高场电致发光过程的动力学分析

本文通过对交流(ZnS:Mn,Cu)和直流(ZnS:Mo,Cu(Cu))两种不同结构的粉末发光材料的发光光谱,时间分辨发光光谱,电流波形,发光亮度波形,发光衰减以及发光强度与掺杂浓度的关系等方面的研究,对Mn和Cu这两种不同类型的发光中心的高场电致发光过程进行了分析,并用一个统一的模型对两种不同类塑的发光中心建立了发光动力学方程,由此解得Mn中心和Cu中心的发光强度随时间的变化规律表达式,它们分别包括了Mn中心和Cu中心发光亮度波形的所有情形。我们从动力学分析出发,找到了影响Cu中心和Mn中心发光强度的主要因素,并从理论上预言了提高发光强度的可能途径。     

场致发光显示

1.引言 虽然今天对场致发光显示器件很感兴趣,然而在过去几年里,对它的重视程度是有过很大起落的。早在1937年,Destriau在磷光体粉末上进行了实验,发现直接施加电场可以产生发光。遗憾的是,在科学     

镓铟磷三元化合物中的自由激子和杂质N发光中心的结构位形

我们研究了GaxIn1-xP:N(x=0.99,0.98,0.96)的发光光谱,用Ar+离子激光器的458nm线激发。N的浓度为5×1017cm-3。图1示出了在6K下Ga0.99In0.01P:N的发光光谱。Mariette和Chevallier[1,2]以及Nelson和Holonyak,Jr[3]。认为Nx0带起源于束缚在孤立N中心上激子的辐射复合。     

黄昆教授作“由一个发光现象引起的若干理论研究”的报告

1983年7月8日,应长春物理所徐叙瑢所长的邀请,学部委员、中国科学院半导体研究所所长黄昆教授在长春物理所作了题为“由一个发光现象引起的若干理论研究”的报告。报告深入浅出,既深刻又生动,它反映了黄昆教授严谨的治学态度和恢谐的作风。报告会以后,反应强烈,与会者一致认为听了黄昆教授的报告既扩大了知识面,又学到了黄昆教授丰富而敏锐的学术思想。     

LECTRONIC STRUCTURE STUDIES OF Bi2Sr2CaCu2-xSnxO8+δ SYSTEM

Photoemission measurements have been carried out for Bi₂Sr₂CaCu_2-xSn_xO_8+δ system with conventional x-ray photoemission spectroscopy for core-level spectra and synchrotron radiation photoemission spectroscopy for valence band. With Sn doping, all core levels shift differently in binding energy, and the intensity near fermi energy becomes smaller in valence hand. From the experiment, we can deduce that the shifts of all core levels and valence hands may involve some other mechanisms, such ms electrostatic effects, in addition to binding energy referencing effects. We argue that the chemical environment plays a crucial role in the electronic structure of high-temperature superconductors.     

GaP:N和GaAs1-xPx:N中束缚激子的辐射复合依赖于激子声子耦合的热猝灭

实验中发现,氮掺杂的GaP和Ga(As,P)的发射光谱的零声子带和声子伴带的热猝灭过程是不同的.声子伴带的热猝灭非常强烈地依赖于激子声子耦合.我们提出了一个激子声子复合体((N-激子)—声子)模型.     

GaAs表面硫化学钝化,CH3CSNH2处理新探

应用同步辐射光电子谱（SRPES）和光致荧光（PL）方法探讨不同钝化条件对GaAs表面键合状态和电子态的影响．发现无论在酸性溶液或碱性溶液条件下，经过CH₃CSNH₂处理的GaAs表面S都与Ga和As成键，形成硫化物钝化层；钝化层形成后，PL谱的强度明显增强，表明GaAs表面复合中心的减少和缺陷态密度的降低 关键词：     

Ⅲ-Ⅴ族化合物中氮束缚激子发光的动力学研究

用发光动力学的分析方法,研究了Ⅲ—Ⅴ族化合物中N束缚激子的发光强度与温度的关系,得到的理论公式与实验结果符合得较好。我们的分析指出,由于无辐射能量传递的存在,束缚激子的△J=2跃迁的发光效率低于△J=1跃迁的发光效率,致使低温(T<50K)下束缚激子的发光强度可能随温度的下降而变弱。另外,N杂质对自由激子再俘获的可能性的大小直接影响束缚激子发光的热猝灭过程:束缚激子可能因热离解成自由激子或自由的电子和空穴。我们找到了区分这两类情况的条件。     

同步辐射激发直接干化学刻蚀

同步辐射激发直接光化学刻蚀是近年来发展的一项新技术 ,它不需要常规光刻中的光刻胶工艺 ,用表面光化学反应直接将图形写到半导体材料的表面上。由于所用的同步辐射在真空紫外 (VUV)波段 ,理论上的分辨率可以达到电子学的量子极限 ,且没有常规工艺中的表面损伤和化学污染 ,是一种非常具有应用潜力的技术。本文的最后部份重点讨论了与上述技术密切相关的VUV和软X射线激发的表面光化学反应机理。