一种面向多光谱图像的打印分色方法

为解决多光谱图像打印输出问题,提出一种用非线性优化技术实现光谱图像打印分色的方法,以同时提高再现图像的光谱精度和色度精度.从分析打印系统成色机理及Neugebauer光谱模型入手,比较了图像光谱特性和色度特性对打印效果的影响,可知输出图像光谱误差和色度误差对打印质量均至关重要;据此构造了图像光谱误差和色度误差目标函数,分别反映再现图像的光谱精度和色度精度,并根据实际打印过程对各打印基色的墨量控制值进行约束;最后采用非线性优化方法,逐点计算图像光谱对应的墨量控制值,实现打印分色.实验表明,该方法能同时兼顾再现图像的光谱精度和色度精度,与仅考虑光谱误差的迭代分色方法相比,再现色度精度能提高约3～10倍.     

红景天中微量元素的测定方法研究

采用高压硝化罐法对试样进行消解,分别用ICP-AES和AAS两种方法测定了红景天中Mg、Fe、Zn、Mn等微量元素的含量,回收率在96.0%—102.0%之间,相对标准偏差均小于2.00%。对两种方法比较无明显差异,但ICP-AES法简单,快速,灵敏度高,准确性好,且多元素同时测定。它能为红景天的药理、药效研究和综合开发利用,提供了广泛的科学依据。     

三种五元化合物的荧光光谱的量子化学研究

采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法,在6-31G^*水平上对三种五元杂环物质进行了构型优化,对优化后的构型做振动分析,均未出现虚频率。在此基础上通过轨道分析,探索了分子内部电子跃迁的机理。结果表明,这三种五元化合物HOMO到LUMO的跃迁是电子从C1、C2、C3和C4转移到杂原子(吡咯中的N原子,呋喃中的O原子和噻吩中的S原子)上,并在6-31G^*水平上用单激发组态相互作用(CIS)方法分别计算了三种物质的荧光光谱,所得计算结果与实验值基本符合。     

Fe_3O_4/SrTiO_3复合光催化剂降解甲基橙

用共沉淀法制备了SrTiO3光催化剂及Fe3O4/SrTiO3复合光催化剂.通过紫外-可见漫反射光谱、XRD、SEM-EDX对其进行表征,以甲基橙为探针分子考察其光催化性能.结果表明,适量Fe3O4的掺入可明显提高Sr-TiO3光催化剂对可见光的吸收,从而增强其光催化性能;在光降解甲基橙的反应中,掺杂10%Fe3O4的SrTiO3光催化剂其催化活性是纯SrTiO3光催化剂的两倍.     

两个晶态异质同构配合物荧光材料的合成、结构及性质

在水中采用蒸发溶剂的方法,合成了两个异质同构的单核配合物[M(phen)2(H2O)2]·2SIPH2·2H2O (M=Zn,Co),SIPH2=间苯二甲酸-5-磺酸根阴离子,phen=1,10-邻菲罗啉).在两个配合物结构单元中,中心离子与两个1,10-邻菲罗啉和两个水分子配位,形成[M(phen)2(H2O)2]2+阳离子.两个未配位的水分子与[M(phen)2(H2O)2]2+阳离子,SIPH2-阴离子通过氢键相互连接形成三维的网状结构.SIPH2-阴离子起到平衡电荷的作用.室温下两个配合物均具有荧光发射峰,其发射峰分别在460 nm和439 nm.与配体相比,均发生明显的红移.荧光寿命分别为1.7638 ms和1.6356 ms.     

电感耦合等离子体原子发射光谱法同时测定球墨铸铁用稀土镁球化剂中硅、镁、钙、锰、铝、钛及稀土总量

<正>稀土镁球化剂是以硅铁为原料,通过添加钙、镁和稀土将其含量调整至最佳范围熔融生产而成的合金,广泛应用于球墨铸铁的生产。稀土镁球化剂中硅、镁、钙、锰、铝、钛及稀土含量测定对稳定球墨铸铁的生产,保证球墨铸铁的质量至关重要。目前,稀土镁球化剂中各元素含量的测定参考《球墨铸铁用球化剂》中的方法,该方法中不同元素使用不同的测     

