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31.
放射性次级束流分离器(HFRS)是强流重离子加速器装置(HIAF)上开展放射性次级物理研究的重要装置。HFRS是飞行时间型(PF)碎片分离器,具有大磁刚度、大接受度、大孔径磁铁以及高动量分辨的特点。HFRS采用Bρ-ΔE-Bρ方法纯化弹核碎裂或裂变反应产生的放射性核素,是开展高精度储存环内实验及环外实验研究的重要工具。主要介绍HFRS分离纯化奇异核的能力,采用MOCADI程序模拟单降能器与双降能器下典型弹核碎裂反应和裂变反应中粒子的鉴别和纯化。模拟结果表明:HFRS具有很好的消色散和聚焦特性,对于弹核碎裂反应中轻核的分离采用单降能器系统即可得到很好的纯化效果;而弹核碎裂反应中重核的分离则需采用双降能器系统才可得到很好的纯化效果;对于裂变反应,由于裂变反应的能散较大,则在采用双降能器系统时也仅仅能得到一定的纯化效果。 相似文献
32.
A new complex[Zn(3,4-APT)2(H2 O)4]·8 H2 O(1,3,4-HAPT=4-(5-(pyridin-3-yl)-4 H-1,2,4-triazol-3-yl)benzoic acid)has been prepared and characterized by elemental analysis,X-ray single-crystal diffraction analysis,thermogravimetric analysis and infrared spectrum analysis.Theoretical calculation based on density functional theory(DFT)is also employed to explicate frontier orbitals of 3,4-HAPT.X-ray single-crystal diffraction analysis reveals that 1 belongs to the triclinic system,space group P1 with a=7.5123(3),b=8.6745(3),c=15.2074(6)?,α=78.469(1),β=87.387(1),γ=65.448(1)°,V=882.42(6)?,Z=1,Dc=1.528 g·cm–3,μ=0.780 mm–1,Mr=812.09,F(000)=424,the final R=0.0401 and wR=0.1136.Zn(II)ion is coordinated by two N atoms from two 3,4-HAPT as well as four O atoms from four coordinated water molecules,forming a 0D motif with distorted octahedral coordinated geometry.The adjacent 0 D units are linked into a 3 D supramolecular structure through hydrogen bonding interaction.In addition,complex 1 exhibits better antifungal activity against Colletotrichum gloeosporioides Penz than the ligand and metal salt by MIC,MBC tests and Kirby-Bauer disc diffusion method which exhibit potential application in the antifungal fields. 相似文献
33.
34.
采用频率脉冲反应方法,以Mn-Na2WO4/SiO2催化剂上甲烷氧化偶联为探针反应,通过实时、原位的四极质谱检测手段,研究氧物种对甲烷C-H键选择性活化的微观历程.首次发现了Mn-Na2 WO4/SiO2催化剂上O2-脉冲频率效应,即脉冲反应产物量随氧脉冲注入频率的增加而增加.研究结果表明。在反应条件下,Mn-Na2 WO4/SiO2催化剂上有两种活化甲烷的氧物种同时存在,它们活化甲烷的方式不同。 相似文献
35.
Mo2C/Al2O3催化剂用于甲烷部分氧化(POM)制合成气的研究 总被引:7,自引:2,他引:7
制备了一系列不同Mo2C担载量的Mo2C/A1203催化剂,利用微型固定床反应器对其POM反应进行了活性评价,并采用XRD、SEM和BET等方法进行了结构表征.实验结果表明,纯Mo2C催化剂在反应初期有较高的CH4转化率,但CO和H2的选择性很低,随着反应时间的增加,CH4转化率急剧下降.Mo2C担载量小于24.8%的催化剂,随担载量增加,CH4转化率明显升高.同时,随着反应时间的增加,CH4转化率有所下降,CO和H2的选择性则明显升高.Mo2C担载量在35.4%—42.5%的催化剂,具有好的CH4转化率和CO、H2选择性,但担载量过高时,CH4转化率会随反应时间的增加而下降.结构表征表明,未担载的和担载的碳化物催化剂均为β-Mo2C,担载量小于10.6%时,Mo2C高度分散于A12O3表面,担载量较高时,Mo2C颗粒变大,比表面减小. 相似文献
36.
