直接法制备三乙氧基硅烷催化剂的研究进展

综述了直接法合成三乙氧基硅烷的研究进展,着重对直接法的反应机理和催化剂组分的筛选进行了分析讨论.同时介绍了以三乙氧基硅烷为原料,合成烯丙基三乙氧基硅烷、γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三乙氧基硅烷、苯乙基三乙氧基硅烷、五乙氧基二硅烷等衍生物的工艺,提出了催化剂制备过程中存在的问题及研究方向.     

浅谈三算结合教学如何溶于第一课堂

三算结合教学是以脑算为基础．笔算为重点，珠算为工具，把三者有机地结合起来，交替运用、互相促进，使之达到一学三会、一练三熟的目的。小学的重要任务是培养计算能力应达到算的正确、迅速。我们通过搞三算实验教学以及参加省、地、县各级珠算技术比赛和校内口算比赛所取得的成绩足以说明三算结合教学对开发学生智力，增强记忆力，     

浅谈三算结合教学如何溶于第一课堂

三算结合教学是以脑算为基础,笔算为重点,珠算为工具,把三者有机地结合起来,交替运用、互相促进,使之达到一学三会、一练三熟的目的。小学的重要任务是培养计算能力应达到算的正确、迅速。我们通过搞三算实验教学以及参加省、地、县各级珠算技术比赛和校内口算比赛所取得的成绩足以说明三算结合教学对开发学生智力,增强记忆力,特别是对提高学生计算速度和准确率起到了巨     

对受激布里渊散射激光进行组束的数值模拟及方案设计

 提出了时间上串行的多路激光脉冲通过受激布里渊散射(SBS)池进行组束的方法,并对其进行了数值模拟研究。利用6束每束能量为45J的KrF激光进行组束, 可获得能量为141.89J,脉宽为670ps的Stokes输出光。根据模拟结果设计出了时间上串行的SBS激光组束的两个方案, 对其进行了讨论。数值模拟还发现在介质的增益系数更大、声子寿命更短的情况下,输出激光脉冲的脉宽可以压缩得更窄。     

利用改进的OPCL控制实现二连杆机构的同步运动

研究了一种改进的开闭环控制(OPC控制)方法,将这种方法应用于二连杆机构的同步运动控制,实现了二连杆机构的小幅摆和大回环两种同步运动形式．通过仿真,对比了二连杆机构的同步的不同运动特征,并对不同控制参数对同步过程的影响进行了研究．     

半导体器件蒙特卡罗模拟中保持电荷守恒的统计增强方法

介绍了一种在半导体器件蒙特卡罗模拟中保持电荷守恒的统计增强方法,该方法消除了由统计增强引入的电荷统计涨落,保持了不同增强区界面处过界粒子流的连续性.以肖特基势垒二极管为例,应用该方法,实现了高接触势垒情形下的正反向电流模拟.     

一种聚噻吩(Pt)衍生物在液氮条件下的电致发光性能

成功地试制了用一种聚噻吩（Pt)衍生物作发光活性物质的发光二极管,报导了该元件在液氮（－200℃）中的电致发光特性。     

Schottky barrier MOSFET structure with silicide source/drain on buried metal

In this paper, we propose a novel Schottky barrier MOSFET structure, in which the silicide source/drain is designed on the buried metal (SSDOM). The source/drain region consists of two layers of silicide materials. Two Schottky barriers are formed between the silicide layers and the silicon channel. In the device design, the top barrier is lower and the bottom is higher. The lower top contact barrier is to provide higher {on-state} current, and the higher bottom contact barrier to reduce the off-state current. To achieve this, ErSi is proposed for the top silicide and CoSi₂ for the bottom in the n-channel case. The 50~nm n-channel SSDOM is thus simulated to analyse the performance of the SSDOM device. In the simulations, the top contact barrier is 0.2e~V (for ErSi) and the bottom barrier is 0.6eV (for CoSi₂. Compared with the corresponding conventional Schottky barrier MOSFET structures (CSB), the high on-state current of the SSDOM is maintained, and the off-state current is efficiently reduced. Thus, the high drive ability (1.2mA/μm at V_ds=1V, V_gs=2V) and the high I_on/I_min ratio (10⁶) are both achieved by applying the SSDOM structure.     

The spatial properties of atomic Raman--Nath diffraction

This paper obtains the exact analytical solution of atomic Raman--Nath diffraction in the coordinate representation and discusses the influence of different initial conditions and detunings on the atomic spatial population distribution. The phase difference between the dipole matrix element and initial atomic population may influence the atomic spatial population distribution after diffraction, which has never been discussed before as far as we know. It offers a method to measure the phase by the spatial population distribution, which is interesting in the study of quantum optics.     

三维孔道结构(H3NCH2CH2NH3)2(H3NCH2CH2NH2)[VⅢ(H2O)2(VⅣO)8(OH)4(H(P,B)O4)4(P,B)O4)4(H2O)2]·3H2O的水热合成及晶体化学研究——(1)水热合成与产物表征

为了探讨化学成份对VPO体系孔道结构化合物结构稳定性的影响,根据酸碱平衡原理进行了合成实验设计;利用V2O5、H3PO4、H3BO3等简单的无机前驱物、乙二胺作结构导向剂,水热法合成了孔道结构钒硼磷酸盐化合物(H3NCH2CH2NH3)2(H3NCH2CH2NH2)[VⅢ(H2O)2(VⅣO)8(OH)4(H(P,B)O4)4((P,B)O4)4(H2O)2]·3H2O(简称V9(P,B)8-en).典型的反应起始物摩尔比为n(V2O5):n(H3BO3):n(H3PO4):n(en):n(H2O)=0.89:3.50:3.50:3.60:265(pH值为6.5),在175℃、自生压力条件下恒温晶化6.5d(最终pH值为5.9).通过电子探针、粉末X射线衍射、红外吸收光谱、原子占位度修正等方法,对产物的化学成份、物相及其结构等进行了实验研究.证实V9(P,B)8-en为V9P8-en的类质同象化合物,不同晶粒中B与P的含量有差别,B与P之比为O.1:7.9～2.54:5.46(原子比),但恒有V:(P+B)≈9:8.表明通过合理设计和控制合成条件,可在保持V9P8-en基本结构不变的前提下通过同晶取代引入新的化学成份,并由此探讨成份与结构稳定性的关系.