基于水相稳定和甲基修饰的二维锌框架化合物:合成,表征及药物缓释功能

采用甲基修饰的含氮辅助配体,与间苯二甲酸和六水硝酸锌在水热条件下合成一个水相稳定的金属有机框架物:{[Zn(BDC)(dmbpy)]·4H2O}n(1)(BDC=间苯二甲酸,dmbpy=3,3′-二甲基-4,4′-联吡啶),并对该化合物进行结构表征。X射线粉末衍射和差热分析结果显示该化合物表现出良好的热稳定性和水相稳定性。化合物1为二维结构,沿b轴方向存在0.92 nm×0.83nm和0.82 nm×0.39 nm的孔道。该化合物对5-氟尿嘧啶的包封率(质量分数)高达14.2%,并且在模拟体液中可缓慢释放70 h(37℃下,释放率在pH值为7.4和6.0时分别为94.5%和99%)。体内斑马鱼和体外MTT法结果显示该化合物浓度达到500μg·mL-1时生理依然安全。     

Performance enhancement of ZnO nanowires/PbS quantum dot depleted bulk heterojunction solar cells with an ultrathin Al_2O_3 interlayer

Depleted bulk heterojunction(DBH)PbS quantum dot solar cells(QDSCs),appearing with boosted short-circuit current density(J_(sc)),represent the great potential of solar radiation utilization,but suffer from the problem of increased interfacial charge recombination and reduced open-circuit voltage(V_(oc)).Herein,we report that an insertion of ultrathin Al_2O_3 layer(ca.1.2 A thickness)at the interface of ZnO nanowires(NWs)and Pb S quantum dots(QDs)could remarkably improve the performance of DBH-QDSCs fabricated from them,i.e.,an increase of V_(oc) from 449 mV to 572 mV,Jsc from21.90 mA/cm~2 to 23.98 mA/cm~2,and power conversion efficiency(PCE)from 4.29% to 6.11%.Such an improvement of device performance is ascribed to the significant reduction of the interfacial charge recombination rate,as evidenced by the light intensity dependence on Jsc and Voc,the prolonged electron lifetime,the lowered trap density,and the enlarged recombination activation energy.The present research therefore provides an effective interfacial engineering means to improving the overall performance of DBH-QDSCs,which might also be effective to other types of optoelectronic devices with large interface area.     

Light trapping and optical absorption enhancement in vertical semiconductor Si/SiO_2 nanowire arrays

The full potential of optical absorption property must be further cultivated before silicon(Si) semiconductor nanowire(NW) arrays become available for mainstream applications in optoelectronic devices. In this paper, we demonstrate both experimentally and theoretically that an SiO_2 coating can substantially improve the absorption of light in Si NW arrays.When the transparent SiO_2 shell is coated on the outer layer of Si NW, the incident light penetrates better into the absorbing NW core. We provide the detailed theoretical analysis by a combination of finite-difference time-domain(FDTD) analysis.It is demonstrated that increasing the thickness of the dielectric shell, we achieve 1.72 times stronger absorption in the NWs than in uncoated NWs.     

Mg-5Sm-xGd合金及其抗拉强度反常温度效应

采用光学显微镜、扫描电镜、 X射线衍射和电子拉伸试验等研究了时效态Mg-5Sm-xGd (x=1, 2, 3, 4)合金的显微组织和力学性能。结果表明：时效态合金主要由α-Mg基体以及位于晶内弥散分布的稀土相Mg₅Gd和Mg₄₁Sm₅组成,随Gd含量的增加,稀土相的种类没有发生明显变化;Gd含量可改变晶粒大小,随Gd含量的增多晶粒大小先减小后增大,在Gd含量为3%时合金晶粒最小;合金抗拉强度总体变化趋势为随温度升高先升高后降低,出现了抗拉强度反常温度效应;在同一温度下,3%Gd含量的合金抗拉强度最高,并随温度升高而升高,在300℃达到峰值229.9 MPa;合金的屈服强度随温度升高而升高,随Gd含量的增加先升高后降低然后再升高,在Gd含量为3%,拉伸温度为300℃时屈服强度最大;合金拉伸断裂方式主要为脆性断裂,随温度升高逐渐向韧性断裂转变;合金的抗拉强度反常温度效应可能与晶格常数,晶粒大小及第二相的变化有关。