樟脑基苯甲酰胺类化合物的合成及生物活性研究

以天然樟脑为原料,经中间体樟脑肟和樟脑胺,以及樟脑胺与取代苯甲酰氯的N-酰化反应,合成得到9个樟脑基苯甲酰胺类化合物(3a～3i)。初步探索了合成条件,并通过FT IR、1H NMR、13C NMR、ESIMS和元素分析等多种手段对目标产物进行结构表征。生物活性测试表明,在50mg/L浓度下,所合成的化合物对5种植物病原菌均有一定的抑制作用,其中化合物3c(R=2-Cl)和3i(R=4-F)对苹果轮纹病菌的抑制率分别达97.5%和96.4%,化合物3i对小麦赤霉病菌的抑制率为95.7%。在100mg/L浓度下,化合物对油菜的胚根生长均显示良好的抑制活性,其中化合物3b(R=4-Cl)的抑制率达97.4%。     

深水S型铺管管道形态及力学分析方法研究

S型铺管是一种效率很高的铺设海底管道的方法,研究深水S型铺设管道形态及力学分析方法对于开发我国南海油气田具有重大意义.本文建立了深水S型铺管中管道形态的大挠度梁微分方程,并且通过数值方法求解得到的结果论证了深水S型铺管中管道悬垂段形态可以用自然悬链线近似,并在接下来的对S型铺管中管道的整体力学特性的有限元分析中,对过弯...     

The interaction of nonlinear waves in two-dimensional lattice

This paper investigates the collision between two nonlinear waves with arbitrary angle in two-dimensional nonlinear lattice. By using the extended Poincarge-Lighthill-Kuo perturbation method, it obtains two Korteweg-de Vries equations for nonlinear waves in both the ζ and η directions, respectively, and derives the analytical phase shifts after the collision of two nonlinear waves. Finally, the solution of u（υ） up to O（ε^3） order is given.     

解一般线性规划逆问题的一个O（n^3L）算法

本文讨论了一般线性规划逆问题在各种情况下的求解，并基于解凸二次规划的原对偶内点算法，给出了一个O（n3L）算法和一个实用算法．     

电解提取含铜钢中相时铜的电化学行为

电解提取含铜钢或其他含铜合金中的相时,在阳极沉淀中常常发现铜、铜的氧化物或合金基体,有时甚至出现难溶的卤化铜沉淀,严重歪曲相分析结果。本文目的在找出阳极沉淀被污染的原因及其解决办法。样品成份(重量％)为:2Cu、0.4Mo、0.4Mn、0.38C,其余为Fe。实验结果 1.在水溶液中的电解行为:选用0.3M氯化铵+0.5M柠檬酸水溶液电解提取     

非线性演化方程孤立波的同伦分析法求解

利用同伦分析法求解了Burgers方程，得到了其扭结形孤立波的近似解析解，该解非常接近于相应的精确解.结果表明，同伦分析法可用来求解非线性演化方程的孤立波解.同时，也对所用方法进行了一定扩展，得到了Kadomtsev-Petviashvili(KP)方程的钟形孤立子解.经过扩展后的方法能够更方便地用于求解更多非线性演化方程的高精度近似解析解. 关键词： Burgers方程 同伦分析法 KP方程 孤立波解     

平台式和斜坡式表面放电辐射源放电特性的比较

 介绍了平台式和斜坡式两种结构的表面放电辐射源，研究了在1.0 μF和1.5 μF储能电容、15~30 kV充电电压等实验条件下两种辐射源的放电特性，并对实验结果进行了比较分析。得到如下结论：对于斜坡式辐射源，增加电极间距可导致放电回路面积增大，因此等效电阻和等效电感也将增加；在相同电压及电容值条件下，斜坡式辐射源的放电电流、平均沉积功率均小于平台式辐射源的相应值，但放电沉积效率略大；电压升高使放电周期、电流达到峰值时间及放电沉积效率呈减小趋势，对于同一种辐射源，使用1.5 μF电容时放电回路参数更加匹配，放电沉积效率得到提高。     

基于基团贡献法的HFC＋HC混合物气液相平衡性质预测

基于基团贡献法的思想,本文采用改进的SRK状态方程和修正的MHV1混合规则,将UNIFAC基团贡献法扩展用于HFC HC二元混合物气液相平衡性质的描述,给出了基团划分表和基团间的相互作用参数,使用该方法可以较好地再现HFC HC二元混合物的气液相平衡性质,并且具有良好的预测效果.     

New Power Lateral Double Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistor with a Folded Accumulation Layer

A new lateral double diffused metal oxide semiconductor field effect transistor with a double-charge accumulation layer using a folded silicon substrate is proposed to improve the performance of the breakdown voltage and specific on-resistance. Three kinds of technologies, which are the additional electric field modulation effect, majority carrier accumulation and increasing the effective conduction area, are applied simultaneously by a semi- insulating polycrystalline silicon layer deposited over the top of thin oxide covering the drift region. It is indicated that by the simulator, the ideal silicon limits of the breakdown voltage and specific on-resistance have been broken due to the complete three-dimensional reduced surface field effect and the doubled majority carrier accumulation layer.     

立方非线性Schr?dinger方程的Weierstrass椭圆函数周期解

利用Weierstrass椭圆函数展开法对非线性光学、等离子体物理等许多系统中出现的立方非线性 Schr(o)dinger方程进行了研究.首先通过行波变换将方程化为一个常微分方程,再利用Weierstrass椭圆函数展开法思想将其化为一组超定代数方程组,通过解超定方程组,求得了含Weierstrass椭圆函数的周期解,以及对应的Jacobi椭圆函数解和极限情况下退化的孤波解.该方法有以下两个特点:一是可以借助数学软件Mathematica自动地完成;二是可以用于求解其它的非线性演化方程(方程组).