生命不熄 钻研不止——记珠算家刘扬彦先生

绿树环抱,花香四溢的福建闽清湖头老年公寓,清新的空气沁人心脾。宽敞、明亮、洁净的小屋里,一位白发苍苍的老人伏案全神贯注地撰写着。静谧的院子里,小鸟都不忍打扰,静悄悄地驻足在树枝上好奇地注视着老人。老人那饱经风霜的手握着笔在纸上流利地滑动,洁白的纸上一行行     

原子—双原子的络合反应碰撞和振转非弹性碰撞——对H CC系统的应用

本文用准经典动力学原理与方法,研究了H(~2S)-CC(X~1Σ~ _8)的绝热碰撞。发现在碰撞能低时可以形成长寿命络合物HCC,且此络合反应碰撞是无能的。此外,还研究了振转非弹性过程H CC(V=J=0)→H CC(V′,j′)的一般规律,并指出传能过程T(V)→R是主要的。     

缠结高分子液体在管中挤出胀大动力学理论：一组新的增长和最终挤出胀大比方程

基于O-W-F本构方程和自由回复机制，从Poioeuille流出发建立了一种新的缠结高分子液体挤出胀大动力学理论，该理论能有效地预测高分子流体的动静态挤出胀大行为同高分子粘弹性参数和成型条件间的相关性. 基于稳态剪切量可分解为自由“回复线团”和“不可回复热耗”两部分事实，定义了一个稳态剪切下自由“回复线团”和“不可回复热耗”的配分函数和它们两者间分配指数上可回复和不可回复构象分数，从而在理论上得到了瞬时、推迟和最终三者可回复形变量和可回复线团量同配分函数、分配指数上可回复构象分数、分子粘弹性参数和成型条件     

Ag:Bi2O3复合膜的线性和非线性光学性质

从实验和理论两个方面，探讨了金属Ag不同掺杂浓度对Ag:Bi₂O₃复合膜线性和非线性光学性质的影响. 用吸收光谱研究了Ag浓度与Ag:Bi₂O₃复合膜表面等离子体共振带之间的关系；用皮秒Z-扫描技术研究了共振和非共振情况下(激发光波长分别为532nm和1064nm)，金属Ag浓度与复合膜三阶非线性极化率的关系. 基于表面等离子体共振理论和局域场增强理论对复合膜进行了分析，得到了不同Ag浓度时Ag:Bi₂O₃复合膜的三阶非线性效应，研究了激发波长和金属浓度对复合膜线性和非线性光学性质的影响. 结果表明，等离子体共振增强和合适的金属掺杂浓度使得三阶极化率增强二个量级，在Ag浓度为35％左右和接近等离子体共振频率(相应吸收带位于560nm—622nm)的532nm激发时，χ⁽³⁾具有最大值2.4×10^-9esu. 关键词： 金属纳米颗粒 复合膜 三阶非线性 表面等离子体共振     

Al2O3X(X=H,D, T)的电子振动近似理论方法研究

用密度泛函理论(DFT)方法在6-311++G(d,p)水平上对Al₂O₃X(X=H, D, T)分子较低能量的几何构型进行了优化. 计算结果表明该分子有两个可能基态, 即Al₂O₃X(X=H,D,T)(²A′)C_s和Al₂O₃X 关键词： 2O₃X(X=H;D;T)分子团簇')" href="#">Al₂O₃X(X=H;D;T)分子团簇 热力学函数 氢同位素效应 吉布斯自由能改变     

乙醚团簇的激光电离质谱及从头计算

应用激光多光子电离质谱与超声脉冲分子束技术研究了乙醚团簇，实验中观测到乙醚的碎片离子以及强度较小的(E)H⁺，(E)^＋₂和(E)₂H⁺(E代表CH₃CH₂OCH₂CH₃)，没有发现更大尺寸的团簇离子.结合从头计算理论，在B3LYP/6-311++G(d,p 关键词： 乙醚团簇 偶极-偶极相互作用 从头计算     

4f结构间距失调对达曼类滤波器输出脉冲特性的影响

 研究了4f结构的飞秒脉冲时空变换整形装置在各元件间距不等的情况下对脉冲输出特性的影响，理论分析了间距失调效应对等间距和不等间距达曼光栅滤波器的脉冲输出特性的影响。结果表明4f结构间距失调后无论是能量还是平均度都不如等间距高，中心脉冲能量变小，其它级次脉冲生出更多旁瓣；失调量越小，输出的脉冲质量越高，对于f为12 cm的装置，当失调量小于1 cm时，对输出脉冲影响较小。     

类铍离子磁四极M2 2s2 1S0—2s2p3P2 (Z=10—103)禁戒跃迁

利用全相对论多组态Dirac-Fock方法系统地计算了高离化类铍离子的磁四极M2 2s²¹S₀—2s2p³P₂ (Z=10—103)自旋禁戒跃迁的能级间隔、跃迁概率和振子强度，计算中考虑了重要核的有限体积效应，Breit修正和QED修正，所得结果和最近的实验数据以及理论值进行了比较，结果表明：高原子序数的高电荷离子(Z≥70)磁四极M2自旋禁戒跃迁几乎可以和中性原子的光学允许跃迁相比拟，不仅在天体等离子体中，在ICF和MCF高温激光等离子体中，磁四极自旋禁戒跃迁和其他自旋禁戒跃迁（磁偶极、电四极）一样不容忽视，在双电子复合、不透明度、自由程等理论计算中应该考虑其影响. 关键词： 磁四极M2 能级间隔 跃迁概率 振子强度     

芶清泉教授从事科教工作六十五周年的主要成就与贡献

芶清泉教授于1917年4月14日出生于四川省邛崃县.1942年毕业于国立中央大学物理系.大学毕业后,先后在国立中央大学、西南联大、北京大学、华西大学、南京大学、四川大学、东北工学院、吉林大学和成都科技大学从事教学与科研工作,已达六十五周年之久.……     

外电场作用下SiO电子结构特性研究

在得到SiO分子基态稳定构型的基础上，选用B3P86/6-311++g(d，p)方法优化得到了不同外电场(-0.03—0.03a.u.)下SiO分子基态的稳定电子结构，研究了外电场对SiO分子基态键长、能量、电荷分布、能级分布，能隙及红外光谱的影响规律.结果表明，分子结构与电场呈现强烈的依赖关系，且对电场的方向依赖呈现出不对称性.同时在正向外电场逐渐增大的过程中，SiO分子能隙始终处于减小趋势，占据轨道的电子易于激发至空轨道，因而为研究材料的电致发光机理奠定了一定的理论基础.