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利用密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,研究过渡金属X(X=Cr、Mn、Fe、Tc、Re)原子掺杂Janus Ga2SSe的磁性、电子性质及光学性质.研究表明:过渡金属掺杂Janus Ga2SSe体系在Chalcogen-rich条件下有着比Ga-rich条件下更好的稳定性.其中Mn掺杂体系形成能在两种条件下皆为最低.本征Ga2SSe是具有2.02 eV带隙的间接带隙半导体,在紫外区域有着很好的光伏吸收能力.与本征Ga2SSe相比,Cr掺杂体系自旋向上通道出现杂质能级,自旋向上与向下通道不对称,呈磁矩为2.797μB铁磁性半金属. Mn掺杂体系在其自旋向上通道产生的杂质能级,呈磁矩为3.645μB的磁性P型半导体. Fe掺杂体系自旋向下通道产生的杂质能级,呈磁矩为3.748μB磁性P型半导体.在Tc与Re掺杂后,带隙皆由间接变直接带隙,呈无磁性的P型半导体.从光学性质来看,各掺杂体系与未掺杂Ga2SSe在介电... 相似文献
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在经典波系统中,赝磁场作为人工合成的规范场,可以像真实磁场一样调控波的传输,从而受到了人们的广泛关注.本文利用在二维光子晶体中引入单向线性梯度形变的方式,构建空间均匀分布的赝磁场.强赝磁场的存在导致光子晶体出现朗道能级量子化.与真实磁场不同,光子晶体赝磁场在两个不等价的能谷中相反,系统的时间反演对称性没有被打破.设计的光子晶体支持边界态的输运,并且能够使波束的传输路径发生弯曲.将具有相反赝磁场的光子晶体构造在一起还能够实现有趣的“蛇态”传输,为操控电磁波的传输并设计信息处理器件提供了良好的平台. 相似文献