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本文从熔体组分挥发产生杂质这一观点出发，研究了二元化合物ＡｍＢｎ熔体中的杂质产生率以及过剩组分杂质在熔体和晶体中的浓度，并导出了浓度分布的数学表达式，分析了组分挥发对熔体提拉法晶体生长的影响，并对其结果进行了讨论。 相似文献
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近化学计量比铌酸锂晶体组分过冷与临界生长速率研究 总被引：1，自引：1，他引：0
本文在用双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的过程中观察到了组分过冷的实验数据,同时根据Tiller-Chalmers稳定性判据公式半定量计算了近化学计量比LiNbO3晶体临界生长速率的理论值,得到一般电阻加热双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的临界生长速率为0.1mm/h数量级.通过临界生长速率解释了一系列晶体生长的实验结果.提出了一些工艺措施来避免组分过冷,根据这些工艺获得了无包裹体的近化学计量比LiNbO3晶体. 相似文献