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利用吩噻嗪单体的空穴传输能力、吩噻嗪衍生物单体的拉电子特性和它们分子结构的非共面性,制备了高效的含吩噻嗪及其衍生物结构单元的对苯撑乙烯聚合物有机电致发光材料P1。同时在单体中引入了烷氧基和长链烷基,使得合成的聚合物在四氢呋喃、氯仿、二氯甲烷、甲苯等溶剂中有较好的溶解性。研究吩噻嗪衍生物单体的拉电子特性对聚合物P1的电子传输性能的影响,合成不含吩噻嗪衍生物的同一类型聚合物P2。制备以聚合物P1和P2为发光层的单层OLED器件,经测量,聚合物P1的器件外量子效率是聚合物P2器件的3.5倍。 相似文献
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The nonradiative recombination effect on carrier dynamics in GalnNAs/GaAs quantum wells is studied by timeresolved photoluminescence (TRPL) and polarization-dependent TRPL at various excitation intensities. It is found that both recombination dynamics and spin relaxation dynamics strongly depend on the excitation intensity. Under moderate excitation intensities the PL decay curves exhibit unusual non-exponential behaviour. This result is well simulated by a rate equation involving both the radiative and non-radiative recombinations via the introduction of a new parameter of the effective concentration of nonradiative recombination centres in the rate equation. In the spin dynamics study, the spin relaxation also shows strong excitation power dependence. Under the high excitation power an increase of spin polarization degree with time is observed. This new finding provides a useful hint that the spin process can be controlled by excitation power in GaInNAs systems. 相似文献
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