基于有机异质结的有机-无机复合单量子阱发光性质的研究

制备了包含有机异质结的有机-无机复合单量子阱器件ITO＼SiO₂(60 nm)＼MEH-PPV(40 nm)＼Alq₃(40 nm)＼SiO₂(60 nm)＼Al。通过对这种新结构器件光致发光和电致发光的研究,发现介电限域效应和量子尺寸效应对它的发光和电学性质有明显的影响。在交流电驱动下,OISQWOH(organic-inorganic quantum well with organic heterojunction)有三个发光峰：410,510和590 nm。其中410 nm的发光与MEH-PPV的扩展态相关,510和590 nm的发光分别来源于Alq₃和MEH-PPV的激子发光。     

壳聚糖修饰PLGA阳离子型纳米微球的制备与表征

采用单乳化-溶剂(O/W)挥发技术制备表面带正电荷的壳聚糖(CHS)修饰聚乙/丙交酯(PLGA)纳米微球(PLGA/CHS), 通过正交试验优化了纳米微球的制备条件. 结果表明, 微球粒径可控制在150～200 nm内, 在pH=4时, 纳米微球表面电位最高为55 mV. 影响微球粒径的主要因素是聚合物的浓度, CHS的分子量和浓度以及介质的pH值对微球表面电位也有明显影响. 制备粒径较小而表面电位较高的PLGA/CHS纳米微球条件为: ρ(CHS)=3 mg/mL, ρ(PLGA)=10 mg/mL, Vo/Va=1/4. SEM图像显示经CHS修饰的PLGA的纳米微球形状规整, 荧光显微观察和XPS分析结果证实CHS包覆于微球表面.     

重型值点阵的样条插值统一求解算法

统一求解算法从分析重型值点对控制顶点的影响入手,合理修改插值样条控制顶点方程组的系数矩阵,无需以型值点为界分段求解,而是一次性求出所有控制顶点,比分段求解算法简单,并引入了光顺因子,使曲线曲面在重型值点处的光顺程度可灵活控制,利用该算法还能构造出夹尖点、棱角以及平面片的复杂曲面.