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111.
采用高效液相色谱法对某保健酒中淫羊藿苷成分进行分析研究,结果表明,保健酒中淫羊藿苷的平均含量为0.627%,平均回收率为98.1%,相对标准差(RSD)为2.1%.本分析方法也适用于其他保健酒、药材和药品中淫羊藿苷成分的分析测定. 相似文献
112.
113.
Based on the measured transverse mass spectra ofπr-, K-, and p at the RHIC energy s()NN = 130 GeV,di-omega productions from baryon-baryon reactions in hadronic matter are studied. Results about the (ΩΩ)0+ numbershow that the deeply bound state (ΩΩ)o+ can be observed at RHIC energies. 相似文献
114.
115.
The distortion theorem for biholomorphic convex mappings in bounded symmetric domains are considered. Especially the distortion theorem for biholomorphic convex mappings in classical domain of type IV and two exceptional domains are given. 相似文献
116.
117.
采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1-xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。 相似文献
118.
119.
Q. Gong R. N tzel P.J. van Veldhoven T.J. Eijkemans J.H. Wolter 《Journal of Crystal Growth》2005,280(3-4):413-418
We report on the shape transition from InAs quantum dashes to quantum dots (QDs) on lattice-matched GaInAsP on InP(3 1 1)A substrates. InAs quantum dashes develop during chemical-beam epitaxy of 3.2 monolayers InAs, which transform into round InAs QDs by introducing a growth interruption without arsenic flux after InAs deposition. The shape transition is solely attributed to surface properties, i.e., increase of the surface energy and symmetry under arsenic deficient conditions. The round QD shape is maintained during subsequent GaInAsP overgrowth because the reversed shape transition from dot to dash is kinetically hindered by the decreased ad-atom diffusion under arsenic flux. 相似文献
120.
采用快速提拉法生长出了透明、完整的γ-LiAlO2晶体,但是晶体的高熔点和易挥发性限制了γ-LiAlO2晶体质量.采用气相传输平衡法(vapor transport equilibration technique,VTE)工艺对晶体改性,半高宽(FWHM)值从116.9arcsec降至44.2arcsec,继续升高VTE处理温度至1300℃,FWHM值反而升高至55.2arcsec.快速提拉法生长出来晶体,[100]方向和[001]方向的热膨胀系数分别为17.2398×10-6/K,10.7664×10-6/K.经过三步VTE处理后[100]和[001]方向热膨胀系数降至16.6539×10-6/K和10.1784×10-6/K. 相似文献