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具有类钙钛矿结构的钛酸铜钙CaCu3Ti4O12(CCTO)介电陶瓷材料以其巨介电特性、介电常数的温度和频率稳定性及非线性等特性在材料研究领域和实际应用中受到广泛关注。本文比较了CCTO各种巨介电理论和模型,详述了目前能够较合理地解释CCTO巨介电特性的内部阻挡层电容模型(IBLC)。综述了制备方法、制备条件及改性方法对CCTO介电性能的影响。离子掺杂是降低CCTO介电损耗常用的方法之一,掺杂效果受掺杂离子半径、离子价态等多种因素的影响。将陶瓷粉体与聚合物进行复合形成0-3型复合材料是目前制备综合性能良好的介电材料的有效方法,对CCTO/聚合物复合材料的研究进展进行了评述。最后,展望了CCTO陶瓷材料的发展前景。 相似文献
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主要从实验和理论两个方面,探讨了不同Au颗粒尺寸和不同基质对Au:TiO2和Au:Al2O3复合膜线性和非线性光学性质的影响.用吸收光谱研究了Au颗粒尺寸和基质与Au复合膜表面等离子体共振带之间的关系;用皮秒Z扫描技术研究了共振和非共振情况下(激发光波长分别为532nm和1064nm),Au颗粒尺寸和基质与复合膜三阶非线性极化率的关系.基于表面等离子体共振理论和局域场增强理论对复合膜进行了分析,得到了不同Au颗粒大小和不同基质时Au复合膜的
关键词:
金属纳米颗粒
复合膜
三阶非线性
表面等离子体共振 相似文献
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在磷酸催化作用下,采用前体二胺N,N’-(2-胺基苯基)-2,6-二甲酰亚胺吡啶(1)和前体二醛1,4-二(2’-甲酰苯氧基)丁烷(2)进行缩合作用得到[1+1]Schiff碱大环化合物3,进一步将Schiff碱大环3还原得到饱和大环4.并采用1H NMR,IR,质谱和元素分析等技术对大环3和4的组成进行了表征.采用X射线单晶衍射技术测定了Schiff碱大环3的晶体结构,结果表明大环3具有扭曲的"8"字形结构.采用UV-vis光谱滴定技术对大环与系列阴离子的键合作用进行了考察,结果表明,Schiff碱大环3对F-离子有明显的选择性识别作用,并测定了该配位反应的配位比和平衡常数. 相似文献
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以季戊四醇为中心,4-(正烷基酰氧基)-4′-苯甲酰氧基苯甲酸为液晶臂,经酯化反应合成一种芳香酯类星型四臂液晶化合物。通过元素分析、红外光谱、核磁共振谱测试技术对其分子结构进行表征。采用差示扫描量热、偏光显微分析、X射线衍射分析等测试技术对其液晶相行为进行研究。结果表明,随着端基柔性链的加长,tm、ti、tic及tc呈降低趋势,它们在液晶态时均呈现破碎焦锥及焦锥织构,属互变近晶相液晶,液晶区间较宽。其中升温时D1~D4的tm和ti值分别为92.3、80.6、68.3、51.1和159.2、145.1、127.5、109.8℃,液晶范围△t1在66.9~58.7℃之间,降温时的tic和tc值分别为138.6、127.4、111.6、99.1和57.1、52.6、42.0、31.8℃,液晶范围△t2在81.5~67.3℃之间。 相似文献
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(一)阅读理解材料,这是十分关键,实际问题语言多为“文字语言,符号语言,图形语言”并用,我们要细心领悟问题的实际背景. 相似文献
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取代基对卟啉类化合物三阶非线性光学特性的影响 总被引:10,自引:2,他引:8
主要采用吸收光谱、荧光光谱和皮秒Z-扫描等实验方法研究了三种不同取代基的卟啉化合物5,10,15,20-四对羟基苯基卟啉[T(4-HP)P]、5,10,15,20-四对酯基苯基卟啉[T(4-EP)P]和5,10,15,20-四对溴苯基卟啉[T(4-BrP)P]的光学及非线性光学性质,并从离域电子共轭结构理论和共振、非共振增强理论进行了分析。结果表明,强给电子基团取代的T(4-HP)P的吸收和荧光发射带比弱给电子基团取代的T(4-EP)P及吸电子基团取代的T(4-BrP)P有明显红移;三种样品均具有正的三阶非线性极化率χ(3),强的给电子能力和共振增强使得T(4-HP)P的三阶极化率比T(4-BrP)P增强了近两个量级,并在532 nm光激发时,χ(3)具有最大值6.81×10-10esu。 相似文献
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针对传统的异常攻击检测方法主要以异常攻击行为规则与网络数据隶属度大小进行判别,只能针对已知异常攻击进行检测,对新型异常攻击,检测算法率低,计算数据量大的问题。提出一种新的分布式网络异常攻击检测方式,通过对分布式网络内数据进行迭代聚类将正常和异常数据进行分类,建立矩阵映射模型进行数据矩阵对比,初步对异常攻击数据进行判断。在矩阵中建立粒子密度函数,通过粒子密度变化计算其异常攻击概率,最后对其数据进行加权和波滤确定数据异常攻击特征,建立攻击检测模型。仿真实验表明,优化的分布式网络异常攻击检测模型提高了异常数据攻击检测的自适应性,在网络信号受到攻击信号干扰情况下,仍然能够准确检测出带有攻击特征的小网络异常数据。有效提高了分布式网络的检测正确率,加快了检测速度和稳定性。 相似文献
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