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81.
通过建立具有平面近横向各向异性场的非晶态合金薄带及膜的磁畴结构模型,利用线性化Maxwell方程组及Landau-Lifshitz方程,推出了在高频交变磁场及外加面内轴向直流磁场Hex作用下的铁磁材料的与取向相关的磁导率表达式,得到了对方位角平均的相对磁导率及阻抗的计算式,导出了磁导率与张量磁化率分量间的关系,对材料磁导率的实部及虚部随Hex的变化进行了计算,并给出了对应的磁谱图.建立的磁导率与外磁场的理论关系可将Panina及Kraus给出的理论结果统一起来.
关键词:
非晶态合金薄带及膜
取向相关磁导率
GMI效应理论与计算
近横向各向异性场 相似文献
82.
83.
5‐Amino‐4‐methyl‐2‐phenyl‐6‐substitutedfuro[2,3‐d]pyrimidines ( 2a‐c ) were reacted with 2,5‐dimethoxytetrahydrfuran to afford the pyrrolyl derivatives 3a‐c . Compound 3a was chosen as intermediate for the synthesis of poly fused heterocycles incorporated furopyrimidines moiety 4–11 . Some of the synthesized compounds were screened for their antibacterial and antifungal activities. 相似文献
84.
利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+Δ1+ΔN.当N掺杂浓度达到
关键词:
压电调制反射光谱(PzR)
xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜
分子束外延(MBE) 相似文献
85.
通过固相反应法制备了Er3+/Yb3+共掺杂ZrO2-Al2O3粉末的样品,并对样品在980nm激光激发下的上转换发光特性进行了研究.从发射光谱可以发现,在可见光范围内有3个强的发光带,一个位于654nm附近的红光带和两个分别位于545nm、525nm附近的绿光带,分别对应于Er3+离子的以下辐射跃迁:4F9/2→4I15/2、4S3/2→4I15/2、2H11/2→4I15/2.其中又以Er3+离子的4F9/2→4I15/2跃迁产生的红色荧光辐射最强.对其上转换发光机制进行了分析,发现这三个发光过程都是双光子过程.对样品粉末进行了XRD检测,发现ZrO2主要以立方相为主,并且计算得到了这种立方结构的晶格常数.Al2O3固溶于ZrO2中,Al3+嵌入ZrO2后产生氧空位,导致ZrO2晶体的对称性降低,这种结构变化更有利于提高上转换效率,即上转换发光强度增强. 相似文献
86.
根据生产任务选择加工设备进行制造资源重组是实现可重构制造系统的关键问题之一,由于设备的选择涉及到多种因素,既有定量指标,又有定性指标,传统的依靠人工经验的方法显得力不从心。本文首先结合实际情况,提出了一套设备选择评价体系,通过对模糊判断矩阵采用最小对数二乘法确定各评价因素的权重系数,针对定性指标和定量指标采用不同的方法确定其性能指标值,通过模糊积分对评判指标进行综合评判,最后进行了实例研究。所提出的方法有效地简化了决策过程,为可重构制造系统设备选择提供了一套行之有效的方法。 相似文献
87.
In this paper, by using qualitative analysis, we investigate the number of limit cycles of perturbed cubic Hamiltonian system with perturbation in the form of (2n+2m) or (2n+2m+1)th degree polynomials . We show that the perturbed systems has at most (n+m) limit cycles, and has at most n limit cycles if m=1. If m=1, n=1 and m=1, n=2, the general conditions for the number of existing limit cycles and the stability of the limit cycles will be established, respectively. Such conditions depend on the coefficients of the perturbed terms. In order to illustrate our results, two numerical examples on the location and stability of the limit cycles are given. 相似文献
88.
铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点,其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和最重要的挑战之一.从20世纪90年代开始,超深亚微米(特征尺寸≤0.18 μm)铝互连技术面临了更加复杂的电迁移可靠性问题.从电迁移理论出发,分析概括了铝互连电迁移问题的研究方法,总结了上世纪至今关于铝互连电迁移问题的主要经验;最后结合已知的结论和目前芯片制造业现状,分析了当前超深亚微米铝互连线电迁移可靠性挑战的原因和表现形式,提出了解决这些问题的总方向.
关键词:
电迁移
铝互连
微结构 相似文献
89.
90.