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991.
微泡对高强度聚焦超声声压场影响的仿真研究* 总被引:2,自引:1,他引:1
微泡对高强度聚焦超声(HIFU)治疗焦域具有增效作用,而HIFU治疗中不同声学条件下微泡对HIFU形成声压场的影响尚不清楚。本文基于气液混合声波传播方程、Keller气泡运动方程、时域有限差分(FDTD)法和龙格-库塔(RK)法数值仿真研究输入声压、激励频率、气泡初始空隙率和气泡初始半径对HIFU形成声压场的影响。研究结果表明,随着输入声压的增大,焦点处声压升高但焦点处最大声压与输入声压的比值减小,焦点位置几乎不变;随着激励频率和气泡初始半径的增大,焦点处声压升高且焦点位置向远离换能器方向移动;随着气泡初始空隙率的增大,焦点处声压降低且焦点位置向换能器方向移动。 相似文献
992.
对等价电子数组元Heusler合金Fe_2RuSi的原子占位、电子结构与磁性进行了理论与实验研究.第一性原理计算表明,虽然Fe_2RuSi中Fe,Ru均有8个价电子,但是Ru仍表现出强烈的占据A,C晶位倾向.基态总能最低的是Fe与Ru分别占据A,C晶位的XA结构,次低的是Fe,Ru在A,C位混乱占位的L2_1B结构,且两者能量差很小.这说明决定Heusler合金中过渡族原子占位的因素除价电子数以外还可能有原子半径和共价杂化作用等.态密度和差分电荷密度计算表明Heusler合金中主族元素与最近邻过渡族元素之间的p-d共价杂化对Heusler合金的占位有明显影响,在XA结构中Ru与Si和Fe(B)之间都存在明显的杂化作用,而在高能的L2_1结构中,Si与最近邻的Fe杂化作用相当弱.XRD测试表明在室温Fe_2RuSi存在A,C位之间的Fe-Ru反占位,形成了能量次高的L21B结构,这主要来自于混合熵对自由能的贡献及其引起的原子自发混乱占位.在5 K下Fe_2RuSi的饱和磁矩为4.87μB/f.u.,与计算值符合得相当好. 相似文献
993.
采用基于密度泛函理论的第一性原理结合投影缀加平面波的方法,研究了GaN中Ga被稀土元素Gd替代以及与邻近N或Ga空位组成的缺陷复合体的晶格常数、磁矩、形成能以及电子结构等性质.结果发现,Gd掺杂GaN后禁带宽度变窄,由直接带隙半导体转为间接带隙半导体;单个Gd原子掺杂给体系引入大约7μB的磁矩;在Gd与Ga或N空位形成的缺陷复合体系中,N空位对引入磁矩贡献很小,大约0.1μB,Ga空位能引入约2μB的磁矩.随着Ga空位的增多,体系总磁矩增加,但增加量与Ga空位的位置分布密切相关.当Ga空位分布较为稀疏时,Gd单原子磁矩受影响较小,但当Ga空位距离较近且倾向于形成团簇时,Gd单原子磁矩明显增加,而且这种情况下空位形成能也最小. 相似文献
994.
995.
An efficient method for the selective hydrogenation of a series of α,β-epoxyketones to β-hydroxyketones using catalytic amount of two sulfinyl analogues of NAD^+ model compounds is reported. The lack of any diastereoselectivity for the formation of β-hydroxyketones with optically pure sulfinyl analogue of NAD^+ model supports the radical mechanism proposed previously. 相似文献
996.
建立了包括扩散、漂移和光伏打效应三种输运机制,小信号光强、小调制度近似下描述双掺杂LiNbO3:Fe:Mn晶体用双色光进行全息存储的动力学的耦合微分方程组,数值求解并解释了晶体光存储的时间动态发展过程.在此基础上,分析了晶体的氧化还原程度对全息存储过程的影响,只有在晶体总的受主数密度Na(即Fe3+和Mn3+的数密度之和)大于铁离子数密度N2的条件下,双掺杂LiNbO3:Fe:Mn晶体全息存储才能达到非破坏性存储的目的.经过光固定的光栅的衍射效率随氧化增大,光折变灵敏度随氧化而减小,要获得高衍射效率就必须以降低光折变灵敏度为代价.在掺铁浓度一定的情况下,掺锰浓度越高,能实现信息长期存储对应的氧化还原状态的有效动态范围越大. 相似文献
997.
998.
999.
1000.