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131.
非线性光吸收研究的新进展 总被引:2,自引:0,他引:2
系统介绍了光吸收的几种非线性效应:饱和吸收,反饱和吸收和饱和吸收-反饱和吸收综合效应。讨论了用于解释这些效应的各种物理模型,分析了介质在不同脉宽的激光脉冲作用下所产生的不吸收机制,反饱和吸收稳态和动态特性,并介绍了非线性光吸收的可能应用。文中所涉及有关饱和吸收的内容是作者所领导的研究组近年来的研究成果。 相似文献
132.
新显色剂N—烯丙基—N′—(氨基对苯磺酸钠)硫脲与金(Ⅲ)的显色反应 总被引:13,自引:1,他引:13
介绍了一种用新合成的显色剂N-烯丙基-N′-(氨基对苯磺酸钠)硫脲(ASAT)光度法测定微量金(Ⅲ)的方法。在pH35~55的HAc-NaAc缓冲体系中,该试剂和金(Ⅲ)形成一种稳定的水溶性配合物,其组成为n(Au3+)∶n(ASAT)=1∶2,配合物的最大吸收峰位于2986nm处,表观摩尔吸光系数为114×105L·mol-1·cm-1。Au3+量在72~568μg/L服从比尔定律,相关系数r=09993。将该法应用于金矿石中微量金的测定,获得满意的结果。 相似文献
133.
研究了苯胺(AN)与邻氨基酚(OAP)在玻碳电极表面的电化学共聚,由此制备了AN与OAP共聚物膜修饰的玻碳电极(PAN-OAP/GCE/CME),并研究了该电极的电化学行为及其对抗坏血酸(AA)的电催化氧化。研究表明:AN与OAP的共聚速率随溶液中OAP浓度的增大而减小。当OAP与AN的浓度比>1∶10时,聚合行为相似;在其浓度比为1∶10时得到的共聚膜具有较好的电化学活性。由此可在0.1mol/L磷酸缓冲溶液(PBS,pH6.8)中对AA进行电催化氧化。在PAN-OAP/GCE/CME上其氧化峰电位位于0.21V,比在裸玻碳电极上(0.53V)降低了0.32V。该共聚物膜在中性溶液中显示出较好的电化学活性,为生物样本中AA的测定提供了条件。AA在修饰电极上的响应电流与其浓度在0.05~16.5mmol/L范围内呈线性关系,r=0.9998。采用计时电流法对AA催化氧化的扩散系数和催化速率常数进行了研究。 相似文献
134.
135.
将铅精矿或铜精矿样品30.00g平铺于预先铺有20g二氧化硅的方舟中,于试金炉中在750℃焙烧脱硫60min。将脱硫后的样品混合物转移至黏土坩埚中,加入50g碳酸钠,200g氧化铅,20g四硼酸钠作为助熔剂,4.0g淀粉作为还原剂,搅匀后在表面覆盖约5mm厚的氯化钠,在试金炉中于1 100℃进行熔融(一次试金),获得30~40g的铅扣。将铅扣在850℃进行灰吹,得到金银合粒。将一次试金的熔渣和灰皿粉碎后置于一次试金用的坩埚中,加入40g碳酸钠,20g四硼酸钠,25g二氧化硅及4.0g淀粉,搅匀并在表面覆盖约5mm厚的氯化钠后,再进行火试金和灰吹处理,得到第二颗金银合粒。两次所得金银合粒合并后,用热硝酸(1+7)溶液进行分金。用重量法或原子吸收光谱法测得金量,用差量法得到银量(用电感耦合等离子体原子发射光谱法测定铜、铅、铋、砷和锑等杂质的含量)。回收试验得到金的回收率为99.2%~100%,银的回收率为100%,测定值的相对标准偏差(n=7)为0.37%~2.8%(金)和0.28%~2.4%(银)。 相似文献
136.
为了实现尺寸为1 200 mm×484 mm的大长宽比长条形空间反射镜的无热装配,减小反射镜面形精度受热应力的影响,本文对环氧胶(GHJ-01(Z))胶层厚度对反射镜面形的影响及胶层在静、动力学载荷下的应力进行了研究。首先,介绍了现有的几种基于胡克定律推导的无热粘结厚度方程及其假设条件,并推导了带有锥度的背部盲孔反射镜无热粘结胶层厚度的方程,得出无热粘结胶层厚度曲线;然后,建立了6种不同胶层厚度的反射镜组件模型并进行了分析与比较。通过分析,在+5℃温升工况下,反射镜胶层厚度为0.07 mm时具有最好的面形精度,其RMS值0.0178λ,其检测方向在自重作用下的面形精度RMS值为0.0173λ,一阶频率为220.17 Hz;最后对胶层无热化设计后的反射镜组件进行了振动试验和粘结剂剪切强度试验,分析与试验表明:反射镜组件一阶频率为216.4 Hz,与有限元分析结果相对误差为1.71%;满足动静态刚度要求;同时,在动力学载荷下该厚度胶层的应力均小于其固化后的抗剪强度,安全裕度为2.46;各项指标满足设计要求。 相似文献
137.
为了改善人CuZn-SOD的酶学性质, 在借鉴人细胞外超氧化物歧化酶的特性基础上, 利用分子生物学技术, 在人CuZn-SOD的C末端加入肝素亲和肽构建了人CuZn-SOD工程酶, 并在毕赤酵母中获得表达, 经纯化的工程酶具有较强的肝素亲和性. 相似文献
139.
宽禁带氮化镓(GaN)材料以其独特的性质和应用前景成为国内外研究的热点,高质量GaN单晶衬底的制备是获得性能优异的光电子器件和功率器件的基础。钠助熔剂法生长条件温和,易获得高质量、大尺寸的GaN单晶,是一种具有广阔商业化前景的GaN单晶生长方法。钠助熔剂法自20世纪90年代末期被发明以来,经过20多年的发展,钠助熔剂法生长的晶体在尺寸与质量上都取得了长足的进步。本文从晶体生长原理和关键工艺(籽晶选择、温度梯度以及添加剂)等方面综述了钠助熔剂法生长GaN单晶研究进展,并对其面临的挑战和未来发展趋势进行了展望。 相似文献