以微通道板为光电转换元件,以光子计数法为读出方式设计制作了一种实用的荧光强度探测器,结合北京同步辐射装置4B9B光电子能谱实验站特点,在样品架加载正偏压的方法减少杂散电子对荧光探测信号的影响,有效提高了荧光探测器的信噪比.搭建的软X射线全荧光产额吸收谱探测器有独立的真空系统,可方便与实验站分析腔体对接,也可将探测器安装于其他束线,具备良好的移植性和便捷性.利用该探测设备成功获取了表面覆盖ZnS薄膜材料的SrTiO3晶体Ti L边特征吸收谱,与全电子产额模式模式吸收谱相比显示出探测设备对绝缘样品和深层次体相探测的优势.该探测器已在北京同步辐射4B9B光电子能谱实验站使用,拓展了实验站软X射线吸收谱的功能,在表面催化,电极材料,薄膜衬底的研究中,为实验用户增加了一个新的表征手段. 相似文献
37.
光催化可利用充足的太阳能分解水制氢以及降解各种有机污染物, 同时还可以将CO2还原成有机低碳燃料, 是解决当今所面临的能源和环境问题最理想的技术途径之一.目前, 红外光谱仪只能对光催化材料的分子结构进行常规分析, 无法对其进行光照过程的实时监测, 也无法实现光照时光催化反应机理的实时探测与表征.光催化材料原位红外池系统可以实现光催化材料光照过程的实时监测, 从而解析原位红外光催化的反应机理, 实现光照时光催化材料反应机理的实时探测与表征.系统为光催化材料的测试研究提供了有力的技术保障, 是红外光谱仪功能开发的重要技术创新. 相似文献
38.
In situ electronic structural study of VO_2 thin film across the metal–insulator transition 下载免费PDF全文
The in situ valence band photoemission spectrum (PES) and X-ray absorption spectrum (XAS) at V LⅡ-LⅢ edges of the VO2 thin film, which is prepared by pulsed laser deposition, are measured across the metal–insulator transition (MIT) temperature (TMIT=67 ℃). The spectra show evidence for changes in the electronic structure depending on temperature. Across the TMIT, pure V 3d characteristic d‖ and O 2p-V 3d hybridization characteristic πpd, σpd bands vary in binding energy position and density of state distributions. The XAS reveals a temperature-dependent reversible energy shift at the V LⅢ-edge. The PES and XAS results imply a synergetic energy position shift of occupied valence bands and unoccupied conduction band states across the phase transition. A joint inspection of the PES and XAS results shows that the MIT is not a one-step process, instead it is a process in which a semiconductor phase appears as an intermediate state. The final metallic phase from insulating state is reached through insulator–semiconductor, semiconductor–metal processes, and vice versa. The conventional MIT at around the TMIT=67 ℃ is actually a semiconductor–insulator transformation point. 相似文献
39.
Undoped ZnO and doped ZnO films were deposited on the MgO(111) substrates using oxygen plasma-assisted molecular beam expitaxy. The orientations of the grown ZnO thin film were investigated by in situ reflection high-energy electron diffraction and ex situ x-ray diffraction(XRD). The film roughness was measured by atomic force microscopy, which was correlated with the grain sizes determined by XRD. Synchrotron-based x-ray absorption spectroscopy was performed to study the doping effect on the electronic properties of the ZnO films, compared with density functional theory calculations.It is found that, nitrogen doping would hinder the growth of thin film, and generate the NOdefect, while magnesium doping promotes the quality of nitrogen-doped ZnO films, inhibiting(N_2)Oproduction and increasing nitrogen content. 相似文献
40.