SiC衬底上外延GaN:Mg材料特性研究

利用扫描电子显微镜、拉曼散射光谱和光致发光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的GaN:Mg薄膜特性进行研究发现：除了一部分Mg原子替代Ga原子呈现受主性外，大部分Mg原子以间隙原子状态（Mg_i）存在，并且在缺陷或者位错处大量聚集引起薄膜张力应力减小，薄膜在降温过程中由于应力不均匀会在部分区域内出现大量的裂纹；Mg的掺杂会加剧GaN无序化程度，致使薄膜质量变差；而室温下的PL谱测量表明蓝带发光由DAP（深施主—浅受主）复合引起，其中D为Mg_GaV_{N 关键词： GaN∶Mg 异质外延 扫描电子显微镜 拉曼散射 光致发光谱}     

用激光拉曼散射法测量电子线路板中元件的温度

本文针对电子学中电子线路板上元器件通电后要精确测量其温度的问题引入了激光拉曼散射光谱技术,介绍了该方法在无损伤探测电子元器件(通各种电流后)表面温度方面的应用,为设计电子线路板散热问题提供了可参考的数据。并开拓了激光拉曼散射光谱技术在电子学中的应用,也同时为测量复杂结构物体表面温度提供了较好的方法。     

SPEX-1403拉曼光谱仪扫描控制和数据采集系统的研制

我们研制成用于 SPEX— 1 0 4 3拉曼谱仪的数据采集 /扫描控制系统。编制了运行在WINDOWS 3.1操作系统下的拉曼谱仪扫描和数据采集软件 ,由于采用了一些新方法 ,此系统不仅可以替代原有的 DM1 A,而且在功能上比原系统有所加强并易于使用     

BaTiO_3和Ce:BaTiO_3单晶的高温喇曼散射研究

从室温至180℃测量了BaTiO_3和Ce:BaTiO_3单晶的偏振喇曼谱,在X(ZZ)Y几何配置下发现了三条频率分别为986,1204和1480cm~(-1)的新谱线.根据喇曼散射截面的温度依赖关系,确认这些新谱线对应二阶喇曼散射,而A_1(TO)谱中位于275和514cm~(-1)处的非对称宽峰则属于一阶喇曼散射.在此基础上,对立方相BaTiO_3的喇曼谱和结构相变机制进行了讨论.通过比较BaTiO_3与Ce:BaTiO_3喇曼谱随温度的变化,发现掺Ce降低了BaTiO_3晶体的Curie温度,与介电系数的测量结果相符.     

LBO晶体的光散射研究

ＬＢＯ晶体的光散射研究王越，蒋毅坚，刘玉龙（北京工业大学应用物理系北京１０００２２）（中科院物理研究所北京１０００８０）ＳｔｕｄｙｏｎｏｎＬＢＯＣｒｙｓｔａｌｂｙＬｉｇｈｔＳｃａｔｔｅｒｉｎｇ￥Ｙ．Ｗａｎｇ￣１；Ｙ．Ｊ．Ｊｉａｎｇ￣１ａｎｄＹ，Ｌ．Ｌ...     

掺杂浓度对p-GaAs的带隙变窄的影响

用光致荧光的方法对分子束外延生长的(110)方向的掺Be的GaAs带隙变窄随掺杂浓度的变化进行研究。结果表明:对于P-GaAs,带隙变窄主要是价带上移造成的,杂质能级(带)相对导带的位置不变。因此,电离能随着掺杂浓度的增加而减小。     

掺Fe和掺Cr的LiNbO3单晶的全部弹性和压电参数的布里渊散射测量

本文测量了抛光球形单晶样品某一晶面内的布里渊散射。从得到的声速各向异性求出Fe:LiNbO₃和Cr:LiNbO₃晶体的全部弹性和压电参数,同纯LiNbO₃进行了比较,讨论指出:若干弹性张量组元的正、负号不确定是由坐标系的选择造成的。 关键词：     

双锂试剂与6, 6-二烷基富烯的反应-取代茂钛，锆有机化合物的合成

研究了双锂试剂与6, 6-二烷基富烯反应的立体、结构效应。1, 4-丁基二锂、1, 6-己基二锂同6, 6-二甲基、6-甲基-6-乙基、6-甲基-6-正丙基和6, 6-五甲基富烯发生加成反应。对苯基二锂与6, 6-二甲基、6-甲基-6-乙基、6-甲基-6-正丁基和6, 6-四甲基、五甲基、六甲基富烯均进行α-攫氢反应, 但使6-甲基-6-正丙基富烯还原偶联。1, 2, 3, 4-四苯基-1, 4-二锂丁二烯-1, 3同6-甲基-6-正丙基、6, 6-五甲基富烯发生α-攫氢反应。讨论了上述反应的机理。由上述形成的取代环戊二烯基阴离子同CpTiCl~3, (CpTiCl~2)~2O, TiCl~4和ZrCl~4反应, 制得亚甲基桥联和烯基茂钛、锆化合物。     

代In的BCVIG单晶的磁光克尔旋转

我们测量了分子式为{Bi_3-2xCa_2x}[Fc_2-yIn_y](Fe_{(3x)Vx)O12的铁石榴石单晶(简记为代In的BCVIG)在0.45—0.80μm内的饱和极向磁光克尔旋转谱。在0.47μm附近观察到一个强的旋转峰值。通过改变In,V(Bi)的替代量获得了室温下磁矩抵消点附近0.47μm磁光旋转值与成份的关系。发现当替代量的变化通过磁矩抵消点时,克尔旋转的符号突然由正变负,但其绝对值并不依替代量趋近磁矩抵消点(总4πMs下降)而逐渐下降。还发现In的代入使磁光旋转有所增强,在y≈0.15时增强最大。借助总磁光旋转为Bi增强了的次点阵磁光旋转迭加的模型解释了代In引起的旋转增强。按此拟合实验结果导出了0.47μm下四、八面体次晶格旋转系数之比为α4/α8≈1.5即单位Fe³⁺在四面体比在八面体对磁光旋转的贡献大。实验结果还表明,在x<1.0的配方区,并有小量In代入(y<0.15)时可望得到大磁光旋转材料。考虑到低而可变的4πMs,高的居里点和相当大的磁光旋转,该配方区的代In的BCVIG在磁光各种应用中将是强有力的竞争者。 关键词：}