Zn掺杂对Bi2212单晶临界电流密度的影响

通过对少量Zn掺杂Bi2212单晶样品不同温度下的磁滞回线的测量,根据Bean临界态模型得到了样品在不同温度和磁场下的临界电流密度.发现不同温度下的临界电流密度与磁场的关系可以用Jc(H,T)=Jc(0,T)exp(-Hα)进行拟合,并且拟合参量α随温度的上升而增大,而在Pb掺杂和纯Bi2212单晶中α值基本上是不随温度变化的.将得到的Jc与Pb掺杂和纯Bi2212单晶的结果进行比较,发现在相同的温度和磁场下Zn掺杂样品具有最高的临界电流密度,表明少量Zn掺杂使得样品的临界电流密度得到提高.Zn掺杂对Bi2212体系临界电流密度的提高主要来源于在材料中引入了有效的涡旋钉扎中心,而Pb掺杂体系中Jc的提高是体系的层间耦合增强导致的结果.     

平面波对有部分脱胶衬砌的圆形孔洞的散射

将波函数展开法与奇异积分方程技术相结合研究了平面波对有部分脱胶衬砌的圆形孔洞的散射。将脱离区看作弧形裂纹并忽略裂纹表面的相互作用。将衬砌和基体中的波场展开成Fou-rier-Bessel级数,利用混合边界条件得到一组对偶级数方程组并进一步转化成Hilbert奇异积分方程。数值求解给出了脱离区大小和衬砌厚度对动应力强度因子(DSIF)和散射截面(SCS)的影响。结果显示由于脱胶,动应力强度因子和散射截面呈现明显的低频共振特性。     

原子吸收光谱法测定大学生膳食中的钙

近年来微量元素钙对人体健康的影响已引起了广泛关注,本文对大学生钙饮食状况进行了调查,并采用原子吸收光谱法分析大学生的膳食中钙的营养状况。结果表明大学生膳食中钙的缺乏较严重,由测试结果还可知,不同食物中钙含量存在着明显差别。因此必须重视大学生的膳食营养状况,饮食中需注意合理调配,平衡膳食。     

基于金纳米颗粒生长的液晶生物传感器检测酪氨酸

基于酶介导金纳米颗粒(AuNPs)生长构建了液晶生物传感器, 并用于检测酪氨酸(Tyr). 将酪氨酸酶(TR)固定于经戊二醛活化的二甲基十八烷基(3-[三甲氧基硅烷] 丙基)氯化铵/3-氨丙基三乙氧基硅烷(DMOAP/APTES)混合自组装修饰的玻片表面, 当向玻片表面滴加含Tyr的生长溶液时, TR催化Tyr羟基化为左旋多巴(L-Dopa), L-Dopa还原生长溶液中的AuCl₄^-生成AuNPs并沉积于玻片表面, 导致玻片表面地貌发生变化, 这一变化能诱导液晶取向发生变化进而调控透光量, 从而实现对Tyr的检测, 且检测浓度可低至6×10^-7 mol/L.     

利用电光FM调制抑制零级中心频带——实现超高频Radio over Fiber通信

提出了一种有效抑制零级中心频带方案,并证实了该方案的可行性,给出了基于该方案的单工Radio over Fiber (RoF)通信系统.通过光通信系统软件Optisystem5.0仿真模拟结果显示：光源发送功率为5 dBm,途中无光放大,24 GHz的超高频微波信号在色散系数为20 ps/nm/km、衰减系数为0.25 dB/km的单模光纤中传输,系统码元传输速率可达5 Gbit/s、传输距离15 km以上.     

Mn位上Cu掺杂对La-Ca-Mn-O系统液氮温度磁电阻效应的影响

实验研究了Mn位上Cu掺杂对La_2/3Ca_1/3Mn_1-xCu_xO_y单相块材液氮温度磁电阻效应的影响.结果表明，在最佳掺杂(x≈0.15)的情况下，样品表现出非常明显的磁电阻效应，且磁电阻的主要变化发生在1T以下的低磁场下；当磁场增加到6T时，该样品的磁电阻效应比高达约5×10⁴%，相对于偏离最佳掺杂的样品，提高了近三个数量级. 关键词：     

高温超导体磁化强度弛豫与CuO2层间耦合之间的关系研究

本文研究了HgSr2Ca2.0Y0.3Cu1.8Re0.2Oz和Hg(Ba0.5Sr0.5）2CaCu1.8Re0.2Oz(Hg1212）超导体的磁化弛豫，发现磁化弛豫偏离了对数时间依赖关系。采用指数弛豫表达式M=M0 M1t^-α，可以很好地拟合Hg基超导体的磁化弛豫。通过比较Hg1212、YBa2Cu3O7-δ和Bi2Sr2CaCu2O8的磁化弛豫行为，研究了磁化弛豫率和钉扎势随CuO2层间距离的变化关系，发现磁化弛豫率随层间距离增大而增大，而钉扎势则随之增大而减小。     

中子辐照对GdBa2Cu3O7-单畴超导性能的影响

研究了中子辐照对GdBa2Cu3O7-±单畴超导性能的影响，使用的辐照剂量为1015 n/cm2．通过高分辨电镜观察发现中子辐照产生球形的缺陷和小的点缺陷，这些球形缺陷的尺寸在4?7 nm，与高温超导相干长度相当，并且在退火过程中稳定存在，而小的点缺陷在退火过程中消失．磁测量结果显示中子辐照使样品的超导电性严重退化，临界电流密度下降并且鱼尾峰效应几乎消失．然而对辐照的样品退火处理后，其超导电性明显改善，临界电流密度显著提高并超过了未经辐照的样品，鱼尾峰也向高场移动．这些结果表明中子辐照和退火处理使GdBa2Cu3O7-±单畴样品中引入了有效的磁通钉扎中心(即球型的缺陷)从而导致其临界电流密度大幅提高．