模糊事件贝叶斯公式

讨论了模糊事件的概率及其基本性质 ,并通过对经典贝叶斯公式的推广 ,提出了模糊事件的贝叶斯公式 .     

有限混合Gamma分布的拓扑稠密性证明

首先给出了有限混合Erlang分布在正实数轴上所有概率分布中稠密的理论证明,进而给出了混合Gamma分布具有稠密性的结论,说明有限混合Gamma分布具有广泛的适用性,可以用来刻画正实数轴上的任意随机变量.     

关于开紧映射与Arhangel’skiǐ的问题

首先构造一T_2的亚紧空间使其不是任一仿紧T_2空间的开紧映象,否定了A．Arhangel'skiǐ1962年提出的一个问题；其次利用构造开紧映射的方法指出存在具有G_δ对角线的T_2的次亚紧空间使其不具有G_δ~*对角线,肯定地回答了1999年R．Hodel提出的一个猜测．     

X波段介质和金属膜片混合加载行波加速结构的传播特性计算及模型腔的有关研究

计算了X波段(f=9.37GHz)介质和金属膜片混合加载行波加速结构的TM₀₁模和HEM₁₁模的色散曲线, 结果表明HEM₁₁模的截止频率比TM₀₁模的低, 说明与盘荷波导相比, 该种新加速结构单束团的BBU效应得到改善.实验研究优选得到了适用于该种新加速结构的介质(ε_r=5.812). 采用MAFIA程序优化设计了模型腔, 测试频率与设计的数值吻合得很好.     

SILEX-1装置上等离子体尾场加速电子初步实验

激光等离子体加速电子机制可以产生准单能的高能电子束, 近年来成为国际上的研究热点. 中国工程物理研究院激光装置已经能够达到286TW的输出功率, 为国内在该领域的研究提供了实验条件. 文章介绍了在SILEX-1装置上开展的激光等离子体加速电子的初步实验, 并对测得结果进行讨论, 为下一步实验的进行提供了准备条件.     

包含高阶摄动项的光学孤子演化方程的严格推导

利用奇异摄动多重尺度导数展开法,从非线性介质中的原始Maxwell方程组出发,导出了修正非线性schrdinger方程,给出了其不同形式的等价的两种表达式;同时还指出了Kodama利用约化微扰法推导此方程的不严格之处。     

Spectroscopic and Structural Study of the 1：2 Aluminium（Ⅲ） Complex of Quercetin

Complex formation between aluminium and quercetin（Q） in methanol was investigated by means of 27^Al solid-state, 13^C and 1^H NMR and MS（ESI）, UV and IR spectra. Formation of the 1：2 complex was favored in methanol relative to all other solvent and the predominant species observed of Al（Ⅲ） has a 1：2 stoichiometry. The fine structure of 1：2 aluminum complex of quercetin was that the aluminum central atom chelated with two quereetin molecules and two methoxyl groups between two five membered rings, its coordination is six, the chelated site was 3-hydroxy-4-carbonyl.     

固化疏浚泥作为填方材料的试验研究

港口、航道的建设和维护工程产生了大量的疏浚泥，如何处理这些疏浚泥已是国内外十分关注的问题．从资源的再生利用出发，提出利用固化材料固化疏浚泥作为填方材料的设想，并通过强度试验、溶出试验等一系列试验证实，固化疏浚泥作为填方材料在技术经济指标上完全可行．     

LaB6在低压强氮气和氦气中的放电特性

 研究了LaB₆在1~10 Pa氮气和氦气中的直流和脉冲放电特性以及放电过程对电极的影响。结果表明，电极直径为5 mm的LaB6氦气放电管在脉冲工作状态下可以长期稳定放电。在脉冲电压为2.2 kV、脉冲宽度10 ms、频率13.3 Hz下，脉冲峰值放电电流超过120 A。氦气放电管在放电过程中，阴极表面有离子的清洗和活化作用，可以使电极的表面逸出功降低，提高放电管的发射能力和稳定性。LaB₆作为气体放电电极具有寿命长、延迟时间短、放电电流大等优点，可用于重复强流脉冲气体放电的高压高速开关器件。     

无催化纳米氧化锌的制备及其光学性质研究

本文采用无催化剂直接蒸发高纯Zn粉,在800℃氧气氛条件下,在Si(111)衬底上生长得到以四角状为主的纳米ZnO(T-ZnO)。T-ZnO纳米线每个角约互成110°,长度约为1.5μm,直径100nm左右;Raman分析表明E2(H)普遍存在于各形态的ZnO;光致发光光谱表明,T-ZnO纳米线的光致发光除了与材料性质有关,还与杂质缺陷有关,蓝绿光带是ZnO的缺陷产生的。