离散记录时间的分布

使用组合数学与概率论的方法研究了离散和的纪录时间的分布,并得出两个纪录时间L(m)和L(m+1)的条件分布.     

等离激元激励表面增强拉曼光谱检测技术与仪器

本文总结了近年来基于传播型表面等离激元（Propagafingsurfaceplasmons,PSPs）参与的表面增强拉曼（Surface—enhancedRamanscattering,SERS）技术和仪器方面的研究进展．内容主要包括3部分：（1）基于PSPs激励拉曼散射的装置和技术,包括在消逝场下激发PSPs共振增强拉曼的原理与装置、与表面等离子体共振（Surfaceplasmonresonance,SPR）传感技术的联用及新型结构的长程等离激元激励拉曼技术的研究进展;（2）通过引入局域型表面等离激元（Localizedsurfaceplasmons,LSPs）进一步增强SERS,进而实现PSPs-LSPs共同增强拉曼的超灵敏检测技术,包括在消逝场激发的PSPs基础上,增加纳米粒子实现的PSPs与LSPs共同增强拉曼的原理、装置,以及用该方法进行生物体系的免疫识别检测,此外,还在微纳周期结构上实现了PSPs与LSPs共同激励拉曼;（3）基于PSPs耦合的定向SERS技术,包括在消逝场结构和周期结构上实现SERS定向耦合发射以达到高激发和高收集效率的新技术．     

下穿铁路隧道爆破振动衰减规律研究

基于Heelan短柱药包理论,引入等效作用半径的概念,得到内部瞬时激励荷载作用下爆破峰值振动速度的衰减模型方程,并通过量纲分析进行验证。结合下穿隧道爆破工程,研究不同雷管段位及不同炮孔类型对应的爆破峰值振动速度的衰减规律。此外,讨论球形装药、柱状装药条件下改进公式的药量形式表达式,结果显示,利用等效作用半径作为拟合参考变量可以综合考虑不同雷管段位及不同炮孔类型对爆破振动规律的影响。统计数据表明,利用改进公式得到的拟合效果最优,可以为类似隧道爆破振动研究提供参考。     

InAs/GaAs量子点激光器的增益和线宽展宽因子

利用气源分子束外延技术生长InAs/GaAs量子点激光器材料,制作了由5层量子点组成的500 μm腔长的激光器.首次使用增益拟合和波长加权的方法计算了激光器的线宽展宽因子.其中,增益拟合是对Hakki-Paoli方法计算增益的重要补充,对判断不同电流下的增益是否饱和具有重要作用.对最大模式增益求导数,当电流为50 mA时,差分增益最大值为1.33 cm-1/mA,然后迅速减小到0.34 cm-1/mA,此时电流为57mA(≈0.99Ith).第一次使用加权波长来计算中心波长的移动,发现△λ慢慢减小直至接近于0.整个计算方法避免了在直接选取数据点时造成的误差,线宽展宽因子计算值为0.12～2.75.     

液相微萃取-薄层色谱扫描法测定矿泉水中微量汞、铜

采用双硫腙螯合-液相微萃取, 富集水相中的Cu2+、 Hg2+ 200倍, 并结合条形点样-薄层色谱分离, 数字图象处理扫描定量, 建立了微量Cu2+、 Hg2+的分析方法. Cu2+、 Hg2+的检出限分别为0.6、 1.1 ng/mL, RSD(n=5)分别为 2.5%、 3.8%. 应用于两种市售矿泉水的测定, Cu2+的平均加样回收率分别为94.7%、 98.3%, Hg2+的平均加样回收率分别100.0%、 108.6%.     

16μm连续波PbSnSe半导体激光器的调谐特性及其在高分辨率光谱中的应用

本文报道了16μm连续波PbSnSe二极管激光器的调谐特性.以该激光器作为红外光源,测量了CO_2在618cm~(-1)、634cm~(-1)、667cm~(-1),N_2O在618cm~(-1)、588cm~(-1)等频率附近的吸收光谱.这些结果表明,激光器的模质量高,单模调谐范围宽.     

DETERMINATION OF CAPTURE BARRIERS OF DEFECTS FOR GaAs ALLOYS AND TRANSIENT PHOTO-RESISTIVITY SPECTROSCOPY

Si-doped Ga_0.7Al_0.3As grown by molecular beam epitaxy (MBE) and undoped Ga_0.47Al_0.53As grown by chemical beam epitaxy (CBE) have been investigated using a new deep level characterization method-transient photo-resistivity spectroscopy, which we recently developed. This method measures directly the capture process of deep centers. In GaAlAs, apparent capture barrier energy E_B= 0.25eV of DX center was determined and intrinasic capture barrier energy E_σ = 0.16eV was directly measured. In GaInAs, a defect with capture barier energy E_B= 0.2BeV was observed. The result proved that DX centers capture electron only from band L, belonging to small lattice relaxation model. The theoretical deduction of transient photo-resistivity spectroscopy was improved.     

外腔反馈对量子点激光器输出特性的影响

在对光栅外腔量子点激光器进行理论研究的基础上,分析了外腔反馈对Littrow型光栅外腔量子点激光器输出功率、调谐范围等输出特性的影响,发现器件参数的选择对外腔激光器的性能影响很大。对外腔激光器的输出功率和调谐范围进行了理论计算,并与实验结果进行了对比。计算得到的外腔激光器的输出功率与实验结果符合得很好,忽略了非线性增益相关的增益抑制的单模调谐范围理论计算值稍小于实验结果。     

ZnSe—ZnTe应变层超晶格的纵光学声子模

本文首次利用室温非共振喇曼后向散射测得具有7.3％晶格失配的ZnSe-ZnTe应变层超晶格限制在ZnSe层中的纵光学声子模。计算了限制效应引起的声子模频率的红移,以及弹性应变引起的声子模的移动,它比前者大得多。ZnSe层所受拉伸应变引起声子频率红移,ZnTe层所受压缩应变引起声子频率蓝移。同时在喇曼光谱中观察到由于这种效应导致出现的纵光学声子折叠模。     

碲锡铅可调谐激光器的光谱特性

本文报道了用水平无籽晶气相生长法(HUVT)制造的可调谐二极管激光器的性能参数,在12K温度下,脉冲阈值电流密度为370A/cm~2,直流阈值电流密度为440A/cm~2.在13K温度下的电流调谐率为0.15cm~(-1)/mA.在400mA工作电流下的温度调谐率为2.3cm~(-1)/K.