关于《光谱学与光谱分析》收取审稿费的通知

<正>尊敬的《光谱学与光谱分析》广大作者、读者同志们,本刊自2006年底采用由"北京玛格泰克科技发展有限公司"开发的投稿系统实现网络采编以来,进一步扩展了审稿专家队伍。本刊参考同类期刊的现行做法,决定自2010年12月1日以后登记的稿件向投稿作者收取审稿费100元/篇,在您投稿之前,为免受经济损失,请您必须考虑:1.没有创新的一般性稿件,请您不要投稿。2.没有国家级基金资助的稿件,请您不要投稿。     

C波段携轨道角动量螺旋波微带阵天线设计

本文以同轴馈电的矩形微带天线作为阵单元,将8个相同的单元天线等间隔分布在一个同心圆面上以组成微带阵天线,并采用等幅但相邻单元间相位差为一常数的方式进行激励。基于三维高频结构电磁模拟软件仿真优化,在中心频率为6GHz处,根据不同的相位延迟得到不同模式的携有轨道角动量的方向图。仿真结论表明,该新颖的微带阵天线能产生携有轨道角动量的螺旋电磁波。     

Spatial Dispersion Induced by Cross-Phase Modulation

We demonstrate our experiment of controlling spatial displacements of the probe beam induced by the cross-Kerr effect in a three-level V-type atomic system. By increasing the atomic density or the intensity of strong control laser beams, spatial displacements are enhanced. We further study the difference of effects from the atomic density and the laser intensity. In addition, the spatial displacement efficiencies of the probe beam in different energy level atomic systems are compared. Such studies of controlling spatial displacements can have potential applications in soliton deflection, spatial optical switch and generating spatially correlated （entangled） laser beams in multi-level EIT systems.     

连续设施选址:模型、方法与应用

给定度量空间和该空间中的若干顾客,设施选址为在该度量空间中确定新设施的位置使得某种目标达到最优。连续设施选址是设施选址中的一类重要问题,其中的设施可在度量空间的某连续区域上进行选址。本文对连续设施选址的模型、算法和应用方面的工作进行了综述。文章首先讨论了连续设施选址中几个重要元素,包括新设施个数、距离度量函数、目标函数;然后介绍了连续选址中的几种经典模型和拓展模型;接着概述了求解连续选址问题的常用优化方法和技术,包括共轭对偶、全局优化、不确定优化、变分不等式方法、维诺图;最后介绍了连续设施选址的重要应用并给出了研究展望。     

例谈椭圆中最值求解的三种策略

一、运用函数思想 例1 已知（x＋2）^2＋y^2/4-1,求x^2＋y^2的取值范围．     

巧用数量积解题

例题已知m， 矛一1，矿 夕一2，求“m十bn的最大值.解设了;一(m，n)，百2=(a泊)则了，·了:一am十bn =}了，}·}了2 ICos< e:> =夜七。s(了，，了2>. cos(百，，百:>任[o，二]，。m bn的最大值为招.本题的传统解法是采用三角代换法，在代换过程中牵扯到的变量较多.此种解法的巧妙在于由本题的已知条件和结论的形式联想到向量数量积的坐标运算，一步到位，简单至极.巧用数量积解题@崔平社$陕西省西安市户县实验中学!(710300)~~     

蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究

在实验优化MBE工艺条件的基础上，采用蓝宝石(0001)邻晶面衬底制备出了具有较高质量的GaN薄膜.XRD分析表明邻晶面衬底生长的GaN薄膜晶体结构质量明显提高，AFM表征结果显示邻晶面生长的样品表面形貌显著改善.蓝宝石衬底GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性对比实验研究发现，常规衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫特性出现双分子复合、单分子复合和弛豫振荡三个过程，持续时间分别为0.91，7.7和35.5ms；蓝宝石邻晶面衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫过程主要是双分子复合和单分子复合过程，持续时间分别为0.78和14ms.理论分析表明MBE生长GaN薄膜的持续光电导效应主要起源于本生位错缺陷引发的深能级. 关键词： 邻晶面蓝宝石衬底 GaN薄膜 瞬态光电导 弛豫特性