亚直不可约DQrC-环

在文[1]中我们引进了DQ_rC-环,本文给出了忠实的与不忠实的DQ_rC-环为亚直不可约环的充分必要条件.由于DQ_rC-环是比DQC-环更广泛的环类,所以本文推广了W.Burgess等人在DQC-环方面相应的工作.     

PLD法生长n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结的电学性能研究

用高功率脉冲激光轰击Zn1-xCoxO,得到锌、钴和氧的原子、分子和团簇等混合体,并在p型单晶Si表面反应生成n型Zn1-xCoxO.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)研究表明,这层材料是结构致密均匀、呈c轴高度择优取向的薄膜,与p型Si材料形成n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结.在Zn1-xCoxO中加入H,生成了Co-H-Co聚合体,异质结的势垒高度随着Co含量的增加而增加,同时深能级的Co-d轨道捕获作为浅施主的间隙H提供的电子,造成的体系n型半导体层的载流子浓度降低,电阻率提高,使得n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结在6.5V时漏电流降致6×10-3 mA,反向击穿电压超过20V,电学性能得到显著改进.     

流动注射-ICP光谱分析中的基体效应和酸效应研究

本文讨论了流动注射-ICP光谱分析中的基体效应和酸效应。当基体(Na、Ca、Fe、Zn)的浓度大于5mg/ml时,待测元素的谱线强度表现出不同程度的降低;上述基体的引入对激发温度和电子密度的影响不明显;基体产生的抑制效应可能与改变了待测元素粒子的激发几率的因素有关;于载流体中加入一定量的基体元素,是消除或降低基体效应的有效方法。酸(HCl、HNO_3、H_2SO_4)对待测元素表现出不同程度的抑制效应,其主要原因是物理干扰所致。     

GaAs/AlAs超晶格的近共振喇曼散射研究

本文介绍GaAs/AlAs超晶格的室温近共振喇曼散射测量结果。由于超晶格中Fr?hlich相互作用的共振增强效应,GaAs LO声子偶模的散射得到了很大的增强。和前人的结果一样,在偏振谱我们观察到了偶模。但和前人的结果不同,在退偏振谱中我们观察到的是奇模,而不是偶模。从而证明了在近共振条件下LO声子限制模仍遵从与非共振时一样的选择定则。二级喇曼散射实验结果表明,在偏振谱中二级谱是由两个偶模组合而成,而在退偏振谱中的二级谱与前人的结果不同,由一个奇模与一个偶模组合而成。上述结果与最近提出的黄朱模型的预言是一 关键词：     

Average Atom Model in Hot Plasmas

Ａｖｅｒａｇｅ　Ａｔｏｍ　Ｍｏｄｅｌ　ｉｎ　Ｈｏｔ　ＰｌａｓｍａｓＡｖｅｒａｇｅＡｔｏｍＭｏｄｅｌｉｎＨｏｔＰｌａｓｍａｓ￥ＹｕａｎＪｉａｎｈｕｉ；ＳｕｎＹｏｎｇｓｈｅｎｇ；ＺｈｅｎｇＳｈａｏｔａｎｇ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃ...     

塞曼石墨炉原子吸收光谱法测定粉尘降尘中痕量锡

以KOH熔样,又以KOH作基体改进剂,研究了测定锡的灰化温度、原子化行为和消除干扰及试样前处理的方法,以KOH熔解的粉尘及降尘样液,特别适用于塞曼石墨炉的测定,背景可完全扣除。方法简便、快速、准确,灵敏度和精度高。相对标准偏差为4.0%,回收牢在96.4～110%范围内。     

有限分形介质中分数阶反应扩散方程及其解析解

建立了有限分形介质中具有吸附效应的分数阶反应扩散积分方程.利用Lap lace变换、广义有限H ankel变换及其相应的逆变换得到了以M ittag-Leffler函数为主要形式的解析解,并研究了解的渐近性态.     

17N+197Au反应中碎片与中子的符合测量

在3?3?.4MeV/u ¹⁷N束轰击¹⁹⁷Au靶产生的反应中,利用放置于不同角度组合的17个中子探测器(4°—83°)和14个半导体望远镜(2.3°—9.0°)对反应产物碎片与中子进行了符合测量.经对所得实验角分布积分得到Z=3—6元素的同位素产额分布.在参加者-旁观者模型框架下,采用¹⁷N原子核内部的不同密度分布计算了同位素产额分布并与实验数据做比较.     

正定矩阵标准型的复合矩阵的一般形式

实对称正定矩阵的复合矩阵正定性的研究已有结论,但对于一般意义下的正定矩阵的复合矩阵是否仍然是正定的研究需要利用一般的正定矩阵的标准形的复合矩阵进行讨论,给出了一般公式及具体算法,为讨论其复合矩阵的正定性提供了基础条件.     

相关系数与相关性度量

研究了度量相关性的两个主要工具:线性相关系数和尾部相关系数.线性相关系数反映了变量间的线性相关性,这对于一般的椭圆型分布是合适的.但如果随机变量具有不对称的尾部变化特征时,要用尾部相关系数描述它们之间的相关性.通过相关函数C opu la,对沪深股市的尾部相关系数进行了定量分析.结果表明:沪深股市具有较强的相关性.