76Se的低自旋新能级及其晕带能级结构的讨论

分别用反康谱仪和两个高纯锗探测器进行了单谱和符合谱测量,研究了⁷⁶Br的衰变.用⁷⁵As(α,3n)⁷⁶Br和⁷⁶Se(p,n)⁷⁶Br二种核反应生成了⁷⁶Br核.实验结果证实了以前报道的属于⁷⁶Se的能级和γ射线.首次发现了39条新γ射线和15个新能级.基于logft的计算值、所观测到的能态的退激发方式和一些核反应的实验结果,提出了新能级的自旋和宇称.建议了一个新的⁷⁶Br衰变纲图.用在束γ谱学方法所观测到的高自旋态,对正宇称晕带和在角动量投影壳模型框架下的计算结果进行了比较.     

四种D—氨基葡萄糖甘氨酸混配金属配合物与DNA作用的SERS光…

研究了四种Ｄ－氨基葡萄糖甘氨酸混配合金属配合物的表面增强喇曼光谱（ＳＥＲＳ），发现它们在角胶上的吸附方式基本相同，因而ＳＥＲＳ光谱也基本相似，并用ＳＥＲＳ光谱研究了它们与ＤＮＡ的相互作用，发现这四种化合物与ＤＮＡ的作用能力有很大不同，Ｃｏ（Ⅲ）ＧｌｕＧ是值得进一步研究的可能抗癌药物。     

InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究

提出了新型InGaAs/GaAs应变脊形量子线结构．这种应变脊形量子线结合了非平面应变外延层中沿不同晶向能带带隙的变化、非平面生长应变层In组分的变化，以及非平面外延层厚度的变化等三方面共同形成的横向量子限制效应的综合作用．在非平面GaAs衬底上用分子束外延生长了侧面取向为（113）的脊形AlAs/In GaAs/AlAs应变量子线．用10K光致荧光谱测试了其发光性质．用Kronig-Penney模型近似计算了这种应变脊形结构所具有的横向量子限制效应，发现其光致荧光谱峰位的测试结果，与计算结果相比，有10meV的“蓝移”．认为这一跃迁能量的“蓝移”是上述三方面横向量子限制效应综合作用的结果 关键词：     

一种具有大带隙的各向异性二维光子晶体结构

提出一种新型各向异性材料(碲)二维光子晶体结构,应用有限时域差分法,对该结构特性进行数值分析,结果表明:通过优化结构参量,该结构具有较大的绝对光子禁带,禁带宽度为0.064ω_e(ω_e=2πc/a,a为晶格常量,c为光速),且该光子晶体的带隙具有很好的稳定性.     

半导体/绝缘体复合材料的介电特性和光谱特性

研究了半导体/绝缘体复合材料的介电特性和光学吸收特性随外加场频率和半导体颗粒形状的变化规律,利用有效介质近似理论(EMA)进行数值模拟,当外加场的频率发生改变时,复合材料的介电特性有一个峰值存在,随半导体颗粒体积分数的增大,峰值也随之增强;而复合材料的光谱特性随频率的变化有两个峰值存在,随着半导体纳米颗粒的体积分数及形状的改变,相应的峰值也发生改变。     

合成孔径聚焦声成像时域算法研究

本文介绍了宽带合成孔径聚焦声成像时域重建算法设计，及在486微机上的仿真计算结果；计算参数是按实际实验系统设计选取的。     

In_xGa_（1－x）As缓冲层上In_yGa_（1－y）As／（Al）Ga

本文中，发现在Ｉｎ＿ｘＧａ＿(１－ｘ)Ａｓ缓冲层上非故意掺杂的ＩｎｙＧａ＿(１－ｙ)Ａｓ／（Ａｌ）ＧａＡｓ超晶格样品中存在着两个互相反向的自建电场区，一个位于样品表面，另一个位于Ｉｎ＿ｘＧａ＿(１－ｘ)Ａｓ缓冲层和超晶格界面．据此，合理地解释了样品的光伏测试结果，并对此类样品的ＭＯＣＶＤ生长工艺给予指导．     

New levels and transitions in ^72Ge following thedecay of ^72Ga

The decay of ^72Ga has been investigated by means of γ-ray spectroscopy. The 72Ga nuclei were produced through the ^71Ga(n, γ)^72Ga reaction. The Compton-suppressed spectrometer and high-purity Ge detectors have been used singly and in coincidence, separately, to study γ-rays in the β-decay of ^72Ga to ^72Ge. Ninety-three events of γ-rays were reported, of which 7 were observed for the first time. A decay scheme of ^72Ga including 4 new levels is proposed which accommodates 87 of these transitions. Spins and parities for new levels are proposed from calculated logft values, modes on the observed decay, and some nuclear reaction experimental results.     

A study on the decay of ^72As

The excited states of the ⁷²Ge nucleus were investigated in radioactive decay of ⁷²As. Three new transitions with 1996.58, 2125.59 and 2255.49keV have been found for the first time. One γ-ray with 912.09keV has been placed in the decay scheme for the first time, and the placement of 1938.88, 2116.79, 2785.59, 2833.03, 2950.69 and 3338.00keV γ-rays are confirmed again in the present work. One new level at 2027.72keV excitation energy is proposed. The level scheme was established and for a number of levels spin-parity assignments are suggested on the basis of logft values and γ-branching ratios.