敌百虫催化联苯胺-过硼酸钠体系的极谱行为及其应用

用单扫描极谱方法研究发现敌百虫催化联苯胺过硼酸钠体系产生一灵敏的还原峰,其峰电位为-0.7V(vs.SCE),峰电流与敌百虫的浓度在8×10-7～1×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系(r=09991),据此提出了一种检测敌百虫的新方法。检出限为8×10-8mol/L。对8×10-5mol/L的敌百虫溶液进行6次平行实验,RSD为3.06%。研究了电极反应机理,并应用本方法测定植物样品中敌百虫的残留量,结果良好。     

水样中低含量氯的分离与同位素质谱法测定

采用阳离子交换树脂,动态和静态交换相结合,对低氯浓度样品特别是雨水中的氯进行分离、提纯的简易方法。氯的回收率大于97％,能满足氯同位素质谱测定需要。氯同位素采用基于Cs2Cl^ 离子的正热电离质谱法测定,结果表明分离过程无明显的同位素分馏,本方法为雨水的氯同位素地球化学研究提供了可能。     

单步电沉积法制备CuInS2薄膜

采用单步电沉积法在Mo基底上制备了高质量的CuInS2薄膜. 用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了样品的结构和形貌, 研究了沉积电位、退火温度、pH值、反应物浓度等工艺条件对制备的CuInS2薄膜形貌、组分及性能的影响. 制备的CuInS2薄膜致密平整, 呈黄铜矿结构, 晶粒大小为1-2 μm. 用紫外-可见光分光光度计测试了其光学性能, 计算得到常温下禁带宽度为1.41 eV, 非常适合用作薄膜太阳电池的吸收层材料.     

类黄酮抑制P糖蛋白的三维定量构效关系与作用模式

采用基于R基团搜索技术的Topomer CoMFA建立了30个类黄酮类P糖蛋白抑制剂的三维定量构效关系(3D-QSAR)模型, 并用包括9个样本的测试集验证模型的外部预测能力. 所得模型的拟合、 交互验证以及外部验证的复相关系数分别为r²=0.971, q²=0.728和\begin{array}{c}{r}_{\mathit{pred}}^2\end{array}=0.816. 在此基础上, 运用Surflex-dock分子对接法研究了白杨素及其异戊烯化衍生物与P糖蛋白的作用模式. 结果表明, 异戊烯化修饰可显著提高类黄酮的亲脂性, 修饰产物能更好地与P糖蛋白的疏水性口袋契合, 二者结合程度高.     

原子分子在Ni(100)表面吸附的第一性原理研究

本文采用密度泛函理论,结合周期性平板模型,通过对原子H、N、O、S和C,分子CO、N2、NH3、NO,以及自由基CH3、CH、CH2、OH在Ni(100)表面吸附的研究,比较了它们的吸附能,稳定吸附位点,吸附结构及扩散能垒等信息. 这些吸附质与表面结合能力从小到大依次是N2相似文献   

重大事件与政策调整对杭州市住房市场价量波动的影响

基于2004~2015年杭州市主城区新建商品住宅月度交易价格和成交套数数据,采用圆频率(circle-frequency CF)滤波和结构突变检验法,研究重大事件与政策调整对杭州市住房市场周期波动的影响.发现重大事件和政策导致房价序列及交易量序列出现周期拐点,并存在结构性断点,其中金融危机、"救市政策"与"新国十条""新国五条"及其细化产生的限购令等调控政策对杭州主城区新建商品住宅价格和交易量影响最大,影响周期长、幅度大.后两者还与价格和交易量的结构突变点紧密相关.     

高端科普——化学类研究生必需的五谷杂粮

借助早期“兰学”的发展及其对社会的影响,引出并分析了化学类研究生在深入研讨本学科的同时,及时学习和了解其他专业的前沿科研信息、进行高端科普研究的必要性。结合高校教学实际,对高端科普的实现途径提出了若干建议。     

关于Frobenius-Euler多项式的高阶卷积公式

研究了Frobenius-Euler多项式,运用生成函数思想和组合技巧建立了该多项式的一个高阶卷积公式,使得Dilcher的经典结果被作为特殊情况获得.     

V形坑尺寸对硅衬底InGaN/AlGaN近紫外LED光电性能的影响

使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了InGaN/AlGaN近紫外LED,通过改变低温GaN插入层的厚度调控V形坑尺寸,系统地研究了V形坑尺寸对InGaN/AlGaN近紫外LED(395 nm)光电性能的影响。结果表明,低温GaN插入层促进了V形坑的形成,并且V形坑尺寸随着插入层厚度的增加而增大。在电学性能方面,随着V形坑尺寸的增大,-5 V下的漏电流从5.2×10~(-4)μA增加至6.5×10~2μA;350 mA下正向电压先从3.55 V降至3.44 V,然后升高至3.60 V。在光学性能方面,随着V形坑尺寸的增大,35 A/cm~2下的归一化外量子效率先从0.07提高至最大值1,然后衰退至0.53。对V形坑尺寸影响InGaN/AlGaN近紫外LED光电性能的物理机理进行了分析,结果表明:InGaN/AlGaN近紫外LED的光电性能与V形坑尺寸密切相关,最佳的V形坑尺寸为120~190 nm,尺寸太大或者太小都会降低器件性能。     

量子阱结构对含V形坑InGaN/GaN蓝光LED效率衰减的影响

使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了含V形坑的InGaN/GaN蓝光LED。通过改变生长温度,生长了禁带宽度稍大的载流子限制阱和禁带宽度稍小的发光阱,研究了两类量子阱组合对含V形坑InG aN/GaN基蓝光LED效率衰减的影响。使用高分辨率X射线衍射仪和LED电致发光测试系统对LED外延结构和LED光电性能进行了表征。结果表明:限制阱靠近n层、发光阱靠近p层的新型量子阱结构,在室温75 A/cm~2时的外量子效率相对于其最高点仅衰减12.7%,明显优于其他量子阱结构的16.3%、16.0%、28.4%效率衰减,且只有这种结构在低温时(T≤150 K)未出现内量子效率随电流增大而剧烈衰减的现象。结果表明,合理的量子阱结构设计能够显著提高电子空穴在含V形坑量子阱中的有效交叠,促进载流子在阱间交互,提高载流子匹配度,抑制电子泄漏,从而减缓效率衰减、提升器件光电性能。