碘分子的光电流光谱实验

本文用光电效应观察了Ⅰ_2分子基态和激发态跃迁(X~1∑_(?)~+→B~3Ⅱ_u~+)几条高分辨光谱。对实验中观察到的三个不同放电区的光电流信号作了初步讨论。     

高考复习的想法和作法

我校是一所农村学校,高中各年级都只有一个班级,新生来源是在县中、区完中拣剩下来的初中毕业生,学制是二年制,再加上师资和设备都比较差,所以我们深深感到:总复习必须面对现实,走自己的道路。首先,关于复习内容问题。我们认为“以基本要求为纲,紧扣教材”这是我们的坚定不移的指导思想。我们学校的学生本来基础就不好,接受课本上的知识还有一定的困难,因此能通过复习搞通课本上的教材就不错了。另一方面,高考     

ZnSe相变、电子结构的第一性原理计算

基于第一性原理平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,对闪锌矿结构(ZB)和岩盐结构(RS)的ZnSe在0—20GPa高压下的几何结构、态密度、能带结构进行了计算研究,分析了闪锌矿结构ZnSe和岩盐结构ZnSe的几何结构.在此基础上,研究了ZnSe的结构相变、弹性常数、成键情况以及相变压强下电子结构的变化机理.结果发现:通过焓相等原理得到的ZB相到RS相的相变压强为15.3GPa,而由弹性常数判据得到的相变压强为11.52GPa,但在9.5GPa左右并没有发现简单立方相的出现;在结构相变过程中,sp3轨道杂化现象并未消除,Zn原子的4s电子在RS相ZnSe的导电性中起主要贡献.     

界面势垒对碳纳米管场发射特性的影响

以界面势垒对碳纳米管(CNT)场发射的影响为研究目的,在硅衬底上引进很薄的二氧化硅层,以二氧化硅层作为绝缘势垒,然后在二氧化硅界面层上直接生长CNT,来研究二氧化硅绝缘势垒层对CNT场发射的影响。场发射结果为:Fowler-Nordheim(F-N)曲线分为两部分,高电场下偏离F-N曲线并趋于饱和。在双势垒模型的基础上,从电场在两势垒上的分布不同及电子在两势垒上的隧穿几率不同,理论上分析了界面势垒对场发射的影响:低电场下电子在界面势垒的隧穿几率大于在表面势垒的隧穿几率,界面势垒对场发射不起阻碍作用,场发射遵守F-N规律;高电场下电子在界面势垒的隧穿几率小于在表面势垒的隧穿几率,场发射偏离F-N规律。理论对实验结果进行了合理的解释。     

微纳光纤布拉格光栅折射率传感特性研究

利用光纤布拉格光栅方程和光纤基模有效折射率随纤芯半径和环境折射率的函数关系, 建立了微纳光纤布拉格光栅(MNFBG)反射波长随环境折射率变化的数学模型, 给出了波长灵敏度函数, 并指出MNFBG反射波长的变化规律决定于有效折射率随纤芯半径和环境折射率变化的关系. 详细探究了有效折射率及其灵敏度的变化规律, 结果表明: 有效折射率随纤芯半径和环境折射率的减小而非线性减小, 其对环境折射率变化的灵敏度随环境折射率的增大而非线性增加, 而且随纤芯半径减小, 有效折射率的灵敏度、线性度以及线性响应范围均呈递增规律. 通过对纤芯半径为0.5 μm的MNFBG在1.20–1.30和1.33–1.43 环境折射率范围内的波长响应关系拟合, 分别获得了477.33 nm/RIU和856.30 nm/RIU的波长灵敏度以及99.58 %和99.7%的高线性度, 论证了分析结论以及折射率区间划分测量方案的正确性, 为MNFBG折射率传感器的设计、优化以及应用提供了参考依据. 关键词： 微纳光纤 光纤布拉格光栅 折射率传感 数值模拟     

下电极对ZnO薄膜电阻开关特性的影响

本文采用直流磁控溅射法在三种不同的下电极(BEs)上制备了ZnO薄膜, 获得了W/ZnO/BEs存储器结构. 研究了不同的下电极材料对器件电阻开关特性的影响. 研究结果表明, 以不同下电极所制备的器件都具有单极性电阻开关特性. 在低阻态时, ZnO薄膜的导电机理为欧姆传导, 而高阻态时薄膜的导电机理为空间电荷限制电流. 不同下电极与ZnO薄膜之间的肖特基势垒高度对电阻开关过程中的操作电压有较大的影响, 并基于导电细丝模型对不同下电极上ZnO薄膜的低阻态阻值及reset电流的变化进行了解释. 关键词： ZnO薄膜 电阻开关 下电极     

品味定性分析在物理解题中的妙用——一道选择压轴题的定性与定量求解

高考物理在考查知识的同时,注重考查能力,其中包括(定性与定量)分析综合能力和应用数学处理物理问题的能力.上海市宝山区2013届高三第一学期期末调研与江苏省扬州中学2013届高三第二学期质量检测卷选择题的压轴题则提供了很好的示范.在这里和大家一起赏析这道压轴题.【题目】如图1所示,在光滑的水平地面上有一     

电子磁矩对同步辐射频谱的修正

本文从偶极子辐射场的Heaviside-Feynman表达式出发, 用经典的电动力学方法推导了考虑内禀磁矩影响后的相对论电子辐射频谱分布的表达式, 并对做匀速圆周运动的极端相对论性电子的同步辐射, 计算了两个偏振方向上的考虑磁矩修正后的辐射谱. 计算结果表明对于特征频率为ω_c的同步辐射, 如果ħω_c≥10 keV, 内禀磁矩对辐射的修正是可观的. 通过同步辐射的内禀磁矩修正, 本文讨论了电子束极化度与辐射场偏振度的依赖关系, 并基于此关系提出一种测量电子束极化度的新方法. 关键词： 同步辐射 电子内禀磁矩 同步辐射偏振度 束流极化度     

Centimetre-Long Single Crystalline ZnO Fibres Prepared by Vapour Transportation

Centimetre-long ZnO fibres are synthesized by vapour transportation via thermal evaporation of ZnO powders. The growth process is carried out in a graphite crucible, in which ZnO powder is loaded as the source material, and a silicon wafer is positioned on the top of the crucible as the growth substrate. During the growth process, the source temperature is kept at 800℃ and the substrate temperature is kept at 600℃. Typical growth time to obtain centimetre-long ZnO fibres is 5-10 hours. Scanning electron microscopy （SEM）, x-ray diffraction （XRD）, transmission electron microscopy （TEM）, and selected area electron diffraction （SAED） measurement results show that ZnO fibres are single crystalline with high crystalline quality and very low defects concentration.