题链”的实施路径,并对设计“问题链”提出了几点思考.     

基于DSA-BCNN的毫米波图像隐藏物检测

自动检测毫米波图像中被检人员是否携带隐藏物,是实现智能毫米波安检系统的重要技术之一.针对隐藏物在毫米波图像中的特征局部性和低辨识性问题,提出一种动态自注意力的双线性卷积神经网络,能够仅以图像级标签训练,实现图像中隐藏物的存在检测.引入自注意力机制以引导网络对隐藏物区域进行特征提取,增强网络刻画全局信息的能力;双线性池化...     

ICP–OES法测定清半夏和制白附子中的白矾

采用电感耦合等离子发射光谱法测定清半夏和制白附子中的铝含量,以此换算为白矾的含量。对仪器工作条件进行了优化试验,RF发射功率为1 150 W,辅助气流量、冷却气流量、雾化气流量分别为0.5,12,0.7 L/min,样品冲洗时间为30 s。铝的质量浓度在0.2~1.0μg/m L范围内与谱线强度线性良好,相关系数(r2)为0.999 6,检出限为0.029 1ng/m L。清半夏和制白附子样品中铝的加标回收率分别为100.14%,97.82%,测定结果的相对标准偏差小于2%(n=6)。该方法分析速度快,准确度高,稳定性好,可用于清半夏和制白附子中白矾含量的测定。     

计算机产生全息光学元件用于校正椭圆高斯激光束

本文讨论了计算机产生全息光学元件,用以校正椭圆高斯激光束,计算这个全息光学元件的详细数学方程已作了推导,由计算机控制绘图机绘制了全息图,缩制了全息光学元件,并得出了实验结果。 关键词：     

微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化

利用EG&G的瞬态分析测试仪对微量硼掺杂的高氢稀释非晶硅薄膜的瞬态光电导作了测量,并研究了长时间曝光处理对瞬态光电导的影响.发现薄膜的瞬态光电导衰退可以用双指数函数来拟合,说明在样品的光电导衰退过程中有两种陷阱在起作用,估算了陷阱能级的位置.曝光处理后样品的光电导和暗电导不仅没有下降,而且还有所上升,薄膜的光敏性有所改善.很可能曝光过程引起了硼受主的退激活,导致费米能级向导带边移动,使有效的复合中心减少,样品的光电导上升. 关键词： 非晶硅 瞬态 光电导 光致变化     

掺铒nc-Si/SiO2薄膜中nc-Si和Er3+与非辐射复合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响

对nc-Si/SiO2薄膜中纳米硅(nc-Si)、Er3+和非辐射复合缺陷三者间的关系作了研究.在514.5 nm光激发下，nc-Si/SiO2薄膜在750nm和1.54μm处存在较强的发光，前者与薄膜中的nc-Si有关，后者对应于Er3+从第一激发态4I13/2到基态4I15/2的辐射跃迁.随薄膜中Er3+含量的提高，1.54μm处的发光强度明显增强，750 nm处的发光强度却降低.H处理可以明显增强薄膜的发光强度，但是对不同退火温度样品，处理效果却有所不同.根据以上实验结果，可得如下结 关键词： Er3+ nc-Si H处理