金属离子表面修饰对纳米ZnS:Mn2+溶胶发光性质的影响

利用胶体化学共沉淀方法制备了纳米ZnS：Mn^2 乙醇溶胶,观察到Zn^2 的引入对内部Mn^2 的^4T1→^6A1跃迁的580nm橙色发光有激活作用,而外加的Mn^2 对该橙色发光有猝灭作用。Zn^2 的吸附通过形成单层ZnS壳,减少了表面猝灭中心,从而使发光强度增加,这种表面猝灭中心最有可能是来自表面S^2-孤对电子的悬空键。Mn^2 的猝灭过程不能用纯粹动态的猝灭过程来描述,Mn^2 本身很可能就是橙光的猝灭中心。考虑到Mn^2 在颗粒表面上的按泊松分布,并假设单个Mn^2 能100％猝灭Mn^2 580nm发射,理论与实验数据很好地符合。通过对猝灭数据的拟合,估算出的颗粒尺寸小于用有效质量近似模型算得的3．1nm,分析了可能的原因。     

CdS／聚电解质核-壳式复合微球的光谱特性研究

合成了CdS/聚电解质核-壳式复合微球并研究了其红外光谱、拉曼光谱和真空紫外光谱.在复合微球的红外光谱中出现的619.1 cm-1 Cd-S伸缩振动峰,与固态CdS相比出现了明显的蓝移现象.拉曼光谱中,与CdS特征纵光学声子模(1LO)相对应的299.4 cm-1也发生了蓝移现象.常温(290 K)和低温(20 K)下的真空紫外光谱存在差异.对于激发光谱,常温下主峰在269 nm,并有一些副峰,而低温下仅在253 nm处有1个明显的激发峰;常温下的发光峰在382 nm,并且有322、542和585 nm的副峰,而低温下则在394 nm处有明显的发光峰.这些结果说明CdS和聚电解质之间形成了包裹关系,并且具有很好的光学性能,可以作为荧光量子点标记材料.     

Luminescence Properties of Ca4GdO（BO3）3：RE （RE=Eu^3＋,Tb^3＋） under VUV Excitation

We experimentally investigated the VUV excitation luminescence properties of Ca4 GdO(B03)3 :RE (RE=Eu^3 , Tb^3 )Ca4GdO(BO3)3:Eu3 and Ca4GdO(BO3)3:Tb^3 emitted bright red and green colour light, respectively, under 172 nm excitation, resulting from the favorable position of the host absorption band (186 nm) and efficient energy transfer from Gd^3 to activators (e.g. Eu^3 or Tb^3 ) by means of secondary absorption in the Ca4GdO(BO3)3 matrix. The f-d transitions of Eu^3 and Tb^3 in the host lattice are depicted.     

不同温度下VUV光激发的Pr3+离子的发光性质

The luminescent properties of Pr³⁺-doped LaB₃O₆, SrAl₁₂O₁₉, SrB₄O₇ and NaYF₄ in the vaccum ultraviol-et (VUV) range at different temperatures were investigated under the excitation of high-energetic synchrotron radiation. For Pr³⁺ ions in LaB₃O₆, SrAl₁₂O₁₉ and SrB₄O₇, only the parity-forbidden ¹S₀→4f² transitions were observ-ed in the emission spectra at relatively low temperature; but the parity-allowed 4f5d→4f² transitions appeared simultaneously when the temperature was high enough. And the intensity of broad 4f5d→4f² emission increased relative to the intensity of ¹S₀→4f² emissions with increasing temperature. Then the thermal equilibrium model of energy levels was employed to the lowest 4f5d state and ¹S₀ state of Pr³⁺ in the three hosts. The calculated curves were in good agreement with the experimental values, indicating the occurrence of the thermal excitation from ¹S₀ state to 4f5d states at high temperatures when the lowest 4f5d state lies higher than ¹S₀ state and the photon energy is high enough.     

