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51.
I. E. Orlow und T. Xenofontowa 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1938,113(1-2):68-70
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52.
A. Grittner J. Szilasi C. R. Alder Wright und C. Thompson 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1886,25(1):594-595
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53.
Broockmann Versuche Uranlösung und Alexander E. Haswell 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1883,22(1):90-91
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54.
R. Hefelmann P. Mann A. Aignan F. Filsinger und H. Amsel 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1902,41(1):66-68
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55.
G. Jander und W. Brösse 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1929,77(3-4):147-148
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56.
Characterizations of Tb:Zn2SiO4 films on silicon wafer prepared by sol-gel dip-coating and solid-phase reaction 
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下载免费PDF全文 Terbium-doped Zn_2SiO_4 films were successfully prepared on Si wafers by a simple sol-gel dip-coating and solid-phase reaction method of ZnO and SiO_2. X-ray diffraction (XRD) and UV－Vis absorption results revealed that films processed below 850℃ were ZnO in wurzite structure, and films processed above 850℃ were Zn_2SiO_4 in wellimite structure. Photoluminescence measurements of the Tb-doped Zn_2SiO_4 films showed two strong emission bands at 490 and 545nm. The photoluminescence lifetime was 4.6ms. 相似文献
57.
H. E. Schweyer R. N. Traxler und L. A. H. Baum 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1940,119(1-2):58
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58.
E. Claudon D. Mendelejeff F. Rasiski M. J. Lazarus und L. Godefroy 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1886,25(1):375-377
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59.
W. Jani und E. Reichardt 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1872,11(1):71-73
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60.
Worm Müller Jac G. Otto Arno Behr und O. Hesse 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1884,23(1):82-85
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