Bridgman法生长TeO2晶体的缺陷分析

采用Bridgman法生长了二氧化碲(TeO2)晶体,运用光学显微镜、电子衍射光谱、化学腐蚀等方法分析了该方法生长TeO2晶体内部的缺陷.初步讨论了散射点、微裂纹、气泡和黑点、条纹以及腐蚀坑等微缺陷的形成机理.结果表明:晶体内部的散射点来自于原料中杂质,条纹主要是由于晶体内应力引起,晶体内的气泡和黑点和晶体生长的温度密切相关,并就如何减少这些微缺陷进行了初步探讨.     

催化动力学光度法测定痕量铜(Ⅱ)

1　引　　言中性红是一种氧化还原指示剂 ,变色范围ｐＨ为 6.8～ 8.0 ,酸式呈红色 ,碱式呈橙黄色。实验发现在弱碱性介质中 ,铜 催化双氧水还原中性红褪色反应。本文提出以该反应作为催化动力学光度法测定痕量铜的新指示反应 ,据此 ,建立了测定铜的新方法。本法具有操作简便、反应易控制、重现性好等特点。2　实验部分2 .1　仪器和试剂　ＵＶ 916型紫外可见分光光度计 (澳大利亚ＧＢＣ公司 ) ;72 3分光光度计 (上海第三分析仪器厂 ) ;ＰＨＳ 3型酸度计 (上海第二分析仪器厂 ) ;50 1型超级恒温水浴 (重庆试验设备厂 )。铜标准溶液 :1.0ｇ Ｌ…     

不同类型近破波作用下沉箱式防波堤的振动-提离摇摆运动

倾覆失稳是沉箱式防波堤的主要破坏形式之一,是稳定性验算的基本内容．采用质量-弹簧-阻尼器集总参数模型模拟沉箱式防波堤在单峰值冲击型、双峰值冲击型和冲击-振荡衰减型等不同类型近破波作用下的振动-提离摇摆运动过程,研究了不同类型近破波和沉箱的提离摇摆运动对沉箱式防波堤动力响应的影响．结果表明,在近破波冲击力幅值相同的条件下,近破波类型对沉箱的动力响应影响很大;提离摇摆运动虽然会使沉箱的转角幅值增大,但可有效地减小沉箱的位移、滑移力和倾覆力矩幅值．研究成果为允许沉箱式防波堤出现提离摇摆运动的设计概念提供了理论基础．     

Co掺杂ZnO薄膜的局域结构和电荷转移特性研究

采用磁束缚电感耦合等离子体溅射沉积法在不同的氧气分压下制备了Zn_0.95Co_0.05O和Zn_0.94Co_0.05Al_0.01O薄膜.利用X射线吸收精细结构技术对薄膜O-K,Co-K和Co-L边进行了局域结构研究,结果表明：Co²⁺取代了四配位晶体场中的Zn²⁺而未改变ZnO的六方纤锌矿结构,高真空条件下制备的薄膜 关键词： Co掺杂ZnO 稀磁半导体 X射线吸收精细结构 共振非弹性X射线散射     

双层钙钛矿锰氧化物Nd_(2-2x)Ca_(1+2x)Mn_2O_7(x=0.4,0.5)的磁相变特性

利用固相反应法制备了Nd2-2x Ca1+2x Mn2O7(x=0.0-0.9)多晶样品,通过FULLPROF程序对样品X射线衍射图谱进行了精修,样品的空间群为14/mmm.测量了样品x=0.4,0.5的磁性(5K相似文献   

油井样品NMR T2谱的影响因素及T2截止值的确定方法

T₂ 谱是核磁共振（NMR）测、录井技术应用与解释、评价的基础. 岩样T₂ 谱受仪器测量参数、样品性质（岩性、颗粒大小、样品粒度、样品干湿状态、孔隙流体含量及性质、磁化率、润湿性）及地层水矿化度等因素的影响. T₂ 截止值是T₂ 谱中最重要的参数之一,选取的科学性与准确性直接影响到核磁共振测量结果. 通过文献查询,对T2 谱的影响因素及T₂ 截止值的确定方法进行了分析.     

激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响

采用钒掺杂半绝缘4H-SiC衬底,利用磁控溅射在硅衬底上制备了Ni/Au金属电极,并封装加工成同面型横向电极结构SiC光导开关,研究了不同激光触发能量对光导开关光电响应及导通电阻的影响。用波长532nm的激光作为触发源,当激光触发能量从26.7mJ增加到43.9mJ时,光导开关的导通电阻从295Ω降低到197Ω。利用复合理论推导出激光触发时导带中载流子浓度随时间的变化规律,并利用MATLAB模拟计算了不同触发能量下开关的导通电阻,得到了与实验较一致的结果。在此基础上,提出了降低开关导通电阻的两种途径。     

SBA-15固载金属氧化物介孔材料的研究进展

介孔分子筛SBA-15具有独特的物理化学性质和广阔的应用前景,成为目前众多研究领域的一个研究热点。本文结合我们自己的工作和国内外相关研究,较全面地阐述了近年来几种SBA-15固载金属氧化物介孔材料的研究状况,并展望了今后其研究、发展方向和应用前景。     

大功率LED热管散热器的热设计研究

给出了一种应用于大功率LED散热的新型热管翅片散热器,该散热器能够有效利用自然风和垂直对流,建立了散热器结构模型,采用Icepak软件分析了散热器参数对大功率LED芯片结温的影响规律.结果表明,热管导热系数、直径以及自然风风速对芯片结温有显著影响,芯片结温随热管导热系数、直径以及自然风风速的增加而降低,翅片导热系数和表...     

Band alignment of Ga2O3/6H-SiC heterojunction

A high-quality Ga₂O₃ thin film is deposited on an SiC substrate to form a heterojunction structure. The band alignment of the Ga₂O₃/6H-SiC heterojunction is studied by using synchrotron radiation photoelectron spectroscopy. The energy band diagram of the Ga₂O₃/6H-SiC heterojunction is obtained by analysing the binding energies of Ga 3d and Si 2p at the surface and the interface of the heterojunction. The valence band offset is experimentally determined to be 2.8 eV and the conduction band offset is calculated to be 0.89 eV, which indicate a type-II band alignment. This provides useful guidance for the application of Ga₂O₃/6H-SiC electronic devices.