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961.
钛硅复合氧化物晶体结构及光催化性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用溶胶-凝胶法制备了TiO2和钛硅复合氧化物,对样品进行了X射线衍射(XRD)、比表面积测试(BET)和紫外-可见漫反射光谱(DRS)分析,并以甲基橙为模拟污染物,考察了其光催化性能.结果发现,添加硅能有效的阻碍TiO2晶型转变,抑制TiO2晶粒生长,细化晶粒,增大粒子的比表面积,加入硅还能使TiO2带隙能增加,使其具有更强的氧化还原能力;钛硅复合氧化物具有较高的光催化活性,当煅烧温度为900℃,添加硅的摩尔分数为20;时,光催化活性最佳. 相似文献
962.
963.
设F是R2中的子集,则下列不等式成立Hs(F)Bs(F)(2 33)sHs(F)其中s=d imH(F),Bs(F)如(6)式中所定义. 相似文献
964.
965.
966.
纯净的半导体材料是不容易找到的。我用掺杂后的半导体材料(晶体管代替)来作半导体的热敏特性和光敏特性演示,效果较好,现介绍如下: 一、热敏特性演示: 把一只金属外壳的3AX81晶体管(或其它型号的金属外壳低频晶体管)与演示用的 相似文献
967.
969.
970.