利用光泵磁共振曲线测量氢原子密度

本文给出利用光泵磁共振曲线测量氢原子密度的实验.在我们的实验中,当射频源放电功率一定时,在25~61℃的泡温范围内测量到9.2×10¹¹~1.6×10¹¹(原子/厘米³)的氢原子密度.实验结果表明,当放电功率一定时,氢原子密度随泡温升高而下降.     

离子交换法分离乳酸的连续流动板模型

本文对乳酸在D354树脂上的离子交换行为进行了详细的研究，并在乳酸的超摩尔离子交换等温线方程的基础上，进一步采用简单的连续流动板模型对乳酸的固定床离子交换行为进行描述，模型拟合结果与实验值能较好的符合。     

解方程时的物理考虑

随着物理学的发展,人们不断地建立新的数学理论和方法,来适应研究的需要。数学的发展越来越复杂化、“专业化”,在这种情形下,往往使人们忽视所用数学中的一些初等代数的方法及其相应的物理考虑。在基本的数学方法中蕴含着重要的物理思想。 当分析某一物理现象(或过程)时,我们总是借助于方程的形式来进行。写方程时,通常是将视为“原因”的物理量写在方程左边,而将与这些物理量对应的视为“结果”的物理量写在方程右边,通过这样列出的方程,将所考察的物理过程的原因与结果联系起来。按初等代数,当我们求解方程时却可全然不顾这种考虑,可按需…     

高等生物的遗传控制——从大豆mRNA处理的水稻后代种子内鉴别出大豆蛋白质

本文从大豆幼苗中分离出与poly A相连的RNA.将此RNA注入开花后的子房,并用此RNA处理水稻花药.处理过的花药经离体培养诱导出愈伤组织,再从愈伤组织诱导植株.通过免疫反应的实验发现,在上述两种处理过的后代种子中含有大豆的蛋白质,而对照无此蛋白.     

超细颗粒在交变电场中团聚过程的数值模拟

建立了异极性荷电颗粒在交变电场中的团聚系数模型,将其应用到Sectional算法中,模拟电场团聚作用对超细颗粒的脱除效果.比较模拟结果与文献中实验数据后发现,在初始浓度不太高时,模拟结果能较好地与实验结果相吻合,而在初始浓度很高时,两者有较大的差异.文中对造成上述现象的可能原因进行了分析.     

用于脉冲γ强度测量的Ф60,1000μmPIN探测器

采用电阻率为10000—20000Ω.cm的高阻单晶硅材料,研制成功灵敏区尺寸为60mm,耗尽层厚度~1000μm的大面积厚PIN半导体探测器.设计了该类探测器厚度测量专用的反冲质子测量系统,对探测器的时间响应、γ灵敏度、漏电流、γ/n分辨等物理参数进行了测量和分析,结果表明,这类探测器可满足低强度裂变n/γ混合场中脉冲γ强度测量的需要.     

透平叶栅三维粘性气动反问题的控制理论方法

将基于控制理论的形状优化设计方法应用于粘性可压流动条件下的透平叶栅三维气动反设计,详细推导了三维N-S方程伴随系统的偏微分方程组及其各类边界条件.讨论了伴随系统的解的适定性条件,并由此给出应用N-S方程进行气动优化的目标函数的选取限制.研究了伴随方程的数值求解技术,给出敏感性导数的最终计算式,结合拟牛顿算法发展了三维透平叶栅粘性反问题的气动设计方法.     

一种超混沌映射的单双参量自适应同步

利用参量自适应法实现了超混沌系统Kawakami映射的同步.通过严密的数学推导,给出了Kawakami映射在单参量自适应下实现同步的充分条件,并在双参量自适应控制下系统同样实现了同步.数值模拟结果显示,该映射输出具有类似于白噪声的宽谱特性,因此比较适合用于保密通信.     

Mesons in the Constituent Quark Model

The quark-antiquark （q^-q） spectrum is studied by solving the Schrōdinger equation in the framework of nonrelativistic constituent quark model. An overall good fit to the experimental data of meson is obtained. The interactions between quark and antiquark consist of quadratic colour confinement-exchange, one-gluon-exchange, and Goldstone-boson-exchange potentials.     

Ab Initio Comparative Study of Zincblende and Wurtzite ZnO

By employing the first-principles pseudopotential plane-wave method, the physical properties of zincblende ZnO are investigated in comparison with those of the common wurtzite structure. Zincblende ZnO is predicted to be a direct gap semiconductor. Compared to the wurtzite structure, the zincblende ZnO is characterized by smaller bandgap and pressure coefficient, larger electron effective mass, increasing static dielectric constants and more covalent bonding. Furthermore, the optical properties including dielectric function and energy loss function of zincblende ZnO were obtained and analysed with some features. These aspects reveal promising applications of zincblende ZnO in optoelectronic devices.