Pr^3＋掺杂的LaF3纳米微晶／氟氧化物玻璃陶瓷的4f5d能级光谱性质

用同步辐射的真空紫外(VUV)和紫外(UV)作为激发源研究了Pr^3 (0．1％)掺杂的LaF3纳米微晶，氟氧化物玻璃陶瓷的4f5d能级光谱性质。样品中存在两种不同的Pr^3 -LaF3微晶中的Pr^3 最低的4f5d能级在^1S0能级之上，玻璃中的却在^S0能级之下，通过VUV和UV激发光谱得出这两种Pr^3 最低的4f5d能级的位置。当用181nm光激发样品时，在发射光谱中同时观察到了微晶中Pr^3 4f^2→4f^2的窄谱带发射和玻璃中4f5d→4f^2的宽谱带发射。在20K时观察到了LaF3纳米微晶中作为Pr^3 光子级联发射(PCE)第二步的^3P0→H4的跃迁，室温下却没有观察到，文中详细讨论了产生这种现象的原因。     

基于遗传算法的全息光栅逆向优化设计

光栅是单色仪的核心器件,光栅的像差校正能力对单色仪性能有着决定性作用.本文研究了基于光线追迹点列图数值分析的遗传算法实现,建立了针对全息光栅成像质量的评价函数,并利用遗传算法实现了全息光栅的优化设计.结果表明,利用遗传算法可以简化求解过程,降低最优参量的误差,并克服局部极值的问题,明显优于阻尼最小二乘法.     

近紫外光激发的新型蓝色荧光粉YVxP1-xO4:Ta5+的合成与发光性能

采用高温固相法成功合成了Y(V,P)O4:Ta荧光粉,并利用XRD,激发光谱和发射光谱对所合成粉体的物相结构及发光性能进行了表征。实验结果表明:粉体的结构属于锆英石结构;粉体在310 nm波长的激发下,发射光谱的主峰位于450 nm,属于Ta5+的3p63d10→3p53d104d1跃迁,当n(V)/n(P)为0.3/0.7和Ta5+的摩尔掺杂浓度为0.01时,粉体的发光性能最佳;用不同浓度NH4NO3做助熔剂制备YV0.3P0.7O4:Ta50.+01荧光粉,发现NH4NO3的摩尔浓度为5%时,粉体的发光强度最强。     

LiBaF3:Eu2+真空紫外光谱研究

在室温下，二价稀土离了 杂的LiBaF3:Eu^2 粉末样品中，Eu^2 的发射呈现双峰结构，有一峰值波长约为410nm的宽峰，对应于Eu^2 的5d-4f跃迁，以及另一峰值波长约为360nm的窄峰，对应于Eu^2 的4f-4f跃迁。在50－400nm波长范围，测量了样品的反射光谱，并利用Kramers-Kroenig关系，计算了吸收光谱。从吸收光谱中，可以看到在102nm处有明显的吸收边，得到LiBaF3材料的禁带宽度Eg约为12.1eV。在高能端有53.4,59.4,65.3,69.2和76.5nm的吸收峰，它们对应于Ba^2 的5p电子和F的2p电子芯能级之间的跃迁，在低能量的183.4nm处，有很明显的吸收峰，推测这对应于本征缺陷的吸收。更低能量的吸收峰，则对应于禁带中的一些杂质能级，在未经紫外光或X射线辐照之前，用长波长（＞450nm）光激发LiBaF3:Eu^2 粉末样品，可以观测到Eu^2 离子的360nm和410m发光，亦表现出光激励发光特性。     

Y3Al5O12:Ce3+,Cr3+和Y3Al5O12:Ce3+,pr3+,Cr3+荧光粉体系中的能量传递

通过在YAG:Ce3+和YAG:Ce3+,pr3+荧光粉体系中分别掺入Cr3+离子来提高蓝光管芯白光LED的显色指数.Cr3+离子的加入,增加了红光发射,这归因于Cr3+的2E-4 A2跃迁的零声子线和声子边带发光.Ce3+→Cr3+的能量传递是增强红光发射的重要方式,在YAG:Ce3+,Cr3+体系中,由发射光谱得到...     

荧光粉(Ca2.94-xLuxCe0.06)(ScMg)Si3O12的晶体结构和荧光性质

利用高温固相反应制备了一种由Lu改进的黄色荧光粉(Ca2.94-x LuxCe0.06)(ScMg)Si3O12(缩写为CKSMS:Ce3+),其中,0≤x≤0.94.同时研究了Lu含量对荧光粉的晶相、发光性质以及温度特性的影响.结果表明,Lu的引入导致荧光增强,其原因是由于Ce3+吸收增强而不是荧光粉内量子效率增加....