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41.
用高温固相反应法合成了Sr2EuxGd1-xAlO5红色荧光粉,研究了荧光粉的晶体结构和发光性质。在紫外光和近紫外光激发下,样品的发射光谱由Eu3+的5D0→7FJ(J=0,1,2,3,4) 特征发射组成,其中Eu3+离子的5D0→7F1(λ=590 nm)和5D0→7F2(λ=622 nm)跃迁发射的强度最大。当Eu3+离子的摩尔分数为 0.75时,样品的发光最强。研究结果表明,Sr2EuxGd1-xAlO5荧光粉是一种在近紫外芯片白光LED上有应用前景的红光荧光粉。 相似文献
42.
MgO对Sr2SiO4:Eu2+荧光粉发光性质的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
通过在Sr2SiO4:Eu2+荧光粉中加入MgO,提高了Sr2SiO4:Eu2+荧光粉的蓝光和黄光发射带的发射强度,研究了MgO浓度对Sr2SiO4:Eu2+荧光粉发光强度的影响。当Mg与Si的量比在1.0附近时,荧光粉的亮度较高,且发光颜色为白色。通过调节Sr2SiO4:yEu2+ ,MgO荧光粉中Eu2+的掺杂浓度,可以调节荧光粉的发光颜色。用Sr2SiO4:Eu2+ ,MgO和400 nm的InGaN管芯制备的白光LED,色坐标优于α'-Sr2SiO4:Eu2+和β-Sr2SiO4:Eu2+荧光粉制成的白光LED,显色指数和流明效率高于β-Sr2SiO4:Eu2+和α'-Sr2SiO4:Eu2+制成的白光LED。 相似文献
43.
新一代白光LED照明用一种适于近紫外光激发的单一白光荧光粉 总被引:42,自引:8,他引:34
首次报道单一Sr2MgSiO5:Eu^2 材料的白光发射性质。发射光谱由两个谱带组成,分别位于470,570nm处,并具有不同的荧光寿命,归结为处于不同格位上的二价铕离子的发射,它们混合成白光。这两个发射带所对应的激发光谱均分布在250~450nm的紫外区,利用该荧光粉和具有400nm近紫外光发射的InGaN管芯制成了白光LED。正向驱动电流为20mA时,色温为5664K;发光色坐标为x=0.33,y=0.34;显色指数为85%;光强达8100cd/m^2。实验表明,器件的色坐标和显色指数等参数随正向驱动电流的变化起伏量小于5%,优于目前商用的蓝光管芯泵浦白光LED,报道的单一白光荧光粉在新一代白光LED照明领域具有广阔的应用前景。 相似文献
44.
纳米Y2O3:Eu3+中S6格位电荷迁移带的光学特性 总被引:3,自引:2,他引:1
在Y2O3:Eu^3 体材料和纳米材料中,观察到紫外激发下处于S6格位的Eu^3 的^5D0→^7F1发射(582nm)的强度,相对处于C2格位的^5D0→^7F0发射(580nm)的强度,随着激发波长在200—300nm紫外区由长变短而增强。这一现象说明Y2O3:Eu^3 中两种格位的电荷迁移带及基质激发的性质不同。光谱分解得出S6格位的电荷迁移带位于C2格位电荷迁移带的高能侧,Y2O3基质倾向于向S6格位进行能量传递。与体材料相比,两种格位的电荷迁移带在纳米材料中都发生红移;相对于C2格位的电荷迁移带,S6格位的电荷迁移带强度在纳米材料中比在体材料中明显降低,并对结果进行了讨论。 相似文献
45.
用高温固相法制备了Sr3SiO5∶Eu2 和Sr3SiO5∶Eu2 ,Dy3 荧光粉。在紫外光辐照后,Sr3SiO5∶Eu2 和Sr3SiO5∶Eu2 ,Dy3 荧光粉具有明亮的黄色长余辉,源于Eu2 的4f65d-4f7的跃迁。紫外光激发停止后,Sr3SiO5∶Eu2 的余辉时间是4 h以上。余辉衰减曲线和热释光曲线说明了引入Dy3 离子可以产生大量的深陷阱和浅陷阱。产生的深陷阱使余辉时间延长到6 h以上。由热释发光曲线,根据热释光的通用级公式拟合了陷阱深度。Sr3SiO5∶Eu2 和Sr3SiO5∶Eu2 ,Dy3 荧光粉是有应用前景的黄色长余辉材料。 相似文献
46.
