| InAs/GaAs量子点激光器的增益和线宽展宽因子 |
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| 引用本文： | 许海鑫,王海龙,严进一,汪洋,曹春芳,龚谦.InAs/GaAs量子点激光器的增益和线宽展宽因子[J].发光学报,2015,36(5). |
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| 作者姓名： | 许海鑫 王海龙 严进一 汪洋 曹春芳 龚谦 |
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| 作者单位： | 1. 山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系,山东曲阜,273165
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 山东省自然科学基金，信息功能材料国家重点实验室开放课题 |
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| 摘 要： | 利用气源分子束外延技术生长InAs/GaAs量子点激光器材料,制作了由5层量子点组成的500 μm腔长的激光器.首次使用增益拟合和波长加权的方法计算了激光器的线宽展宽因子.其中,增益拟合是对Hakki-Paoli方法计算增益的重要补充,对判断不同电流下的增益是否饱和具有重要作用.对最大模式增益求导数,当电流为50 mA时,差分增益最大值为1.33 cm-1/mA,然后迅速减小到0.34 cm-1/mA,此时电流为57mA(≈0.99Ith).第一次使用加权波长来计算中心波长的移动,发现△λ慢慢减小直至接近于0.整个计算方法避免了在直接选取数据点时造成的误差,线宽展宽因子计算值为0.12～2.75.
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| 关 键 词： | 激光器增益 差分增益 波长移动 线宽展宽因子 |
Gain and Linewidth Enhancement Factor of InAs/GaAs Quantum-dot Laser Diodes |
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| XU Hai-xin,WANG Hai-long,YAN Jin-yi,WANG Yang,CAO Chun-fang,GONG Qian.Gain and Linewidth Enhancement Factor of InAs/GaAs Quantum-dot Laser Diodes[J].Chinese Journal of Luminescence,2015,36(5). |
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| Authors: | XU Hai-xin WANG Hai-long YAN Jin-yi WANG Yang CAO Chun-fang GONG Qian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | gain differential gain wavelength shifts linewidth enhancement factor |
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