Nd2CuO4及其微量Zn掺杂单晶样品的传输性质研究

用助溶剂方法高温烧制了电子型超导体母体材料Nd2CuO4及其微量Zn掺杂的单晶样品,并系统地研究了在15～300K范围内样品的电阻率和热电势行为.两者在25～200K之间的温区都表现相同的物理行为高温区为半导体热激活行为,低温区为二维变程跳跃行为.在206K附近发现了反铁磁转变对热电势行为影响的精细峰和弛豫现象.我们的实验结果表明在180K以上温区载流子的行为不满足传统的能带理论.退火对25K以下的温区的热电势的行为有非常显著的影响,其本征的物理性质还需要深入的研究.     

电子波在量子阱势垒上方的局域和束缚──一种法布里－珀罗电子滤波器

最近，电子态在量子阱势垒上方的局域和束缚已为实验证实。这是电子的波动性和干涉效应的一种直接实验验证。试图介绍这种所谓“正能量”束缚态的形成机制，以引起我国学者注意。     

基于矩形薄板面内振动的直线型超声电机的研究

针对一种基于矩形薄板面内振动的直线型超声电机进行了研究。首先对其核心结构部件——矩形压电陶瓷薄板进行了结构设计,导出了矩形压电陶瓷薄板的长度和宽度比为4.0的结论,并利用ANSYS有限元软件进行了相应的计算和验证。还首次对这种电机的工作模态的激发和运动原理进行了比较深入的分析和探讨。最后,实验研究结果表明误差仅为3.74％,证明了所作分析的正确性。     

双掺杂锰酸钙基热电陶瓷的制备及电学性能研究

利用传统固相反应法成功制备出Nb掺杂量x不同的Ca_0.9Yb_0.1Mn_1-xNb_xO₃热电陶瓷. X射线衍射分析和扫描电子显微镜分析表明: 样品均形成了单一的钙钛矿正交结构,空间群为Pnma. 晶格常数a和晶胞体积随着Nb掺杂量x的增加而增大,陶瓷样品具有很好的结晶度和很高的致密性, 相对密度达到97%左右. 在3 关键词： 3陶瓷')" href="#">CaMnO₃陶瓷 电阻率 Seebeck系数     

三层石墨烯及其n型和p型插层化合物的制备和拉曼光谱表征

我们利用微机械剥离方法制备了三层石墨烯.在此基础上,利用两室气体传输法,以三氯化铁和钾为化学掺杂剂,成功合成了三层石墨烯的一阶p型和n型插层化合物.三层石墨烯的高分辨率拉曼光谱具有独特的2D谱峰线形,该线形可以用作指纹来鉴别三层石墨烯.三层石墨烯一阶插层化合物的拉曼光谱表明,三氯化铁和钾的插层掺杂使得三层石墨烯的层间耦...     

W频段卫星通信中的恒包络OFDM技术

随着传统的C频段,Ku频段,Ka频段的逐渐饱和,人们开始研究特高频段(EHF)的卫星通信频段,W频段(75~110 GHz)卫星通信凭借更高的传输速率和天线增益等优势受到了人们的关注;总结了W频段卫星通信的优缺点,结合卫星通信频谱效率问题介绍了在卫星信道中采用正交频分复用(OFDM)传输方式,针对OFDM高峰均比的问题研究了恒包络OFDM,对恒包络OFDM的性能进行了分析;分析表明恒包络OFDM解决了OFDM带来的高峰均比问题,但性能受调制方式严重影响,最后结合其发展现状展望了恒包络OFDM发展的趋势。     

化学检测实验室内部质量控制方法及结果评价探讨

质量是企业发展之本,关系消费者的切身利益。在日益激烈的市场竞争中,企业愈发意识到质量管理的重要意义。质量控制是质量管理的一个重要组成部分,GB/T 19000-2016[1]对质量控制的定义是"质量管理的一部分,致力于满足提供质量要求"。对于化学检测实验室,保证检测结果有效性是最重要的质量要求之一。     

Ba7(BO3)3F5晶体结构及热分析

采用高温溶液法从BaCO3,BaF2及H3BO3混合体系中生长出了一种氟硼酸钡晶体,Ba7(BO3)3F5晶体属六方晶系,空间群为P63mc,晶胞参数:a=1.11562(15) nm,c=0.72415(14) nm,Z=2,V=0.7805(2) nm3.Ba7(BO3)3F5晶体结构是由Ba(1)O7F3基团,Ba(2)O4F3基团,Ba(3)O6F4基团和独立的BO3基团相互连接形成的三维空间网络结构.Ba7(BO3)3F5的热分析分析结果表明Ba7(BO3)3F5在1070℃同成份熔化.     

硼酸钾锶晶体的高温溶液法生长研究

以摩尔比为3∶1的NaF和H3 BO3为复合助熔剂,采用高温溶液法生长出了尺寸达7×4 ×3 mm3的较透明的KSr4B3O9单晶,并探讨了生长KSr4B3O9晶体助熔剂体系的选择.该晶体属正交晶系,空间群为Ama2,晶胞参数为:a=109.87(2) nm,b =119.48(2) nm,c =68.865(2) nm.该晶体结构是由KO10基团,SrOx(x=8,9)基团和独立的BO3三角形相互连接构成的三维网络结构;UV-Vis-NIR漫反射光谱说明KSr4B3O9化合物在紫外区230 nm左右才表现为全吸收;粉末倍频测试结果表明该化合物总的倍频效应与KH2PO4 (KDP)相当.     

Sm2-xCexCuO4单晶的赝能隙行为研究

我们在电子型超导体Sm1.85Ce0.15CuO4中首次观察到赝能隙的证据.研究了在O2中不同退火时间,单晶Sm1.85Ce0.15CuO4样品的电阻率ρ和热电势S,电阻率ρ的测量结果显示退火后样品高温区电阻率ρ、dρ/dT和热电势的斜率dS/dT斜率增加,意味着载流子浓度下降,与减小Ce掺杂量x的作用等效.所有的样品S～T和ρ～T曲线在某个温度T*下都发生斜率的改变,该转变温度随着退火时间的增加而向高温区移动,而且越来越明显.这可能是因为该温度下赝能隙被打开,热电势曲线在某个温度下存在一个最小值,这是载流子局域化的表现;热电势曲线上50K附近观察到一个明显的声子曳引峰,正的峰值表示载流子符号在低温区发生了改变,即由高温的电子型变为低温的空穴型,与霍尔系数实验中斜率变化一致.