Eu,Dy共掺杂SrAl2O4长余辉材料制备新工艺

活化Al-Sr合金粉末水解制备SrAl₂O₄长余辉材料的前驱体,并采用高温固相反应法制备出Eu,Dy共掺杂的SrAl₂O₄长余辉材料,对其微观结构和发光特性进行了研究。实验结果表明:前驱体中Al、Sr元素在微观状态下分布均匀,所制成的长余辉发光材料的发射主峰位于520nm附近,为典型的Eu²⁺离子4f5d-4f的特征发射,初始亮度达到18cd/m²,余辉时间长达46h。     

长余辉材料Sr_2MgSi_2O_7∶Eu~(2+),Dy~(3+)中稀土离子的发光特性

利用同步辐射光源(德国HASYLAB实验室的SUPERLUMI实验站)和真空紫外激光(157.6nm)对新型蓝光发射长余辉材料Sr2MgSi2O7∶Eu2 (0·2%),Dy3 (8%)进行了光谱研究。在170nm同步辐射光源激发下,观察到对应Eu2 :5d-4f跃迁的477nm发射带和对应Dy3 :4f-4f跃迁的两组线谱发射,其中只有来自Eu2 的5d-4f发射对长余辉光谱有贡献。在157.6nm激光激发下,除了上述发射外,还明显观察到对应Eu3 的红色线谱(590,614,626nm)。结合这些光谱特性,对Sr2MgSi2O7∶Eu2 ,Dy3 中稀土离子的发光特性以及长余辉发光机理进行了讨论,并提出了Eu2 充当空穴陷阱的可能性。     

P.Turán第24个问题的肯定回答

本文给出Turán第24个问题的完全解:若Hermite-Fejer插值过程对任何都一致收敛,则定义在同一节点上的Lagrange插值过程对每个Lipα都一致收敛,其中α≈0.988。     

对一个统计控制问题的再探讨

本文对利用回归模型进行统计控制的问题进行了进一步研究,发现已有的方法有值得改进之处,并为此提出了一种新的求解控制阈值的方法。模拟和实例研究表明我们的方法适用于一般的误差分布情形,而且在误差分布为非正态时优于已有的方法。     

基于三维矩阵重构争论有向图的域间路由振荡检测算法

边界网关协议(Border G atew ay P rotoco l,BGP)是当前In ternet域间路由协议的事实标准,基于策略的路由选择过程使它不再是严格意义上的距离矢量协议,也不再具有距离矢量协议的收敛性.V aradhan指出,自治系统各自为政的策略配置方式会导致全局策略冲突,引起永久性的路由振荡.针对该问题,G riffin利用稳定路径问题(S tab le Path P rob lem,SPP)模型形式化的抽象出BGP协议行为,并以此为基础提出了一种分布式的策略冲突检测算法,尽管该算法完全避免了传统方法的缺陷,但仍然存在泄漏策略信息和对BGP协议改动太大以及浪费网络资源的问题.本文提出了一种基于安全多方计算的检测路由策略冲突的方法,用于在怀疑BGP路由发生振荡时,动态的检测系统中是否存在策略冲突.该方法采纳了G riffin的理论基础,同时由于巧妙的运用了安全多方计算协议,可以完全解决G riffin算法的问题,具有很好的实用性.     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.     

Probabilistic Teleportation of an Arbitrary Unknown Two-Qubit State via Positive Operator-Valued Measure and Two Non-maximally Entangled States

We present a scheme for probabilistically teleporting an arbitrary unknown two-qubit state through a quantum channel made up of two nonidentical non-maximally entangled states. In this scheme, the probabilistic teleportation is realized by using a proper positive operator-valued measure instead of usual projective measurement.     

Scheme for Deterministic Quantum Teleportation of an Arbitrary Two-Particle State via Two EPR Pairs in Cavity QED

A deterministic teleportation scheme for an arbitrary two-particle state is proposed in cavity QED. The success probability can reach 1.0. In addition, the scheme is insensitive to both the cavity decay and the thermal field.     

有限步扩散反应置限分形聚集

综合考虑扩散粒子浓度n、粒子扩散限制范围Δ、扩散粒子与种粒子或团簇相遇时，反应概率P及粒子扩散步数W的影响，提出了有限步扩散反应置限聚集的分形生长模型，模拟得到一系列典型的聚集生长图形，计算了相应的分形维数.结果表明，在粒子浓度n较小时，呈离散团簇状生长；而在粒子浓度较大时，则随反应概率P或粒子扩散步数W的增大，从离散团簇状生长转变为连续枝叉状生长. 关键词：     

喷雾干燥-高温固相法制备纳米LiFePO4与LiFePO4/C材料及性能研究

采用喷雾干燥-高温固相法制备纳米LiFePO₄与LiFePO₄/C正极材料，用X-射线衍射，扫描电镜等对合成材料进行了表征，并对以LiFePO₄为正极的电池进行了电化学性能测试。结果表明:材料合成最佳煅烧温度为600 ℃;合成过程中由于碳对LiFePO₄晶型的生长有一定的抑制作用，相对于纯LiFePO₄材料，LiFePO₄/C材料粒径更小;并且，在此最佳合成温度下合成的LiF