Cu/SiO_2结构及其催化苯酚羟基化反应性能的研究

以不同结构的SiO_2为载体,采用传统浸渍法,合成3种负载型的Cu/SiO_2.使用X射线衍射(XRD)、 N_2的等温吸-脱附、紫外漫反射光谱(DR UV-vis)、 X射线电子能谱(XPS)、等离子原子发射光谱(ICP)和H_2的程序升温还原(H_2-TPR)方法对样品进行表征.考察了以H_2O_2为氧化剂,样品对苯酚直接羟基化合成苯二酚的催化性能.结果表明:具有介孔和MFI结构的二氧化硅(MS-1),稳定性强,有利于引入Cu物种在其孔内扩散及分布,形成更多的高分散CuO.一定反应条件下, Cu/MS-1催化活性最高,苯二酚的收率和选择性分别高达38.91%和81.5%. Cu/MS-1催化剂重复使用10次后,苯二酚的收率为37.64%,而Cu含量仅从2.5%变为2.1%,具有较强稳定性;高分散CuO是目标反应的主要活性物种.     

Toeplitz预条件子的统一构造与性能分析

１．引言考虑线性方程组ＴＮｘ＝ｂ（１．１）其中ＴＮ＝（ｔｉ,ｊ）是ＮｘＮ对称正定（ＳＰＤ）Ｔｏｅｐｌｉｔｚ矩阵,即ｔｉ,ｊ＝ｔ｜ｉ－ｊ｜（ｉ,ｊ＝０,１,...,Ｎ－１）且ＴＮ的所有特征值均为正数,并表为ＴＮ：＝Ｔ（ｔ。,ｔｉ,...,ｔＮ－１）．如果我们用预条件子共轭梯度法（ＰＣＧ）求解方程组（１．１）,最关健的任务是构造出高效的预条件子．而预条件子最自然的选择似乎其逆矩阵易求且构成矩阵ＴＮ的某种最优逼近．由于循环矩阵ＣＮ的逆矩阵ＣＲ'仍为循环矩阵,因此ＣＮ和ＣＨ'与向量的乘积可通ｉｓ速Ｆｏｕｒｉｅｒ…     

低能离子对酪氨酸溶液损伤作用的光谱研究初报

利用气体我放电产生低能离子,其在放电间隙的电场加速下撞击水溶液样品。了低能离子作用后酪氨酸溶液的紫外及红外吸收光谱的变化。结果表明,气体放电产生的离子对Ｔｙｒ造成了多种损伤。不仅使化学键断裂,分子解体,而且外来的活性离子会与溶液中的元素形成新的化学基团,妆在受损伤分子碎片上组成新的损伤物质,充分体现了低能离子与物质相互作用的“离子沉积”效应。     

任意长—维DFT的MIMD并行算法

本文提出了共享与分布式存储计算机上任意长—维ＤＦＴ的ＭＩＭＤ并行算法，若Ｎ＝Ｏ（ｐ，ｑ），则算法需要次算术运算。其中，Ｐ与Ｎ可为任意自然数，分别表示处理机台数与ＤＦＴ长度．本文算法具有很高的并行效率．     

用有限元法分析多波导耦合系统本征模的模式特性

本文应用有限元法(FEM),计算和分析了多波导耦合系统的本征模(超模)的模式特性及其变化规律,得到了强度均匀分布的基超模,克服了微扰理论计算这类问题的局限性.     

二元整系数多项式因式分解的一种理论和算法

我们发现可以把二元多项式盾成系数为一元多项式的一元多项式来进行分解，据此，本文建立了二元整系数多项式因式分解的一种理论，提出了一个完整的分解二元整系数多项式的算法。这个算法还能很自然地推广成分解多元整系数多项式的算法。     

N2分压对ZrN/WN纳米多层膜缺陷性质与力学性能的影响

利用射频磁控溅射系统在不同N₂分压的条件下，制备了一系列ZrN/WN纳米多层膜.借助慢正电子湮没技术分析了样品的缺陷性质，采用纳米压痕仪研究了多层膜的力学性能.结果发现：N₂分压为0.4Pa的多层膜具有最小的空位型缺陷浓度，其中心层和膜基结合层的平均S参数分别为0.4402和0.4641，而较低或较高的N₂分压都可能导致空位型缺陷浓度的增加.随着空位型缺陷浓度的减小，多层膜的硬度和临界载荷增大.对于空位型缺陷浓度最小的多层膜，其硬度和临界载荷达到最大值，分别为34.8GPa和100mN，说明较低的缺陷浓度有利于提高多层膜的力学性能. 关键词： ZrN/WN纳米多层膜 缺陷性质 力学性能 慢正电子湮没     

单离子束技术概述

 对单离子束的发展和应用作了介绍。结合我国首台单离子束装置CAS-LIBB，综合讨论了准直器限流型和静电透镜聚焦型两种典型单离子束的技术结构。限流型结构简单但定位精度有限，聚焦型条件苛刻但可获得亚微米束，是单离子束发展的趋势。评估了前探测、全前置探测和后探测3种单离子束探测方式及其特点，研究了这3种探测方式对辐照离子的计数精度和单离子束品质产生的影响。对CAS-LIBB装置研制了光导型全前置探测器以提高计数精度和束流品质。最后设计了快速荧光在线检测技术方案。     

SiO2分子的基态(X1A1)结构与分析势能函数

应用群论及原子分子反应静力学方法推导了SiO2分子的电子态及其离解极限,采用B3P86方法,在6-311G**水平上,优化出SiO2基态分子稳定构型为单重态的C2V构型,其平衡核间距Re=RSi-O=0.1587 nm,∠OSiO=111.2°,能量为-440.4392 a.u..同时计算出基态的简正振动频率:对称伸缩振动频率v(B2)=945.4cm-1,弯曲振动频率v(A1)=273.5 cm-1和反对称伸缩振动频率v(A1)=1362.9cm-1.在此基础上,使用多体项展式理论方法,导出了基态SiO2分子的全空间解析势能函数,该势能函数准确再现了SiO2(C2V)平衡结构.