采用高温固相法在1 100 ℃下合成了Eu3+掺杂的CdxZn1-xO发光材料.采用X射线衍射对所合成样品的结构进行了表征.分析了不同浓度Cd2+的掺杂对于样品发光及激发峰位置的影响.通过对荧光光谱的测试,表明Cd2+的引入使得体系的禁带宽度变窄,并且通过Cd2+掺杂浓度的变化,可以对样品的激发光谱峰值在380~410 nm进行调制,样品的发光以520 nm处的宽带发射为主,并没有明显的Eu3+的特征发射,表明基质与Eu3+之间的能量传递并不有效.在加入Li+作为电荷补偿剂之后,出现了来自Eu3+的特征发射,相应的发射光谱的发射主峰位于609 nm.样品380~410 nm的激发峰范围覆盖了紫外LED芯片的输出波长.因此,这种荧光粉是一种可能应用在白光LED上的红色荧光粉材料. 相似文献
47.
48.
飞秒激光脉冲与物质相互作用会产生多种非线性现象,会引起材料结构的改变和材料折射率n的变化。我们利用波长为800nm,脉宽为120fs,频率为1kHz的飞秒激光脉冲,在不同玻璃材料中制作出了横截面直径在5μm—10μm,长度为1.5cm的柱状区域。用He—Ne激光器的632.8nm激光进行光耦合,观察到光波导效应。由NA=(2n^*△n^1/2)粗测△n为0.001—0.008。在K9玻璃中制作出厚为2μm,长为1.5cm的片状区域,发现全反射现象,表明n变小,变化量大约为—0.006。这些现象可为在集成光学上制备光波导、光栅、光反射镜、三维集成光路等微结构制做提供崭新的方法。同时,利用光谱和原子力显微形貌(AFM)对结构变化引起n变化的物理机制进行了讨论。 相似文献
49.
报道用Judd-Ofelt理论研究立方相纳米晶Gd2O3:Eu3+材料在77K下的光谱性质.以几乎不受周围晶场环境影响的5D0→7F1跃迁为参考,利用5D0→7F2和5D0→7F4跃迁,从实验上确定强度参数Ωλ(λ=2,4).发现纳米Gd2O3:Eu3+材料晶场强度参数Ωλ随纳米晶粒径的变化而改变,与体材料相比有显著的不同.随微晶粒径减小,发射能级5D0的寿命变短、量子效率降低.这是因为微晶粒径越小,量子限域效应越强,表体比越大,在无序体调制的表面上表面缺陷作用增强而引起的.对电荷(Eu3+-O2-)迁移态和多声子过程另外两种无辐射通道也进行讨论.
关键词:
纳米Gd2O3:Eu3+
强度参数
辐射与无辐射弛豫
量子效率 相似文献
50.
用紫外可见光谱 (UV/VisibleSpectra)测试并研究了坩埚下降法生长的LiNbO3 、Fe∶LiNbO3 ,以及Zn∶Fe∶LiN bO3 晶体的吸收特性。分析了产生这些吸收特性的原因以及与工艺生长方法的内在联系。研究结果表明 :LiNbO3 单晶沿晶体生长方向 ,其紫外吸收边向长波方向移动 ,且在 35 0~ 4 5 0nm波段的吸收也逐渐增大 ,这是由于Li的分凝与挥发 ,逐渐产生缺锂所造成的 ;在Fe∶LiNbO3 单晶中观察到Fe2 + 离子在 4 80nm附近的特征吸收峰 ,并发现沿生长方向 ,Fe2 + 离子的浓度逐渐增加 ,这与提拉法生长得到的晶体不同 ;在Fe∶LiNbO3 单晶中掺入质量分数为 1.7%ZnO后 ,吸收边位置发生蓝移 ,而掺杂质量分数达到 3.4 %时 ,观察到有红移现象。Fe2 + 离子在Zn∶Fe∶LiNbO3 单晶中的浓度与ZnO掺杂量有密切关系。在掺杂质量分数 1.7%ZnO的Fe∶LiNbO3 单晶中 ,Fe2 + 离子从底部到顶部的浓度变化比在掺杂质量分数 3.4 %ZnO晶体中大 ,这是由于Zn2 + 抑制Fe2 + 离子进入Li位的能力随掺杂量的增加而逐渐减弱造成的。就该下降法工艺技术对Fe2 + 离子在晶体中的浓度分布的影响作了分析 相似文献