首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   373篇
  免费   112篇
  国内免费   89篇
化学   261篇
晶体学   24篇
力学   32篇
综合类   13篇
数学   40篇
物理学   204篇
  2024年   3篇
  2023年   17篇
  2022年   16篇
  2021年   15篇
  2020年   16篇
  2019年   19篇
  2018年   21篇
  2017年   10篇
  2016年   20篇
  2015年   15篇
  2014年   35篇
  2013年   21篇
  2012年   21篇
  2011年   25篇
  2010年   24篇
  2009年   25篇
  2008年   29篇
  2007年   15篇
  2006年   12篇
  2005年   14篇
  2004年   25篇
  2003年   11篇
  2002年   12篇
  2001年   15篇
  2000年   14篇
  1999年   20篇
  1998年   11篇
  1997年   9篇
  1996年   10篇
  1995年   15篇
  1994年   5篇
  1993年   7篇
  1992年   15篇
  1991年   9篇
  1990年   5篇
  1989年   2篇
  1988年   1篇
  1987年   3篇
  1986年   1篇
  1985年   4篇
  1984年   3篇
  1983年   2篇
  1982年   1篇
  1981年   1篇
排序方式: 共有574条查询结果,搜索用时 0 毫秒
571.
王帅  孙磊  吴君  郑召利  付海岭  毕传兴 《力学学报》2023,(10):2261-2273
整体叶盘是新一代高性能航空发动机的关键部件,具有结构紧凑、重量轻和推重比高等优点,但也存在结构阻尼低、模态密度高和随机失谐问题,导致其通过共振区域时振幅大,显著影响整体叶盘结构的可靠性和疲劳寿命.为有效抑制失谐整体叶盘的多模态振动,提出一种由一系列吸振器环状布置而成的吸振器阵列减振方法,通过设置多组匹配不同模态的吸振器,实现对多模态共振峰值的抑制.为揭示吸振器阵列方法的多模态减振机理,采用具有代表性的集中参数模型构建整体叶盘-吸振器阵列系统的动力学分析模型,结合解析形式的功率流分析方法,分析吸振器质量、频率调谐精度、阻尼水平以及吸振器个数等关键参数对吸振器阵列减振性能的影响.搭建了吸振器阵列方法验证实验台,并通过实验验证了吸振器阵列方法的效果.分析结果表明:吸振器阵列方法能够有效控制叶片主导与叶片-轮盘耦合型模态,能够以较小的质量实现对谐调与失谐整体叶盘多模态共振的高效抑制,减振性能的鲁棒性较好.  相似文献   
572.
针对双层侧壁开孔的纸蜂窝芯层的面外静态压缩特性,通过试验分析无孔和开孔纸蜂窝芯层在面外压缩量为85%时的压缩变形过程,研究相对湿度和圆孔直径对其强度性能的影响。基于蜂窝结构的对称性,利用两种基本单元模型,将面外受载的蜂窝胞壁视为无孔和开孔简支弹性薄板,推导出弹性屈曲临界应力和塑性屈曲平台应力的预测公式,结果表明理论计算与试验结果具有良好的一致性。结合纸基材的正交各向异性和纸蜂窝芯层的面外压缩特性,建立无孔、开孔纸蜂窝的有限元模型,仿真模拟蜂窝胞壁在弹性和塑性屈曲阶段的弯折变形演化过程,与静态压缩试验中所观察到的变形过程是一致的。  相似文献   
573.
稠密颗粒介质在自然界和工业生产中广泛存在。在高温条件下,辐射对传热过程有十分重要的影响,并且在实际工程应用中,边界的作用不可忽略。本文采用辐射传递函数(RDF)作为表征体系内辐射换热的特性参数,它是辐射传递因子(RD)从离散尺度到连续尺度的扩展,不仅包含几何信息还包含辐射能量信息。因此它可以完全表征体系中的辐射换热,从而有助于直观地分析边界对颗粒热辐射传输特性(以RDF分布进行表征)的影响。分析了在靠近反射性边界时颗粒填充率和颗粒表面发射率对颗粒热辐射传输的影响,结果表明,边界对于由RDF表征的系统内颗粒热辐射传输有重要影响,颗粒填充率和颗粒表面发射率对该影响具有调节作用。研究结果有助于深入理解稠密颗粒介质中的热辐射传输机制。  相似文献   
574.
<正>硒化物半导体具有可控的形貌和相结构,在热电、激光、光学滤波器、太阳能电池和传感器等领域有着广泛应用。1996年,美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室的研究人员首次提出并验证了过渡金属元素表面掺杂Ⅱ-Ⅵ族半导体晶体作为中红外激光增益介质的可能性。经过表面修饰的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料具有优异的中红外光学性能,已经投入工业生产[1]。2000年,铜掺杂硒化锌(Cu:ZnSe)半导体纳米晶体被首次报道(量子产率2%~4%)[2]。2005年,彭笑刚团队[3]将掺杂方法分为生长掺杂和成核掺杂两种,并采用生长掺杂法制备了高质量的Cu:ZnSe量子点(量子产率10%~30%),该量子点会发出明亮的翠绿色光。然而,上述材料的合成路线对环境有害,在生物医药领域并不适用。2006年,中国科学院某实验室采用宽带隙的ZnSe修饰硒化镉(CdSe)纳米粒子,可以有效地去除CdSe表面缺陷[4]。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号